以下搜索结果

• 参考图片
• 制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
• PDF
• 操作

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 75V 56A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 56A（Tc） 99W（Tc） D-PAK（TO-252AA）
  
  型号：IRFR7746PBF
  仓库库存编号：IRFR7746PBF-ND
  别名：SP001576124
  
  规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 6V，10V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N CH 40V 120A TO220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 120A（Tc） 99W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IRFB7446GPBF
  仓库库存编号：IRFB7446GPBF-ND
  别名：SP001566710
  
  规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 6V，10V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 60V 24A TO262-3
  详细描述：通孔 N 沟道 24A（Ta），100A（Tc） 3W（Ta），136W（Tc） PG-TO262-3
  
  型号：IPI029N06NAKSA1
  仓库库存编号：IPI029N06NAKSA1-ND
  别名：IPI029N06N
  IPI029N06N-ND
  SP000962134
  
  规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 6V，10V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 100A TO262-3
  详细描述：通孔 N 沟道 100A（Tc） 214W（Tc） PG-TO262-3
  
  型号：IPI045N10N3 G
  仓库库存编号：IPI045N10N3 G-ND
  别名：IPI045N10N3G
  IPI045N10N3GXKSA1
  SP000482424
  SP000683068
  
  规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 6V，10V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 100V 3.7A SOT-223
  详细描述：表面贴装 N 沟道 3.7A（Ta） 3W（Ta） SOT-223-4
  
  型号：FDT3612
  仓库库存编号：FDT3612CT-ND
  别名：FDT3612CT
  
  规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 6V，10V,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Diodes Incorporated
  MOSFET N-CH 100V 17A TO252
  详细描述：表面贴装 N 沟道 17A（Tc） 34W（Tc） TO-252
  
  型号：DMN10H099SK3-13
  仓库库存编号：DMN10H099SK3-13DICT-ND
  别名：DMN10H099SK3-13DICT
  
  规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 6V，10V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Texas Instruments
  MOSFET N-CH 100V 15A VSONP
  详细描述：表面贴装 N 沟道 15A（Ta） 2.8W（Ta）, 23W（Tc） 8-VSONP（3x3.15）
  
  型号：CSD19538Q3A
  仓库库存编号：296-44352-1-ND
  别名：296-44352-1
  
  规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 6V，10V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 150V 4.1A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 4.1A（Ta） 2.5W（Ta），5W（Tc） 8-SO
  
  型号：FDS86242
  仓库库存编号：FDS86242CT-ND
  别名：FDS86242CT
  
  规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 6V，10V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Diodes Incorporated
  MOSFET N-CH 80V 9.5A PWDI3333-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 9.5A（Ta），35A（Tc） 2.2W（Ta），30W（Tc） PowerDI3333-8
  
  型号：DMT8012LFG-7
  仓库库存编号：DMT8012LFG-7DICT-ND
  别名：DMT8012LFG-7DICT
  
  规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 6V，10V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Diodes Incorporated
  MOSFET N-CH 100V 10A
  详细描述：表面贴装 N 沟道 10A（Ta），42A（Tc） 2W（Ta），35W（Tc） PowerDI3333-8
  
  型号：DMT10H015LFG-7
  仓库库存编号：DMT10H015LFG-7DICT-ND
  别名：DMT10H015LFG-7DICT
  
  规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 6V，10V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 58A TO220-3
  详细描述：通孔 N 沟道 58A（Tc） 94W（Tc） PG-TO-220-3
  
  型号：IPP126N10N3GXKSA1
  仓库库存编号：IPP126N10N3GXKSA1-ND
  别名：IPP126N10N3 G
  IPP126N10N3 G-ND
  SP000683088
  
  规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 6V，10V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Diodes Incorporated
  MOSFET N-CH 100V 4.2A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 4.2A（Ta） 2.11W（Ta） TO-252-3
  
  型号：ZXMN10A25KTC
  仓库库存编号：ZXMN10A25KTCCT-ND
  别名：ZXMN10A25KTCCT
  
  规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 6V，10V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 150V 2.7A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 2.7A（Ta） 1.5W（Ta） 8-SO
  
