规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 3.2 毫欧 @ 50A,10V,
专业代理销售st(意法)全系列产品
关于我们
|
联系我们
库存查询
ST产品选型
产品
制造商
联系我们
美国1号分类选型
新加坡2号分类选型
英国10号分类选型
英国2号分类选型
日本5号分类选型
在本站结果里搜索:
热门搜索词:
电容器
Vicor
MXP7205VW
STM32F103C8T6
1379658-1
UVX
美国1号仓库
产品分类
(11)
分立半导体产品
(11)
筛选品牌
Infineon Technologies (3)
IXYS (4)
STMicroelectronics (2)
Toshiba Semiconductor and Storage (2)
重新选择
规格选型正在加载中...
在结果中搜索词:
以下搜索结果
参考图片
制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
PDF
操作
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 30V 100A I2PAK
详细描述:通孔 N 沟道 100A(Tc) 300W(Tc) I2PAK
型号:
STB100NF03L-03-1
仓库库存编号:
497-15805-5-ND
别名:497-15805-5
STB100NF03L-03-1-ND
规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 3.2 毫欧 @ 50A,10V,
无铅
搜索
Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 80V 100A TO220
详细描述:通孔 N 沟道 100A(Ta) 255W(Tc) TO-220
型号:
TK100E08N1,S1X
仓库库存编号:
TK100E08N1S1X-ND
别名:TK100E08N1,S1X(S
TK100E08N1S1X
规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 3.2 毫欧 @ 50A,10V,
无铅
搜索
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 30V 100A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 100A(Tc) 300W(Tc) D2PAK
型号:
STB100NF03L-03T4
仓库库存编号:
497-7929-1-ND
别名:497-7929-1
规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 3.2 毫欧 @ 50A,10V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 21A 8TDSON
详细描述:表面贴装 N 沟道 21A(Ta),98A(Tc) 2.5W(Ta),52W(Tc) PG-TDSON-8
型号:
BSC032N04LSATMA1
仓库库存编号:
BSC032N04LSATMA1CT-ND
别名:BSC032N04LSATMA1CT
规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 3.2 毫欧 @ 50A,10V,
无铅
搜索
Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 80V 214A TO220SIS
详细描述:通孔 N 沟道 100A(Tc) 45W(Tc) TO-220SIS
型号:
TK100A08N1,S4X
仓库库存编号:
TK100A08N1S4X-ND
别名:TK100A08N1,S4X(S
TK100A08N1,S4X-ND
TK100A08N1S4X
规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 3.2 毫欧 @ 50A,10V,
无铅
搜索
IXYS
MOSFET N-CH 55V 280A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 55V 280A(Tc) 550W(Tc) TO-247(IXTH)
型号:
IXTH280N055T
仓库库存编号:
IXTH280N055T-ND
规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 3.2 毫欧 @ 50A,10V,
无铅
搜索
IXYS
MOSFET N-CH 55V 280A TO-3P
详细描述:通孔 N 沟道 55V 280A(Tc) 550W(Tc) TO-3P
型号:
IXTQ280N055T
仓库库存编号:
IXTQ280N055T-ND
规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 3.2 毫欧 @ 50A,10V,
无铅
搜索
IXYS
MOSFET N-CH 55V 280A PLUS220
详细描述:通孔 N 沟道 55V 280A(Tc) 550W(Tc) PLUS220
型号:
IXTV280N055T
仓库库存编号:
IXTV280N055T-ND
规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 3.2 毫欧 @ 50A,10V,
无铅
搜索
IXYS
MOSFET N-CH 55V 280A PLUS220SMD
详细描述:表面贴装 N 沟道 55V 280A(Tc) 550W(Tc) PLUS-220SMD
型号:
IXTV280N055TS
仓库库存编号:
IXTV280N055TS-ND
规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 3.2 毫欧 @ 50A,10V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 100A TDSON-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 23A(Ta),100A(Tc) 2.8W(Ta),78W(Tc) PG-TDSON-8
型号:
BSC032N03SG
仓库库存编号:
BSC032N03SGINCT-ND
别名:BSC032N03SGINCT
BSC032N03SGXTINCT
BSC032N03SGXTINCT-ND
规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 3.2 毫欧 @ 50A,10V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 50A TDSON-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 23A(Ta),100A(Tc) 2.8W(Ta),78W(Tc) PG-TDSON-8
型号:
BSC032N03S
仓库库存编号:
BSC032N03S-ND
别名:BSC032N03ST
SP000014714
规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 3.2 毫欧 @ 50A,10V,
含铅
搜索
1
邮箱:
sales@szcwdz.com
Q Q:
800152669
手机网站:
m.szcwdz.com
美国1号品牌选型
新加坡2号品牌选型
英国2号品牌选型
英国10号品牌选型
日本5号品牌选型
st(意法)简介
|
st产品
|
st动态
|
产品应用
|
st选型手册
Copyright © 2017
www.st-ic.com
All Rights Reserved. 技术支持:
电子元器件
ICP备案证书号:
粤ICP备11103613号