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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 600V 30A TO220-FP
  详细描述：通孔 N 沟道 30A（Tc） 34W（Tc） PG-TO-220-FP
  
  型号：IPA60R125C6
  仓库库存编号：IPA60R125C6-ND
  别名：IPA60R125C6XKSA1
  SP000685848
  
  规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 125 毫欧 @ 14.5A，10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 600V 30A TO220
  详细描述：通孔 N 沟道 30A（Tc） 219W（Tc） PG-TO-220-3
  
  型号：IPP60R125C6
  仓库库存编号：IPP60R125C6-ND
  别名：IPP60R125C6XKSA1
  SP000685844
  
  规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 125 毫欧 @ 14.5A，10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 600V 30A TO247
  详细描述：通孔 N 沟道 30A（Tc） 219W（Tc） PG-TO247-3
  
  型号：IPW60R125C6
  仓库库存编号：IPW60R125C6-ND
  别名：IPW60R125C6FKSA1
  SP000641912
  
  规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 125 毫欧 @ 14.5A，10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 600V 29A TO220
  详细描述：通孔 N 沟道 29A（Tc） 278W（Tc） TO-220
  
  型号：FCP125N60E
  仓库库存编号：FCP125N60E-ND
  
  规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 125 毫欧 @ 14.5A，10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 600V 29A TO247
  详细描述：通孔 N 沟道 29A（Tc） 278W（Tc） TO-247
  
  型号：FCH125N60E
  仓库库存编号：FCH125N60E-ND
  
  规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 125 毫欧 @ 14.5A，10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 600V 30A TO263
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30A（Tc） 219W（Tc） PG-TO263-2
  
  型号：IPB60R125C6
  仓库库存编号：IPB60R125C6CT-ND
  别名：IPB60R125C6CT
  
  规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 125 毫欧 @ 14.5A，10V,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 600V 30A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 30A（Tc） 219W（Tc） TO-247 [B]
  
  型号：APT30N60BC6
  仓库库存编号：APT30N60BC6-ND
  
  规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 125 毫欧 @ 14.5A，10V,
• 无铅
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 600V 30A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 30A（Tc） 219W（Tc） TO-220 [K]
  
  型号：APT30N60KC6
  仓库库存编号：APT30N60KC6-ND
  
  规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 125 毫欧 @ 14.5A，10V,
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