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• IXYS
  MOSFET N-CH 200V 16A TO-268
  详细描述：表面贴装 N 沟道 16A（Tc） 695W（Tc） TO-268
  
  型号：IXTT16N20D2
  仓库库存编号：IXTT16N20D2-ND
  
  规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） -,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 1700V 2A TO-268
  详细描述：表面贴装 N 沟道 2A（Tj） 568W（Tc） TO-268
  
  型号：IXTT2N170D2
  仓库库存编号：IXTT2N170D2-ND
  
  规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） -,
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• GeneSiC Semiconductor
  TRANS SJT 1.2KV 50A
  详细描述：通孔 100A（Tc） 583W（Tc） TO-247AB
  
  型号：GA50JT12-247
  仓库库存编号：1242-1191-ND
  别名：1242-1191
  GA50JT12247
  
  规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） -,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 1000V 800MA DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 800mA（Tc） 60W（Tc） TO-252，（D-Pak）
  
  型号：IXTY08N100D2
  仓库库存编号：IXTY08N100D2-ND
  
  规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） -,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 1KV .1A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 100mA（Tc） 1.1W（Ta），25W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IXTP01N100D
  仓库库存编号：IXTP01N100D-ND
  别名：607074
  Q1614635
  
  规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） -,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 500V 6A TO220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 6A（Tc） 300W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IXTP6N50D2
  仓库库存编号：IXTP6N50D2-ND
  
  规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） -,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 500V 6A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 6A（Tc） 300W（Tc） TO-263（IXTA）
  
  型号：IXTA6N50D2
  仓库库存编号：IXTA6N50D2-ND
  
  规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） -,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 500V 3A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 3A（Tc） 125W（Tc） TO-263（IXTA）
  
  型号：IXTA3N50D2
  仓库库存编号：IXTA3N50D2-ND
  
  规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） -,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 1000V 6A TO247
  详细描述：通孔 N 沟道 6A（Tc） 300W（Tc） TO-247（IXTH）
  
  型号：IXTH6N100D2
  仓库库存编号：IXTH6N100D2-ND
  
  规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） -,
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• GeneSiC Semiconductor
  TRANS SJT 1200V 3A TO-247AB
  详细描述：通孔 3A（Tc）（95°C） 15W（Tc） TO-247AB
  
  型号：GA03JT12-247
  仓库库存编号：1242-1164-ND
  别名：1242-1164
  GA03JT12247
  
  规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） -,
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• Rohm Semiconductor
  MOSFET N-CH 60V 80A LPTS
  详细描述：表面贴装 N 沟道 80A（Ta） LPTS
  
  型号：RSJ800N06TL
  仓库库存编号：RSJ800N06TLCT-ND
  别名：RSJ800N06TLCT
  
  规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） -,
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• GeneSiC Semiconductor
  TRANS SJT 1200V 45A
  详细描述：45A（Tc） 282W（Tc）
  
  型号：GA20JT12-263
  仓库库存编号：1242-1189-ND
  别名：1242-1189
  GA20JT12-247ISO
  GA20JT12247ISO
  
  规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） -,
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• GeneSiC Semiconductor
  TRANS SJT 1700V 8A TO-247AB
  详细描述：通孔 8A（Tc）（90°C） 48W（Tc） TO-247AB
  
  型号：GA08JT17-247
  仓库库存编号：1242-1135-ND
  别名：1242-1135
  GA08JT17247
  
  规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） -,
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• GeneSiC Semiconductor
  TRANS SJT 1200V 15A
  详细描述：15A（Tc） 106W（Tc）
  
  型号：GA05JT12-263
  仓库库存编号：1242-1184-ND
  别名：1242-1184
  GA05JT12-220ISO
  GA05JT12220ISO
  
  规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） -,
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• GeneSiC Semiconductor
  TRANS SJT 1200V 25A
  详细描述：表面贴装 25A（Tc） 170W（Tc）
  
  型号：GA10JT12-263
  仓库库存编号：1242-1186-ND
  别名：1242-1186
  GA10JT12-220ISO
  GA10JT12220ISO
  
  规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） -,
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• Transphorm
  GAN FET 650V 35A TO247
  详细描述：通孔 N 沟道 35A（Tc） 125W（Tc） TO-247
  
  型号：TPH3205WSBQA
  仓库库存编号：TPH3205WSBQA-ND
  
  规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） -,
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• GeneSiC Semiconductor
  TRANS SJT 1200V 25A TO263-7
  详细描述：表面贴装 25A（Tc） 170W（Tc） D2PAK（7-Lead）
  
  型号：GA10SICP12-263
  仓库库存编号：1242-1318-ND
  别名：1242-1318
  GA10SICP12-263-ND
  
  规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） -,
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• GeneSiC Semiconductor
  TRANS SJT 1200V 160A SOT227
  详细描述：TRANS SJT 1200V 160A SOT227
  
  型号：GA100JT12-227
  仓库库存编号：1242-1317-ND
  别名：1242-1317
  GA100JT12-227-ND
  
  规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） -,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 24V 6A EFCP
  详细描述：表面贴装 N 沟道 6A（Ta） 1.6W（Ta） EFCP1313-4CC-037
  
  型号：EFC4612R-TR
  仓库库存编号：EFC4612R-TROSCT-ND
  别名：EFC4612R-TROSCT
  
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• IXYS
  MOSFET N-CH 500V 800MA DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 800mA（Tc） 60W（Tc） TO-252，（D-Pak）
  
  型号：IXTY08N50D2
  仓库库存编号：IXTY08N50D2-ND
  
  规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） -,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 1000V 0.8A TO220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 800mA（Tc） 60W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IXTP08N100D2
  仓库库存编号：IXTP08N100D2-ND
  
  规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） -,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 500V 800MA TO220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 800mA（Tc） 60W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IXTP08N50D2
  仓库库存编号：IXTP08N50D2-ND
  
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• IXYS
  MOSFET N-CH 500V 1.6A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 1.6A（Tc） 100W（Tc） TO-252，（D-Pak）
  
  型号：IXTY1R6N50D2
  仓库库存编号：IXTY1R6N50D2-ND
  
  规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） -,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 1000V 0.1A TO-252AA
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100mA（Tc） 1.1W（Ta），25W（Tc） TO-252，（D-Pak）
  
  型号：IXTY01N100D
  仓库库存编号：IXTY01N100D-ND
  
  规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） -,
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• GeneSiC Semiconductor
  TRANS SJT 1700V 4A TO-247AB
  详细描述：通孔 4A（Tc）（95°C） 106W（Tc） TO-247AB
  
  型号：GA04JT17-247
  仓库库存编号：1242-1134-ND
  别名：1242-1134
  GA04JT17247
  
  规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） -,
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