规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
专业代理销售st(意法)全系列产品
关于我们
|
联系我们
库存查询
ST产品选型
产品
制造商
联系我们
美国1号分类选型
新加坡2号分类选型
英国10号分类选型
英国2号分类选型
日本5号分类选型
在本站结果里搜索:
热门搜索词:
电容器
Vicor
MXP7205VW
STM32F103C8T6
1379658-1
UVX
美国1号仓库
产品分类
(1451)
分立半导体产品
(1451)
筛选品牌
Vishay Semiconductor Diodes Division (11)
Vishay Siliconix (1440)
重新选择
规格选型正在加载中...
在结果中搜索词:
以下搜索结果
参考图片
制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
PDF
操作
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 600V 2.2A TO-262
详细描述:通孔 N 沟道 600V 2.2A(Tc) 3.1W(Ta),50W(Tc) I2PAK
型号:
IRFBC20L
仓库库存编号:
IRFBC20L-ND
别名:*IRFBC20L
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
含铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 600V 3.6A TO-262
详细描述:通孔 N 沟道 600V 3.6A(Tc) 3.1W(Ta),74W(Tc) I2PAK
型号:
IRFBC30L
仓库库存编号:
IRFBC30L-ND
别名:*IRFBC30L
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
含铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 600V 6.2A TO-262
详细描述:通孔 N 沟道 600V 6.2A(Tc) 3.1W(Ta),130W(Tc) I2PAK
型号:
IRFBC40L
仓库库存编号:
IRFBC40L-ND
别名:*IRFBC40L
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
含铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 900V 1.7A TO-262
详细描述:通孔 N 沟道 900V 1.7A(Tc) 3.1W(Ta),54W(Tc) I2PAK
型号:
IRFBF20L
仓库库存编号:
IRFBF20L-ND
别名:*IRFBF20L
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
含铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 500V 11A TO-262
详细描述:通孔 N 沟道 500V 11A(Tc) 190W(Tc) TO-262-3
型号:
IRFSL11N50A
仓库库存编号:
IRFSL11N50A-ND
别名:*IRFSL11N50A
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
含铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 200V 6.1A TO220FP
详细描述:通孔 P 沟道 200V 6.1A(Tc) 40W(Tc) TO-220-3
型号:
IRFI9640G
仓库库存编号:
IRFI9640G-ND
别名:*IRFI9640G
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
含铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 250V 4.1A TO220FP
详细描述:通孔 P 沟道 250V 4.1A(Tc) 35W(Tc) TO-220-3
型号:
IRFI9634G
仓库库存编号:
IRFI9634G-ND
别名:*IRFI9634G
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
含铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 5.6A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 5.6A(Tc) 3.7W(Ta),43W(Tc) D2PAK
型号:
IRF510STRL
仓库库存编号:
IRF510STRL-ND
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
含铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 5.6A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 5.6A(Tc) 3.7W(Ta),43W(Tc) D2PAK
型号:
IRF510STRR
仓库库存编号:
IRF510STRR-ND
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
含铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 9.2A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 9.2A(Tc) 3.7W(Ta),60W(Tc) D2PAK
型号:
IRF520S
仓库库存编号:
IRF520S-ND
别名:*IRF520S
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
含铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 9.2A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 9.2A(Tc) 3.7W(Ta),60W(Tc) D2PAK
型号:
IRF520STRL
仓库库存编号:
IRF520STRL-ND
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
含铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 9.2A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 9.2A(Tc) 3.7W(Ta),60W(Tc) D2PAK
型号:
IRF520STRR
仓库库存编号:
IRF520STRR-ND
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
含铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 14A TO-262
详细描述:通孔 N 沟道 100V 14A(Tc) TO-262
型号:
IRF530L
仓库库存编号:
IRF530L-ND
别名:*IRF530L
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
含铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 14A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 14A(Tc) 3.7W(Ta),88W(Tc) D2PAK
型号:
IRF530STRL
仓库库存编号:
IRF530STRL-ND
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
含铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 28A TO-262
详细描述:通孔 N 沟道 100V 28A(Tc) TO-262
型号:
IRF540L
仓库库存编号:
IRF540L-ND
别名:*IRF540L
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
含铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 200V 3.3A TO-262
详细描述:通孔 N 沟道 200V 3.3A(Tc) 3W(Ta),36W(Tc) TO-262
型号:
IRF610L
仓库库存编号:
IRF610L-ND
别名:*IRF610L
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
含铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 200V 3.3A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 200V 3.3A(Tc) 3W(Ta),36W(Tc) D2PAK
型号:
IRF610STRL
仓库库存编号:
IRF610STRL-ND
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
含铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 200V 3.3A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 200V 3.3A(Tc) 3W(Ta),36W(Tc) D2PAK
型号:
IRF610STRR
仓库库存编号:
IRF610STRR-ND
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
含铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 250V 2.7A TO-262
详细描述:通孔 N 沟道 250V 2.7A(Tc) TO-262
型号:
IRF614L
仓库库存编号:
IRF614L-ND
别名:*IRF614L
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
含铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 250V 2.7A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 250V 2.7A(Tc) 3.1W(Ta),36W(Tc) D2PAK
型号:
IRF614STRL
仓库库存编号:
IRF614STRL-ND
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
含铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 250V 2.7A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 250V 2.7A(Tc) 3.1W(Ta),36W(Tc) D2PAK
型号:
IRF614STRR
仓库库存编号:
IRF614STRR-ND
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
含铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 200V 5.2A TO-262
详细描述:通孔 N 沟道 200V 5.2A(Tc) I2PAK
型号:
IRF620L
仓库库存编号:
IRF620L-ND
别名:*IRF620L
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
含铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 200V 5.2A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 200V 5.2A(Tc) 3W(Ta),50W(Tc) D2PAK
型号:
IRF620STRL
仓库库存编号:
IRF620STRL-ND
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
含铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 200V 5.2A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 200V 5.2A(Tc) 3W(Ta),50W(Tc) D2PAK
型号:
IRF620STRR
仓库库存编号:
IRF620STRR-ND
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
含铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 250V 4.4A TO-262
详细描述:通孔 N 沟道 250V 4.4A(Tc) I2PAK
型号:
IRF624L
仓库库存编号:
IRF624L-ND
别名:*IRF624L
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
含铅
搜索
40
41
42
43
44
45
46
47
48
49
邮箱:
sales@szcwdz.com
Q Q:
800152669
手机网站:
m.szcwdz.com
美国1号品牌选型
新加坡2号品牌选型
英国2号品牌选型
英国10号品牌选型
日本5号品牌选型
st(意法)简介
|
st产品
|
st动态
|
产品应用
|
st选型手册
Copyright © 2017
www.st-ic.com
All Rights Reserved. 技术支持:
电子元器件
ICP备案证书号:
粤ICP备11103613号