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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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IXYS
MOSFET N-CH 1000V 4A TO-263
详细描述:表面贴装 N 沟道 4A(Tc) 150W(Tc) TO-263(IXFA)
型号:
IXFA4N100Q-TRL
仓库库存编号:
IXFA4N100Q-TRLCT-ND
别名:IXFA4N100Q-TRLCT
规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 3 欧姆 @ 2A,10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 1000V 4A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 4A(Tc) 150W(Tc) TO-220AB
型号:
IXFP4N100Q
仓库库存编号:
IXFP4N100Q-ND
规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 3 欧姆 @ 2A,10V,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 1000V 4A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 4A(Tc) 139W(Tc) TO-247 [B]
型号:
APT1003RBLLG
仓库库存编号:
APT1003RBLLG-ND
规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 3 欧姆 @ 2A,10V,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 650V 4A ITO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 4A(Tc) 8.35W(Ta) ITO-220AB
型号:
DMG4N65CTI
仓库库存编号:
DMG4N65CTIDI-ND
别名:DMG4N65CTIDI
规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 3 欧姆 @ 2A,10V,
含铅
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Diodes Incorporated
MOSFET N CH 650V 4A TO220-3
详细描述:通孔 N 沟道 4A(Tc) 2.19W(Ta) TO-220-3
型号:
DMG4N65CT
仓库库存编号:
DMG4N65CTDI-ND
别名:DMG4N65CTDI
规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 3 欧姆 @ 2A,10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 1000V 4A TO-247AD
详细描述:通孔 N 沟道 4A(Tc) 150W(Tc) TO-247AD(IXFH)
型号:
IXFH4N100Q
仓库库存编号:
IXFH4N100Q-ND
规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 3 欧姆 @ 2A,10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 1000V 4A TO-268
详细描述:表面贴装 N 沟道 4A(Tc) 150W(Tc) TO-268
型号:
IXFT4N100Q
仓库库存编号:
IXFT4N100Q-ND
规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 3 欧姆 @ 2A,10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 1KV 3.5A ISOPLUS247
详细描述:通孔 N 沟道 1000V 3.5A(Tc) 80W(Tc) ISOPLUS247?
型号:
IXFR4N100Q
仓库库存编号:
IXFR4N100Q-ND
规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 3 欧姆 @ 2A,10V,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 1000V 4A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 1000V 4A(Tc) 139W(Tc) TO-220 [K]
型号:
APT1003RKLLG
仓库库存编号:
APT1003RKLLG-ND
规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 3 欧姆 @ 2A,10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 800V 3.6A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 800V 3.6A(Tc) 100W(Tc) TO-220AB
型号:
BUZ80A
仓库库存编号:
BUZ80AIN-ND
别名:BUZ80AIN
规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 3 欧姆 @ 2A,10V,
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