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• IXYS
  MOSFET N-CH 500V 800MA D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 800mA（Tc） 60W（Tc） TO-263（IXTA）
  
  型号：IXTA08N50D2
  仓库库存编号：IXTA08N50D2-ND
  
  规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） -,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 1000V 800MA D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 800mA（Tc） 60W（Tc） TO-263（IXTA）
  
  型号：IXTA08N100D2
  仓库库存编号：IXTA08N100D2-ND
  
  规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） -,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 500V 1.6A TO220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 1.6A（Tc） 100W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IXTP1R6N50D2
  仓库库存编号：IXTP1R6N50D2-ND
  
  规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） -,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 1000V 3A TO220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 3A（Tc） 125W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IXTP3N100D2
  仓库库存编号：IXTP3N100D2-ND
  
  规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） -,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 500V 3A TO220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 3A（Tc） 125W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IXTP3N50D2
  仓库库存编号：IXTP3N50D2-ND
  
  规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） -,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 1000V 3A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 3A（Tc） 125W（Tc） TO-263（IXTA）
  
  型号：IXTA3N100D2
  仓库库存编号：IXTA3N100D2-ND
  别名：623496
  
  规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） -,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 1000V 6A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 6A（Tc） 300W（Tc） TO-263（IXTA）
  
  型号：IXTA6N100D2
  仓库库存编号：IXTA6N100D2-ND
  
  规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） -,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 500V 6A TO247
  详细描述：通孔 N 沟道 6A（Tc） 300W（Tc） TO-247（IXTH）
  
  型号：IXTH6N50D2
  仓库库存编号：IXTH6N50D2-ND
  
  规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） -,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 500V 0.2A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 200mA（Tc） 1.1W（Ta），25W（Tc） TO-252，（D-Pak）
  
  型号：IXTY02N50D
  仓库库存编号：IXTY02N50D-ND
  
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• GeneSiC Semiconductor
  TRANS SJT 100V 9A
  详细描述：通孔 9A（Tc） 20W（Tc） TO-46
  
  型号：GA05JT01-46
  仓库库存编号：1242-1251-ND
  别名：1242-1251
  
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• GeneSiC Semiconductor
  TRANS SJT 300V 9A
  详细描述：通孔 9A（Tc） 20W（Tc） TO-46
  
  型号：GA05JT03-46
  仓库库存编号：1242-1252-ND
  别名：1242-1252
  
  规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） -,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 200V 16A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 16A（Tc） 695W（Tc） TO-247（IXTH）
  
  型号：IXTH16N20D2
  仓库库存编号：IXTH16N20D2-ND
  
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 650V POWERFLAT 5X5 H
  详细描述：表面贴装
  
  型号：STL9N65M2
  仓库库存编号：497-15056-1-ND
  别名：497-15056-1
  
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• GeneSiC Semiconductor
  TRANS SJT 1700V 160A SOT227
  详细描述：底座安装 160A（Tc） 535W（Tc） SOT-227
  
  型号：GA100JT17-227
  仓库库存编号：1242-1314-ND
  别名：1242-1314
  
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• GeneSiC Semiconductor
  TRANS SJT 1.2KV 10A
  详细描述：通孔 10A（Tc） 170W（Tc） TO-247AB
  
  型号：GA10JT12-247
  仓库库存编号：1242-1187-ND
  别名：1242-1187
  GA10JT12247
  
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• IXYS
  MOSFET N-CH 1000V 1.6A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 1.6A（Tc） 100W（Tc） TO-252，（D-Pak）
  
  型号：IXTY1R6N100D2
  仓库库存编号：IXTY1R6N100D2-ND
  
  规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） -,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 1000V 6A TO220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 6A（Tc） 300W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IXTP6N100D2
  仓库库存编号：IXTP6N100D2-ND
  
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• Fairchild/Micross Components
  DIE MOSFET P-CH 100V
  详细描述：表面贴装 模具
  
  型号：PCFQ5P10W
  仓库库存编号：PCFQ5P10W-DIE-ND
  别名：FCPCFQ5P10W
  FCPCFQ5P10W-ND
  PCFQ5P10W-DIE
  PCFQ5P10W-ND
  
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• GeneSiC Semiconductor
  TRANS SJT 1200V 5A
  详细描述：通孔 5A（Tc） 106W（Tc） TO-247AB
  
  型号：GA05JT12-247
  仓库库存编号：1242-1185-ND
  别名：1242-1185
  GA05JT12247
  
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• Fairchild/Micross Components
  DIE MOSFET P-CH 100V
  详细描述：表面贴装 模具
  
  型号：PCFQ8P10W
  仓库库存编号：PCFQ8P10W-DIE-ND
  别名：FCPCFQ8P10W
  FCPCFQ8P10W-ND
  PCFQ8P10W-DIE
  PCFQ8P10W-ND
  
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• GeneSiC Semiconductor
  TRANS SJT 1200V 6A TO-247AB
  详细描述：通孔 1200V 6A（Tc）（90°C） TO-247AB
  
  型号：GA06JT12-247
  仓库库存编号：1242-1165-ND
  别名：1242-1165
  GA06JT12247
  
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• GeneSiC Semiconductor
  TRANS SJT 1.2KV 20A
  详细描述：通孔 1200V 20A（Tc） 282W（Tc） TO-247AB
  
  型号：GA20JT12-247
  仓库库存编号：1242-1188-ND
  别名：1242-1188
  GA20JT12247
  
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• GeneSiC Semiconductor
  TRANS SJT 1200V 45A TO247
  详细描述：通孔 1200V 45A（Tc） 282W（Tc） TO-247AB
  
  型号：GA20SICP12-247
  仓库库存编号：GA20SICP12-247-ND
  
  规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） -,
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• GeneSiC Semiconductor
  TRANS SJT 1700V 16A TO-247AB
  详细描述：通孔 1700V 16A（Tc）（90°C） 282W（Tc） TO-247AB
  
  型号：GA16JT17-247
  仓库库存编号：1242-1136-ND
  别名：1242-1136
  GA16JT17247
  
  规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） -,
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• GeneSiC Semiconductor
  TRANSISTOR 1200V 100A TO263-7
  
  型号：GA50JT12-263
  仓库库存编号：GA50JT12-263-ND
  
  规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） -,
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