规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 6V,10V,
专业代理销售st(意法)全系列产品
关于我们
|
联系我们
库存查询
ST产品选型
产品
制造商
联系我们
美国1号分类选型
新加坡2号分类选型
英国10号分类选型
英国2号分类选型
日本5号分类选型
在本站结果里搜索:
热门搜索词:
电容器
Vicor
MXP7205VW
STM32F103C8T6
1379658-1
UVX
美国1号仓库
产品分类
(739)
分立半导体产品
(739)
筛选品牌
Alpha & Omega Semiconductor Inc. (59)
Diodes Incorporated (38)
Infineon Technologies (260)
Nexperia USA Inc. (2)
Fairchild/ON Semiconductor (191)
ON Semiconductor (3)
Renesas Electronics America (1)
Taiwan Semiconductor Corporation (6)
Texas Instruments (31)
Toshiba Semiconductor and Storage (20)
Vishay Siliconix (128)
重新选择
规格选型正在加载中...
在结果中搜索词:
以下搜索结果
参考图片
制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
PDF
操作
Infineon Technologies
MOSFET N CH 40V 195A TO-262
详细描述:通孔 N 沟道 195A(Tc) 230W(Tc) TO-262
型号:
IRFSL7437PBF
仓库库存编号:
IRFSL7437PBF-ND
别名:SP001578458
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 6V,10V,
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V 7A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 7A(Ta) 2.5W(Ta) 8-SO
型号:
FDS86141
仓库库存编号:
FDS86141CT-ND
别名:FDS86141CT
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 6V,10V,
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 62A TO-263AB
详细描述:表面贴装 N 沟道 10.9A(Ta),62A(Tc) 115W(Tc) D2PAK(TO-263AB)
型号:
FDB13AN06A0
仓库库存编号:
FDB13AN06A0CT-ND
别名:FDB13AN06A0CT
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 6V,10V,
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET P-CH 100V 7.9A POWER56
详细描述:表面贴装 P 沟道 7.9A(Ta),50A(Tc) 2.5W(Ta),104W(Tc) 8-PQFN(5x6),Power56
型号:
FDMS86163P
仓库库存编号:
FDMS86163PCT-ND
别名:FDMS86163PCT
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 6V,10V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH TO220-3
详细描述:通孔 N 沟道 80A(Tc) 125W(Tc) PG-TO-220-3
型号:
IPP052N08N5AKSA1
仓库库存编号:
IPP052N08N5AKSA1-ND
别名:SP001227050
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 6V,10V,
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 75V 58A TO-263AB
详细描述:表面贴装 N 沟道 9A(Ta),58A(Tc) 135W(Tc) D2PAK(TO-263AB)
型号:
FDB16AN08A0
仓库库存编号:
FDB16AN08A0CT-ND
别名:FDB16AN08A0CT
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 6V,10V,
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 75V 58A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 9A(Ta),58A(Tc) 135W(Tc) TO-220-3
型号:
FDP16AN08A0
仓库库存编号:
FDP16AN08A0FS-ND
别名:FDP16AN08A0-ND
FDP16AN08A0FS
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 6V,10V,
无铅
搜索
Texas Instruments
MOSFET N-CH 80V 100A 8SON
详细描述:表面贴装 N 沟道 100A(Ta) 3.1W(Ta),195W(Tc) 8-VSON(5x6)
型号:
CSD19502Q5B
仓库库存编号:
296-37194-1-ND
别名:296-37194-1
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 6V,10V,
含铅
搜索
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 60V 18A TO220F
详细描述:通孔 N 沟道 18A(Ta),78A(Tc) 2.1W(Ta),45.5W(Tc) TO-220-3F
型号:
AOTF266L
仓库库存编号:
785-1443-5-ND
别名:785-1443-5
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 6V,10V,
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V 61A TO-263AB
详细描述:表面贴装 N 沟道 9A(Ta),61A(Tc) 150W(Tc) D2PAK(TO-263AB)
型号:
FDB3652
仓库库存编号:
FDB3652CT-ND
别名:FDB3652CT
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 6V,10V,
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V 34A D-PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 34A(Ta) 3.8W(Ta),83W(Tc) TO-252
型号:
FDD3670
仓库库存编号:
FDD3670CT-ND
别名:FDD3670CT
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 6V,10V,
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 75V 80A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 15A(Tc) 310W(Tc) TO-247
型号:
FDH047AN08A0
仓库库存编号:
FDH047AN08A0FS-ND
别名:FDH047AN08A0-ND
FDH047AN08A0FS
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 6V,10V,
