规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
专业代理销售st(意法)全系列产品
关于我们
|
联系我们
库存查询
ST产品选型
产品
制造商
联系我们
美国1号分类选型
新加坡2号分类选型
英国10号分类选型
英国2号分类选型
日本5号分类选型
在本站结果里搜索:
热门搜索词:
电容器
Vicor
MXP7205VW
STM32F103C8T6
1379658-1
UVX
美国1号仓库
产品分类
(1451)
分立半导体产品
(1451)
筛选品牌
Vishay Semiconductor Diodes Division (11)
Vishay Siliconix (1440)
重新选择
规格选型正在加载中...
在结果中搜索词:
以下搜索结果
参考图片
制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
PDF
操作
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 250V 4.4A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 250V 4.4A(Tc) 3.1W(Ta),50W(Tc) D2PAK
型号:
IRF624STRL
仓库库存编号:
IRF624STRL-ND
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
含铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 250V 4.4A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 250V 4.4A(Tc) 3.1W(Ta),50W(Tc) D2PAK
型号:
IRF624STRR
仓库库存编号:
IRF624STRR-ND
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
含铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 200V 9A TO-262
详细描述:通孔 N 沟道 200V 9A(Tc) I2PAK
型号:
IRF630L
仓库库存编号:
IRF630L-ND
别名:*IRF630L
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
含铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 200V 9A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 200V 9A(Tc) 3W(Ta),74W(Tc) D2PAK(TO-263)
型号:
IRF630STRL
仓库库存编号:
IRF630STRL-ND
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
含铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 200V 9A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 200V 9A(Tc) 3W(Ta),74W(Tc) D2PAK(TO-263)
型号:
IRF630STRR
仓库库存编号:
IRF630STRR-ND
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
含铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 250V 8.1A TO-262
详细描述:通孔 N 沟道 250V 8.1A(Tc) I2PAK
型号:
IRF634L
仓库库存编号:
IRF634L-ND
别名:*IRF634L
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
含铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 250V 8.1A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 250V 8.1A(Tc) 3.1W(Ta),74W(Tc) D2PAK
型号:
IRF634STRL
仓库库存编号:
IRF634STRL-ND
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
含铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 250V 8.1A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 250V 8.1A(Tc) 3.1W(Ta),74W(Tc) D2PAK
型号:
IRF634STRR
仓库库存编号:
IRF634STRR-ND
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
含铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 200V 18A TO-262
详细描述:通孔 N 沟道 200V 18A(Tc) 3.1W(Ta),130W(Tc) I2PAK
型号:
IRF640L
仓库库存编号:
IRF640L-ND
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
含铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 200V 18A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 200V 18A(Tc) 3.1W(Ta),130W(Tc) D2PAK
型号:
IRF640STRL
仓库库存编号:
IRF640STRL-ND
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
含铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 200V 18A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 200V 18A(Tc) 3.1W(Ta),130W(Tc) D2PAK
型号:
IRF640STRR
仓库库存编号:
IRF640STRR-ND
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
含铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 250V 14A TO-262
详细描述:通孔 N 沟道 250V 14A(Tc) I2PAK
型号:
IRF644L
仓库库存编号:
IRF644L-ND
别名:*IRF644L
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
含铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 250V 14A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 250V 14A(Tc) 3.1W(Ta),125W(Tc) D2PAK
型号:
IRF644STRR
仓库库存编号:
IRF644STRR-ND
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
含铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 400V 2A TO-262
详细描述:通孔 N 沟道 400V 2A(Tc) I2PAK
型号:
IRF710L
仓库库存编号:
IRF710L-ND
别名:*IRF710L
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
含铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 400V 2A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 400V 2A(Tc) 3.1W(Ta),36W(Tc) D2PAK
型号:
IRF710STRL
仓库库存编号:
IRF710STRL-ND
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
含铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 400V 2A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 400V 2A(Tc) 3.1W(Ta),36W(Tc) D2PAK
型号:
IRF710STRR
仓库库存编号:
IRF710STRR-ND
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
含铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 400V 3.3A TO-262
详细描述:通孔 N 沟道 400V 3.3A(Tc) 3.1W(Ta),50W(Tc) I2PAK
型号:
IRF720L
仓库库存编号:
IRF720L-ND
别名:*IRF720L
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
含铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 400V 3.3A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 400V 3.3A(Tc) 3.1W(Ta),50W(Tc) D2PAK
型号:
IRF720STRL
仓库库存编号:
IRF720STRL-ND
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
含铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 400V 3.3A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 400V 3.3A(Tc) 3.1W(Ta),50W(Tc) D2PAK
型号:
IRF720STRR
仓库库存编号:
IRF720STRR-ND
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
含铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 400V 5.5A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 400V 5.5A(Tc) 74W(Tc) D2PAK
型号:
IRF730ASTRL
仓库库存编号:
IRF730ASTRL-ND
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
含铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 400V 5.5A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 400V 5.5A(Tc) 74W(Tc) D2PAK
型号:
IRF730ASTRR
仓库库存编号:
IRF730ASTRR-ND
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
含铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 400V 5.5A TO-262
详细描述:通孔 N 沟道 400V 5.5A(Tc) I2PAK
型号:
IRF730L
仓库库存编号:
IRF730L-ND
别名:*IRF730L
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
含铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 400V 5.5A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 400V 5.5A(Tc) 3.1W(Ta),74W(Tc) D2PAK
型号:
IRF730STRL
仓库库存编号:
IRF730STRL-ND
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
含铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 400V 5.5A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 400V 5.5A(Tc) 3.1W(Ta),74W(Tc) D2PAK
型号:
IRF730STRR
仓库库存编号:
IRF730STRR-ND
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
含铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 450V 4.9A TO-262
详细描述:通孔 N 沟道 450V 4.9A(Tc) I2PAK
型号:
IRF734L
仓库库存编号:
IRF734L-ND
别名:*IRF734L
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
含铅
搜索
41
42
43
44
45
46
47
48
49
50
邮箱:
sales@szcwdz.com
Q Q:
800152669
手机网站:
m.szcwdz.com
美国1号品牌选型
新加坡2号品牌选型
英国2号品牌选型
英国10号品牌选型
日本5号品牌选型
st(意法)简介
|
st产品
|
st动态
|
产品应用
|
st选型手册
Copyright © 2017
www.st-ic.com
All Rights Reserved. 技术支持:
电子元器件
ICP备案证书号:
粤ICP备11103613号