  型号：SI4848DY-T1-E3
  仓库库存编号：SI4848DY-T1-E3CT-ND
  别名：SI4848DY-T1-E3CT
  
  规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 6V，10V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 100V 44A DPAK-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 44A（Tc） 144W（Tc） TO-252AA
  
  型号：FDD3672_F085
  仓库库存编号：FDD3672_F085CT-ND
  别名：FDD3672_F085CT
  
  规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 6V，10V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 150V 29A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 4A（Ta），29A（Tc） 135W（Tc） TO-252AA
  
  型号：FDD2572_F085
  仓库库存编号：FDD2572_F085CT-ND
  别名：FDD2572_F085CT
  
  规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 6V，10V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 75V 50A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 9A（Ta），50A（Tc） 135W（Tc） D-Pak
  
  型号：FDD16AN08A0_F085
  仓库库存编号：FDD16AN08A0_F085CT-ND
  别名：FDD16AN08A0_F085CT
  
  规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 6V，10V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH TO220-3
  详细描述：通孔 N 沟道 73A（Tc） 100W（Tc） PG-TO-220-3
  
  型号：IPP083N10N5AKSA1
  仓库库存编号：IPP083N10N5AKSA1-ND
  别名：SP001226036
  
  规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 6V，10V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 80V 20A POWER33
  详细描述：表面贴装 N 沟道 7A（Ta），20A（Tc） 2.3W（Ta），41W（Tc） Power33
  
  型号：FDMC86324
  仓库库存编号：FDMC86324CT-ND
  别名：FDMC86324CT
  
  规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 6V，10V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N CH 60V 173A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 173A（Tc） 230W（Tc） D2PAK（TO-263AB）
  
  型号：IRFS7537TRLPBF
  仓库库存编号：IRFS7537TRLPBFCT-ND
  
  规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 6V，10V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N-CH 100V 17A 8DFN
  详细描述：表面贴装 N 沟道 17A（Ta），52A（Tc） 6.2W（Ta），57W（Tc） 8-DFN（5x6）
  
  型号：AON6294
  仓库库存编号：785-1667-1-ND
  别名：785-1667-1
  
  规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 6V，10V,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 80V 70A TO220-3
  详细描述：通孔 N 沟道 70A（Tc） 100W（Tc） PG-TO-220-3
  
  型号：IPP100N08N3GXKSA1
  仓库库存编号：IPP100N08N3GXKSA1-ND
  别名：IPP100N08N3 G
  IPP100N08N3 G-ND
  IPP100N08N3G
  SP000680856
  
  规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 6V，10V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 80A TO262-3
  详细描述：通孔 N 沟道 80A（Tc） 125W（Tc） PG-TO262-3
  
  型号：IPI086N10N3GXKSA1
  仓库库存编号：IPI086N10N3GXKSA1-ND
  别名：IPI086N10N3 G
  IPI086N10N3 G-ND
  IPI086N10N3G
  SP000485982
  SP000683070
  
  规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 6V，10V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 80V 60A TO220-3
  详细描述：通孔 N 沟道 60A（Tc） 39W（Tc） PG-TO220-FP
  
  型号：IPA057N08N3GXKSA1
  仓库库存编号：IPA057N08N3GXKSA1-ND
  别名：IPA057N08N3 G
  IPA057N08N3 G-ND
  IPA057N08N3G
  SP000454442
  
  规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 6V，10V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 80V 80A TO220-3
  详细描述：通孔 N 沟道 80A（Tc） 150W（Tc） PG-TO-220-3
  
  型号：IPP057N08N3GXKSA1
  仓库库存编号：IPP057N08N3GXKSA1-ND
  别名：IPP057N08N3 G
  IPP057N08N3 G-ND
  IPP057N08N3G
  SP000680810
  
  规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 6V，10V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 150V 29A TO-263AB
  详细描述：表面贴装 N 沟道 4A（Ta），29A（Tc） 135W（Tc） D2PAK（TO-263AB）
  
  型号：FDB2572
  仓库库存编号：FDB2572CT-ND
  别名：FDB2572CT
  
  规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 6V，10V,
• 无铅
• 搜索