规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 3.3V,10V,
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 240V 0.48A SOT23
详细描述:表面贴装 N 沟道 480mA(Ta) 760mW(Ta) SOT-23
型号:
DMN24H3D5L-7
仓库库存编号:
DMN24H3D5L-7DICT-ND
别名:DMN24H3D5L-7DICT
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 3.3V,10V,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
X34 PB USM S-MOS (LF) TRANSISTOR
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 400mA(Ta) 150mW(Ta) USM
型号:
SSM3K09FU,LF
仓库库存编号:
SSM3K09FULFCT-ND
别名:SSM3K09FULFCT
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 3.3V,10V,
无铅
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Microchip Technology
MOSFET N-CH 25V 8PDFN
详细描述:表面贴装 N 沟道 43A(Tc) 1.7W(Ta) 8-PDFN(3x3)
型号:
MCP87130T-U/LC
仓库库存编号:
MCP87130T-U/LCCT-ND
别名:MCP87130T-U/LCCT
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 3.3V,10V,
无铅
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Microchip Technology
MOSFET N-CH 25V 8PDFN
详细描述:表面贴装 N 沟道 43A(Tc) 2.1W(Ta) 8-PDFN(5x6)
型号:
MCP87130T-U/MF
仓库库存编号:
MCP87130T-U/MFCT-ND
别名:MCP87130T-U/MFCT
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 3.3V,10V,
无铅
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Microchip Technology
MOSFET N-CH 25V 100A 8PDFN
详细描述:表面贴装 N 沟道 100A(Tc) 2.2W(Ta) 8-PDFN(5x6)
型号:
MCP87018T-U/MF
仓库库存编号:
MCP87018T-U/MFCT-ND
别名:MCP87018T-U/MFCT
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 3.3V,10V,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 40V 14.4A PWDI3333-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 14.4A(Ta) 1W(Ta) PowerDI3333-8
型号:
DMN4008LFG-7
仓库库存编号:
DMN4008LFG-7DICT-ND
别名:DMN4008LFG-7DICT
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 3.3V,10V,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 60V 2A SOT23
详细描述:表面贴装 N 沟道 2A(Ta) 1W(Ta) SOT-23F
型号:
SSM3K2615R,LF
仓库库存编号:
SSM3K2615RLFCT-ND
别名:SSM3K2615RLFCT
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 3.3V,10V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 10.7A UDFN6
详细描述:表面贴装 N 沟道 6.8A(Ta) 630mW(Ta) 6-UDFN(2x2)
型号:
NTLUS4C12NTAG
仓库库存编号:
NTLUS4C12NTAG-ND
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 3.3V,10V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 10.7A UDFN6
详细描述:表面贴装 N 沟道 6.8A(Ta) 630mW(Ta) 6-UDFN(2x2)
型号:
NTLUS4C12NTBG
仓库库存编号:
NTLUS4C12NTBG-ND
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 3.3V,10V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 10.7A 6UDFN
详细描述:表面贴装 N 沟道 6.8A(Ta) 630mW(Ta) 6-UDFN(2x2)
型号:
NVLUS4C12NTAG
仓库库存编号:
NVLUS4C12NTAG-ND
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