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 120V 20A/129A
详细描述:表面贴装 N 沟道 20A(Ta),129A(Tc) 3.2W(Ta),156W(Tc) 8-Dual Cool?88
型号:
FDMT800120DC
仓库库存编号:
FDMT800120DCCT-ND
别名:FDMT800120DCCT
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 6V,10V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 56A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 56A(Tc) 83W(Tc) TO-252,(D-Pak)
型号:
IRF40R207
仓库库存编号:
IRF40R207CT-ND
别名:IRF40R207CT
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 6V,10V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 80V 40A 8TSDSON
详细描述:表面贴装 N 沟道 40A(Tc) 69W(Tc) PG-TSDSON-8-FL
型号:
BSZ075N08NS5ATMA1
仓库库存编号:
BSZ075N08NS5ATMA1CT-ND
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 6V,10V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 80V 50A TO251-3
详细描述:通孔 N 沟道 50A(Tc) 79W(Tc) PG-TO251-3
型号:
IPU135N08N3 G
仓库库存编号:
IPU135N08N3 G-ND
别名:IPU135N08N3G
IPU135N08N3GBKMA1
SP000521642
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 6V,10V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N CH 40V 120A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 120A(Tc) 208W(Tc) TO-263(D2Pak)
型号:
IRFS7440TRLPBF
仓库库存编号:
IRFS7440TRLPBFCT-ND
别名:IRFS7440TRLPBFCT
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 6V,10V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 58A TO263-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 58A(Tc) 94W(Tc) PG-TO263-2
型号:
IPB123N10N3 G
仓库库存编号:
IPB123N10N3 GCT-ND
别名:IPB123N10N3 GCT
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 6V,10V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 75V 76A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 76A(Tc) 125W(Tc) D2PAK(TO-263AB)
型号:
IRFS7787TRLPBF
仓库库存编号:
IRFS7787TRLPBFCT-ND
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 6V,10V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 80V 100A 8TDSON
详细描述:表面贴装 N 沟道 100A(Tc) 2.5W(Ta),104W(Tc) PG-TDSON-8
型号:
BSC040N08NS5ATMA1
仓库库存编号:
BSC040N08NS5ATMA1CT-ND
别名:BSC040N08NS5ATMA1CT
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 6V,10V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N CH 40V 195A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 195A(Tc) 230W(Tc) TO-263AB
型号:
IRFS7437TRLPBF
仓库库存编号:
IRFS7437TRLPBFCT-ND
别名:IRFS7437TRLPBFCT
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 6V,10V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 75V 104A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 85A(Tc) 140W(Tc) D2PAK(TO-263AB)
型号:
IRFS7762TRLPBF
仓库库存编号:
IRFS7762TRLPBFCT-ND
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 6V,10V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N CH 60V 110A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 110A(Tc) 160W(Tc) D2PAK(TO-263AB)
型号:
IRFS7540TRLPBF
仓库库存编号:
IRFS7540TRLPBFCT-ND
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 6V,10V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 75V 183A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 183A(Tc) 290W(Tc) D2PAK(TO-263AB)
型号:
IRFS7734TRLPBF
仓库库存编号:
IRFS7734TRLPBFCT-ND
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 6V,10V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 160A TO263-7
详细描述:表面贴装 N 沟道 160A(Tc) 214W(Tc) PG-TO263-7
型号:
IPB039N10N3 G
仓库库存编号:
IPB039N10N3 GCT-ND
别名:IPB039N10N3 GCT
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 6V,10V,
无铅
搜索
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
邮箱:
sales@szcwdz.com
Q Q:
800152669
手机网站:
m.szcwdz.com
美国1号品牌选型
新加坡2号品牌选型
英国2号品牌选型
英国10号品牌选型
日本5号品牌选型
st(意法)简介
|
st产品
|
st动态
|
产品应用
|
st选型手册
Copyright © 2017
www.st-ic.com
All Rights Reserved. 技术支持:
电子元器件
ICP备案证书号:
粤ICP备11103613号