规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 3V，8V,
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技术
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不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
FET 类型
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
FET 功能
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
功率耗散（最大值）
漏源电压（Vdss）
6-SMD，扁平引线(1)
6-WDFN 裸露焊盘(2)
8-PowerTDFN(22)
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Texas Instruments(25)
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表面贴装(25)
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-55°C ~ 150°C（TJ）(25)
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NexFET??(24)
汽车级，AEC-Q100，NexFET?(1)
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剪切带（CT） (25)
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在售(25)
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6-SON(1)
6-WSON（2x2）(2)
8-VSON（3.3x3.3）(6)
8-VSON（5x6）(6)
8-VSON-CLIP（5x6）(8)
8-SON(1)
8-SON-EP（3x3）(1)
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MOSFET（金属氧化物）(25)
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+10V，-8V(25)
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10nC @ 4.5V(1)
5.2nC @ 4.5V(1)
7nC @ 4.5V(1)
2.8nC @ 4.5V(1)
25nC @ 4.5V(3)
2.7nC @ 4.5V(2)
19nC @ 4.5V(2)
5.1nC @ 4.5V(2)
9.7nC @ 4.5V(2)
8.4nC @ 4.5V(3)
23nC @ 4.5V(1)
11.6nC @ 4.5V(1)
6.6nC @ 4.5V(1)
36nC @ 4.5V(1)
15.3nC @ 4.5V(1)
31nC @ 4.5V(1)
18.3nC @ 4.5V(1)
重新选择
24 毫欧 @ 4A，8V(1)
30 毫欧 @ 4A，8V(2)
10.3 毫欧 @ 10A，8V(2)
4 毫欧 @ 24A，8V(1)
4.5 毫欧 @ 24A，8V(2)
5 毫欧 @ 20A，8V(2)
2.4 毫欧 @ 25A，8V(3)
10.5 毫欧 @ 11A，8V(1)
7.5 毫欧 @ 17A，8V(1)
7.9 毫欧 @ 14A，8V(1)
3.7 毫欧 @ 22A，8V(1)
2.6 毫欧 @ 25A，8V(1)
2 毫欧 @ 30A，8V(3)
1.5 毫欧 @ 35A，8V(1)
5.1 毫欧 @ 20A，8V(1)
3.4 毫欧 @ 30A，8V(1)
5.4 毫欧 @ 18A，8V(1)
重新选择
3V，8V(25)
重新选择
N 沟道(25)
重新选择
5A（Tc）(3)
60A（Tc）(1)
14A（Ta），44A（Tc）(2)
21A（Ta），60A（Tc）(2)
21A（Ta），97A（Tc）(2)
31A（Ta），100A（Tc）(2)
14A（Ta），73A（Tc）(1)
15A（Ta），56A（Tc）(1)
16A（Ta），87A（Tc）(1)
21A（Ta），100A（Tc）(1)
24A（Ta），100A（Tc）(1)
28A（Ta），100A（Tc）(1)
38A（Ta），100A（Tc）(1)
33A（Ta），100A（Tc）(2)
32A（Ta），100A（Tc）(2)
29A（Ta），100A（Tc）(1)
20A（Ta），60A（Tc）(1)
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340pF @ 15V(2)
340pF @ 12.5V(1)
2600pF @ 15V(1)
4280pF @ 15V(1)
700pF @ 15V(3)
1300pF @ 12.5V(3)
1365pF @ 12.5V(2)
3100pF @ 12.5V(2)
1440pF @ 15V(1)
955pF @ 15V(1)
950pF @ 15V(1)
2170pF @ 15V(1)
3480pF @ 15V(1)
4000pF @ 12.5V(2)
5240pF @ 15V(1)
1560pF @ 15V(1)
3420pF @ 15V(1)
重新选择
-(25)
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1.5V @ 250μA(1)
1.4V @ 250μA(9)
1.6V @ 250μA(4)
1.8V @ 250μA(7)
1.55V @ 250μA(2)
1.7V @ 250μA(2)
重新选择
2.3W（Ta）(3)
3.1W（Ta）(8)
3W（Ta）(5)
2.7W（Ta）(2)
2.8W（Ta）(1)
3.2W（Ta）(5)
2.7W（Ta），28W（Tc）(1)
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25V(10)
30V(15)
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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操作
Texas Instruments
MOSFET N-CH 25V 6-SON
