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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 150V 3A PPAK SO-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 3A（Ta） 1.9W（Ta） PowerPAK? SO-8
  
  型号：SI7898DP-T1-GE3
  仓库库存编号：SI7898DP-T1-GE3CT-ND
  别名：SI7898DP-T1-GE3CT
  
  规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 6V，10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 80V 80A TO263-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 80A（Tc） 150W（Tc） PG-TO263-2
  
  型号：IPB054N08N3 G
  仓库库存编号：IPB054N08N3 GCT-ND
  别名：IPB054N08N3 GCT
  
  规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 6V，10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CHAN 200V SO8L
  详细描述：表面贴装 P 沟道 12A（Tc） 83W（Tc） PowerPAK? SO-8
  
  型号：SQJ431EP-T1_GE3
  仓库库存编号：SQJ431EP-T1_GE3CT-ND
  别名：SQJ431EP-T1_GE3CT
  
  规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 6V，10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 200V 3.7A POWER56
  详细描述：表面贴装 N 沟道 3.7A（Ta），20A（Tc） 2.5W（Ta），78W（Tc） Power56
  
  型号：FDMS2672
  仓库库存编号：FDMS2672CT-ND
  别名：FDMS2672CT
  
  规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 6V，10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 75V 50A D-PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 9A（Ta），50A（Tc） 135W（Tc） TO-252AA
  
  型号：FDD16AN08A0
  仓库库存编号：FDD16AN08A0CT-ND
  别名：FDD16AN08A0CT
  
  规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 6V，10V,
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• Texas Instruments
  MOSFET N-CH 100V 50A 8VSON
  详细描述：表面贴装 N 沟道 50A（Ta） 2.8W（Ta）, 83W（Tc） 8-VSON（3.3x3.3）
  
  型号：CSD19537Q3T
  仓库库存编号：296-42632-1-ND
  别名：296-42632-1
  
  规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 6V，10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 60V 10A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 10A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO
  
  型号：FDS5670
  仓库库存编号：FDS5670CT-ND
  别名：FDS5670CT
  
  规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 6V，10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 60V 23A TDSON-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 23A（Ta），100A（Tc） 2.5W（Ta），83W（Tc） PG-TDSON-8
  
  型号：BSC028N06NSATMA1
  仓库库存编号：BSC028N06NSATMA1CT-ND
  别名：BSC028N06NS
  BSC028N06NS-ND
  BSC028N06NSATMA1CT
  BSC028N06NSCT-ND
  
  规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 6V，10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 80V 90A TO252-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 90A（Tc） 150W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPD053N08N3GATMA1
  仓库库存编号：IPD053N08N3GATMA1CT-ND
  别名：IPD053N08N3GATMA1CT
  
  规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 6V，10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 150V 4.5A POWER56
  详细描述：表面贴装 N 沟道 4.5A（Ta），27A（Tc） 2.5W（Ta），78W（Tc） Power56
  
  型号：FDMS2572
  仓库库存编号：FDMS2572CT-ND
  别名：FDMS2572CT
  
  规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 6V，10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 90A TDSON-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 14.9A（Ta），90A（Tc） 125W（Tc） PG-TDSON-8
  
  型号：BSC060N10NS3GATMA1
  仓库库存编号：BSC060N10NS3GATMA1CT-ND
  别名：BSC060N10NS3 GCT
  BSC060N10NS3 GCT-ND
  BSC060N10NS3GATMA1CT-NDTR-ND
  
  规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 6V，10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 100A 8TDSON
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100A（Tc） 2.5W（Ta），139W（Tc） PG-TDSON-8
  
  型号：BSC040N10NS5ATMA1
  仓库库存编号：BSC040N10NS5ATMA1CT-ND
  别名：BSC040N10NS5ATMA1CT
  
  规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 6V，10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 80V 100A TDSON-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 18A（Ta），100A（Tc） 2.5W（Ta），125W（Tc） PG-TDSON-8
  
