规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 6V,10V,
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 80A TO-262AB
详细描述:通孔 N 沟道 17A(Ta),80A(Tc) 310W(Tc) I2PAK(TO-262)
型号:
FDI038AN06A0
仓库库存编号:
FDI038AN06A0-ND
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 6V,10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 150V POWER56
详细描述:表面贴装 N 沟道 10A(Ta),63A(Tc) 3.3W(Ta),136W(Tc) Power56
型号:
FDMS86255ET150
仓库库存编号:
FDMS86255ET150CT-ND
别名:FDMS86255ET150CT
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 6V,10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 80V 100A TO220-3
详细描述:通孔 N 沟道 100A(Tc) 300W(Tc) PG-TO-220-3
型号:
IPP028N08N3GXKSA1
仓库库存编号:
IPP028N08N3GXKSA1-ND
别名:IPP028N08N3 G
IPP028N08N3 G-ND
IPP028N08N3G
SP000680766
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 6V,10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 75V 19A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 19A(Ta) 310W(Tc) D2PAK(TO-263AB)
型号:
FDB045AN08A0_F085
仓库库存编号:
FDB045AN08A0_F085CT-ND
别名:FDB045AN08A0_F085CT
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 6V,10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH TO220-3
详细描述:通孔 N 沟道 120A(Tc) 250W(Tc) PG-TO-220-3
型号:
IPP030N10N5AKSA1
仓库库存编号:
IPP030N10N5AKSA1-ND
别名:SP001227032
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 6V,10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH TO220-3
详细描述:通孔 N 沟道 120A(Tc) 375W(Tc) PG-TO-220-3
型号:
IPP020N08N5AKSA1
仓库库存编号:
IPP020N08N5AKSA1-ND
别名:SP001132480
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 6V,10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 40V 460A
详细描述:表面贴装 N 沟道 460A(Tc) 3.8W(Ta),300W(Tc) D2PAK(7-Lead)
型号:
FDB0105N407L
仓库库存编号:
FDB0105N407LCT-ND
别名:FDB0105N407LCT
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 6V,10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V 200A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 200A(Tc) 3.8W(Ta), 250W(Tc) D2PAK(7-Lead)
型号:
FDB0300N1007L
仓库库存编号:
FDB0300N1007LCT-ND
别名:FDB0300N1007LCT
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 6V,10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V 13A
详细描述:表面贴装 N 沟道 13A(Ta),72A(Tc) 3.2W(Ta),113W(Tc) 8-Dual Cool?88
型号:
FDMT800152DC
仓库库存编号:
FDMT800152DCCT-ND
别名:FDMT800152DCCT
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 6V,10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 150V 15A
详细描述:表面贴装 N 沟道 15A(Ta),99A(Tc) 3.2W(Ta),156W(Tc) 8-Dual Cool?88
型号:
FDMT800150DC
仓库库存编号:
FDMT800150DCCT-ND
别名:FDMT800150DCCT
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 6V,10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V 24A
详细描述:表面贴装 N 沟道 24A(Ta),162A(Tc) 3.2W(Ta),156W(Tc) 8-Dual Cool?88
型号:
FDMT800100DC
仓库库存编号:
FDMT800100DCCT-ND
别名:FDMT800100DCCT
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 6V,10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 75V 80A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 22A(Ta),80A(Tc) 450W(Tc) TO-247
型号:
FDH038AN08A1
仓库库存编号:
FDH038AN08A1-ND
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 6V,10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 30V 39.6A TSDSON-8
详细描述:表面贴装 P 沟道 9A(Ta),39.5A(Tc) 2.1W(Ta),40W(Tc) PG-TSDSON-8
型号:
BSZ180P03NS3EGATMA1
仓库库存编号:
BSZ180P03NS3EGATMA1CT-ND
别名:BSZ180P03NS3EGATMA1CT
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 6V,10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 30V 40A TSDSON-8
详细描述:表面贴装 P 沟道 11A(Ta),40A(Tc) 2.1W(Ta),52W(Tc) PG-TSDSON-8
型号:
BSZ120P03NS3GATMA1
仓库库存编号:
BSZ120P03NS3GATMA1CT-ND
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 6V,10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 40A 8TSDSON
详细描述:表面贴装 N 沟道 40A(Tc) 2.1W(Ta),36W(Tc) PG-TSDSON-8-FL
型号:
BSZ100N06NSATMA1
仓库库存编号:
BSZ100N06NSATMA1CT-ND
别名:BSZ100N06NSATMA1CT
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 6V,10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 80V 45A
详细描述:N 沟道 45A(Tc) 79W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD135N08N3GATMA1
仓库库存编号:
IPD135N08N3GATMA1CT-ND
别名:IPD135N08N3GATMA1CT
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 6V,10V,
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Infineon Technologies
MV POWER MOS
详细描述:表面贴装 N 沟道 43A(Tc) 71W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD180N10N3GATMA1
仓库库存编号:
IPD180N10N3GATMA1TR-ND
别名:IPD180N10N3GATMA1-ND
IPD180N10N3GATMA1TR
SP000900132
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 6V,10V,
无铅
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Infineon Technologies
MV POWER MOS
详细描述:表面贴装 N 沟道 43A(Tc) 71W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD180N10N3GATMA1
仓库库存编号:
IPD180N10N3GATMA1CT-ND
别名:IPD180N10N3GATMA1CT
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 6V,10V,
无铅
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Infineon Technologies
MV POWER MOS
详细描述:表面贴装 N 沟道 43A(Tc) 71W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD180N10N3GATMA1
仓库库存编号:
IPD180N10N3GATMA1DKR-ND
别名:IPD180N10N3GATMA1DKR
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 6V,10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 80V 40A 8TSDSON
详细描述:表面贴装 N 沟道 40A(Tc) 50W(Tc) PG-TSDSON-8-FL
型号:
BSZ110N08NS5ATMA1
仓库库存编号:
BSZ110N08NS5ATMA1CT-ND
别名:BSZ110N08NS5ATMA1CT
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 6V,10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 80V 73A
详细描述:表面贴装 N 沟道 73A(Tc) 100W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD096N08N3GATMA1
仓库库存编号:
IPD096N08N3GATMA1CT-ND
别名:IPD096N08N3GATMA1CT
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 6V,10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 64A 8TDSON
详细描述:表面贴装 N 沟道 64A(Tc) 2.5W(Ta),46W(Tc) PG-TDSON-8
型号:
BSC066N06NSATMA1
仓库库存编号:
BSC066N06NSATMA1CT-ND
别名:BSC066N06NSATMA1CT
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 6V,10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 75V 56A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 56A(Tc) 99W(Tc) D-PAK(TO-252AA)
型号:
IRFR7746TRPBF
仓库库存编号:
IRFR7746TRPBFCT-ND
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 6V,10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 85A 6-PQFN
详细描述:表面贴装 N 沟道 85A(Tc) 83W(Tc) PQFN(5x6)
型号:
IRFH7545TRPBF
仓库库存编号:
IRFH7545TRPBFCT-ND
别名:IRFH7545TRPBFCT
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 6V,10V,
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 30V 17.7A TDSON-8
详细描述:表面贴装 P 沟道 17.7A(Ta),100A(Tc) 2.5W(Ta),83W(Tc) PG-TDSON-8
型号:
BSC060P03NS3E G
仓库库存编号:
BSC060P03NS3E GCT-ND
别名:BSC060P03NS3E GCT
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 6V,10V,
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