详细描述：表面贴装 N 沟道 5A（Tc） 2.3W（Ta） 6-SON
型号：
CSD16301Q2
仓库库存编号：
296-25260-1-ND
别名：296-25260-1
规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 3V，8V,
无铅
搜索
Texas Instruments
MOSFET N-CH 30V 5A 6SON
详细描述：表面贴装 N 沟道 5A（Tc） 2.3W（Ta） 6-WSON（2x2）
型号：
CSD17313Q2
仓库库存编号：
296-27233-1-ND
别名：296-27233-1
规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 3V，8V,
无铅
搜索
Texas Instruments
MOSFET N-CH 30V 47A 8SON
详细描述：表面贴装 N 沟道 14A（Ta），44A（Tc） 2.7W（Ta） 8-VSON（3.3x3.3）
型号：
CSD17308Q3
仓库库存编号：
296-27210-1-ND
别名：296-27210-1
规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 3V，8V,
含铅
搜索
Texas Instruments
MOSFET N-CH 25V 60A 8SON
详细描述：表面贴装 N 沟道 60A（Tc） 3W（Ta） 8-VSON（3.3x3.3）
型号：
CSD16327Q3
仓库库存编号：
296-30138-1-ND
别名：296-30138-1
规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 3V，8V,
含铅
搜索
Texas Instruments
MOSFET N-CH 25V 3.3X3.3 8-SON
详细描述：表面贴装 N 沟道 21A（Ta），60A（Tc） 3W（Ta） 8-VSON（3.3x3.3）
型号：
CSD16323Q3
仓库库存编号：
296-24522-1-ND
别名：296-24522-1
规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 3V，8V,
含铅
搜索
Texas Instruments
MOSFET N-CH 25V 5X6 8SON
详细描述：表面贴装 N 沟道 21A（Ta），97A（Tc） 3.1W（Ta） 8-VSON-CLIP（5x6）
型号：
CSD16322Q5
仓库库存编号：
296-25112-1-ND
别名：296-25112-1
规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 3V，8V,
含铅
搜索
Texas Instruments
MOSFET N-CH 25V 97A 8SON
详细描述：表面贴装 N 沟道 21A（Ta），97A（Tc） 3.1W（Ta） 8-SON
型号：
CSD16322Q5C
仓库库存编号：
296-25644-1-ND
别名：296-25644-1
规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 3V，8V,
含铅
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Texas Instruments
MOSFET N-CH 25V 100A 8-SON
详细描述：表面贴装 N 沟道 31A（Ta），100A（Tc） 3.1W（Ta） 8-VSON-CLIP（5x6）
型号：
CSD16321Q5
仓库库存编号：
296-24517-1-ND
别名：296-24517-1
规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 3V，8V,
含铅
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Texas Instruments
MOSFET N-CH 25V 100A 8SON
详细描述：表面贴装 N 沟道 31A（Ta），100A（Tc） 3.1W（Ta） 8-VSON-CLIP（5x6）
型号：
CSD16321Q5C
仓库库存编号：
296-25643-1-ND
别名：296-25643-1
规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 3V，8V,
含铅
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Texas Instruments
MOSFET N-CH 30V 5A 6SON
详细描述：表面贴装 N 沟道 5A（Tc） 2.3W（Ta） 6-WSON（2x2）
型号：
CSD17313Q2Q1
仓库库存编号：
296-35548-1-ND
别名：296-35548-1
规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 3V，8V,
无铅
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Texas Instruments
MOSFET N-CH 30V 73A 8SON
详细描述：表面贴装 N 沟道 14A（Ta），73A（Tc） 3W（Ta） 8-VSON（5x6）
型号：
CSD17307Q5A
仓库库存编号：
296-25857-1-ND
别名：296-25857-1
规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 3V，8V,
含铅
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Texas Instruments
MOSFET N-CH 30V 56A 8SON
详细描述：表面贴装 N 沟道 15A（Ta），56A（Tc） 2.7W（Ta） 8-VSON（3.3x3.3）
型号：
CSD17304Q3
仓库库存编号：
296-27509-1-ND
别名：296-27509-1
规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 3V，8V,
含铅
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Texas Instruments
MOSFET N-CH 30V 87A 8SON
详细描述：表面贴装 N 沟道 16A（Ta），87A（Tc） 3W（Ta） 8-VSON（5x6）