  型号：BSC047N08NS3GATMA1
  仓库库存编号：BSC047N08NS3GATMA1CT-ND
  别名：BSC047N08NS3 GCT
  BSC047N08NS3 GCT-ND
  BSC047N08NS3GATMA1CT-NDTR-ND
  
  规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 6V，10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 60V 75A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 75A（Tc） 99W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IRFB7546PBF
  仓库库存编号：IRFB7546PBF-ND
  别名：SP001560262
  
  规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 6V，10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 100A TO263-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100A（Tc） 214W（Tc） PG-TO263-3
  
  型号：IPB042N10N3 G
  仓库库存编号：IPB042N10N3 GCT-ND
  别名：IPB042N10N3 GCT
  
  规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 6V，10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 250V 2.3A PPAK SO-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 2.3A（Ta） 1.9W（Ta） PowerPAK? SO-8
  
  型号：SI7434DP-T1-GE3
  仓库库存编号：SI7434DP-T1-GE3CT-ND
  别名：SI7434DP-T1-GE3CT
  
  规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 6V，10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 100A TDSON-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 17A（Ta），100A（Tc） 156W（Tc） PG-TDSON-8
  
  型号：BSC046N10NS3GATMA1
  仓库库存编号：BSC046N10NS3GATMA1CT-ND
  别名：BSC046N10NS3GATMA1CT
  
  规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 6V，10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 60V 80A TO-263AB
  详细描述：表面贴装 N 沟道 18A（Ta），80A（Tc） 245W（Tc） D2PAK（TO-263AB）
  
  型号：FDB050AN06A0
  仓库库存编号：FDB050AN06A0CT-ND
  别名：FDB050AN06A0CT
  
  规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 6V，10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 75V 90A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 19A（Ta），90A（Tc） 310W（Tc） D2PAK（TO-263AB）
  
  型号：FDB045AN08A0
  仓库库存编号：FDB045AN08A0CT-ND
  别名：FDB045AN08A0CT
  
  规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 6V，10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 150V 79A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 8A（Ta），79A（Tc） 310W（Tc） D2PAK（TO-263AB）
  
  型号：FDB2532
  仓库库存编号：FDB2532CT-ND
  别名：FDB2532CT
  
  规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 6V，10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 75V 80A TO-263AB
  详细描述：表面贴装 N 沟道 16A（Ta），80A（Tc） 255W（Tc） D2PAK（TO-263AB）
  
  型号：FDB060AN08A0
  仓库库存编号：FDB060AN08A0CT-ND
  别名：FDB060AN08A0CT
  
  规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 6V，10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 250V 45A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 45A（Tc） 3.75W（Ta），375W（Tc） TO-263（D2Pak）
  
  型号：SUM45N25-58-E3
  仓库库存编号：SUM45N25-58-E3CT-ND
  别名：SUM45N25-58-E3CT
  
  规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 6V，10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 80V 120A TO263-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 120A（Tc） 300W（Tc） PG-TO263-2
  
  型号：IPB025N08N3 G
  仓库库存编号：IPB025N08N3 GCT-ND
  别名：IPB025N08N3 GCT
  
  规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 6V，10V,
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  MOSFET N-CH 100V 100A TO220-3
  详细描述：通孔 N 沟道 100A（Tc） 214W（Tc） PG-TO-220-3
  
  型号：IPP045N10N3GXKSA1
  仓库库存编号：IPP045N10N3GXKSA1-ND
  别名：IPP045N10N3 G
  IPP045N10N3 G-ND
  IPP045N10N3G
  SP000680794
  
  规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 6V，10V,
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• Texas Instruments
  MOSFET N-CH 100V 200A TO263
  详细描述：表面贴装 N 沟道 200A（Ta） 300W（Tc） DDPAK/TO-263-3
  
  型号：CSD19535KTTT
  仓库库存编号：296-41135-1-ND
  别名：296-41135-1
  
  规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 6V，10V,
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