型号：
CSD17302Q5A
仓库库存编号：
296-25854-1-ND
别名：296-25854-1
规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 3V，8V,
含铅
搜索
Texas Instruments
MOSFET N-CH 30V 100A 8SON
详细描述：表面贴装 N 沟道 24A（Ta），100A（Tc） 3.2W（Ta） 8-VSON（5x6）
型号：
CSD17306Q5A
仓库库存编号：
296-25856-1-ND
别名：296-25856-1
规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 3V，8V,
含铅
搜索
Texas Instruments
MOSFET N-CH 30V 28A 8SON
详细描述：表面贴装 N 沟道 28A（Ta），100A（Tc） 3.2W（Ta） 8-VSON（5x6）
型号：
CSD17301Q5A
仓库库存编号：
296-25795-1-ND
别名：296-25795-1
规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 3V，8V,
含铅
搜索
Texas Instruments
MOSFET N-CH 25V 100A 8SON
详细描述：表面贴装 N 沟道 33A（Ta），100A（Tc） 3.1W（Ta） 8-VSON-CLIP（5x6）
型号：
CSD16325Q5C
仓库库存编号：
296-25645-1-ND
别名：296-25645-1
规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 3V，8V,
含铅
搜索
Texas Instruments
MOSFET N-CH 30V 100A 8SON
详细描述：表面贴装 N 沟道 38A（Ta），100A（Tc） 3.2W（Ta） 8-VSON-CLIP（5x6）
型号：
CSD17312Q5
仓库库存编号：
296-27613-1-ND
别名：296-27613-1
规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 3V，8V,
含铅
搜索
Texas Instruments
MOSFET N-CH 30V 100A 8SON
详细描述：表面贴装 N 沟道 32A（Ta），100A（Tc） 3.2W（Ta） 8-VSON-CLIP（5x6）
型号：
CSD17311Q5
仓库库存编号：
296-27625-1-ND
别名：296-27625-1
规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 3V，8V,
含铅
搜索
Texas Instruments
MOSFET N-CH 30V 100A 8SON
详细描述：表面贴装 N 沟道 21A（Ta），100A（Tc） 3.1W（Ta） 8-VSON（5x6）
型号：
CSD17310Q5A
仓库库存编号：
296-25858-1-ND
别名：296-25858-1
规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 3V，8V,
含铅
搜索
Texas Instruments
MOSFET N-CH 25V 60A 8SON
详细描述：表面贴装 N 沟道 21A（Ta），60A（Tc） 3W（Ta） 8-SON-EP（3x3）
型号：
CSD16323Q3C
仓库库存编号：
296-28096-1-ND
别名：296-28096-1
规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 3V，8V,
含铅
搜索
Texas Instruments
MOSFET N-CH 30V 100A 8SON
详细描述：表面贴装 N 沟道 32A（Ta），100A（Tc） 3.2W（Ta） 8-VSON-CLIP（5x6）
型号：
CSD17303Q5
仓库库存编号：
296-27232-1-ND
别名：296-27232-1
规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 3V，8V,
含铅
搜索
Texas Instruments
MOSFET N-CH 30V 50A
详细描述：表面贴装 N 沟道 14A（Ta），44A（Tc） 2.7W（Ta），28W（Tc） 8-VSON（3.3x3.3）
型号：
CSD17308Q3T
仓库库存编号：
296-44075-1-ND
别名：296-44075-1
规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 3V，8V,
含铅
搜索
Texas Instruments
MOSFET N-CH 30V 100A 8SON
详细描述：表面贴装 N 沟道 29A（Ta），100A（Tc） 3.1W（Ta） 8-VSON（5x6）
型号：
CSD17305Q5A
仓库库存编号：
296-25855-1-ND
别名：296-25855-1
规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 3V，8V,
含铅
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Texas Instruments
MOSFET N-CH 25V 5X6 100A 8SON
详细描述：表面贴装 N 沟道 33A（Ta），100A（Tc） 3.1W（Ta） 8-VSON-CLIP（5x6）
型号：
CSD16325Q5
仓库库存编号：
296-24964-1-ND
别名：296-24964-1
规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 3V，8V,
含铅
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Texas Instruments
MOSFET N-CH 30V 60A 8SON
详细描述：表面贴装 N 沟道 20A（Ta），60A（Tc） 2.8W（Ta） 8-VSON（3.3x3.3）
型号：
CSD17309Q3
仓库库存编号：
296-27250-1-ND
别名：296-27250-1
规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 3V，8V,
含铅
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