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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 55V 44A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 44A（Tc） 107W（Tc） D-Pak
  
  型号：IRFR1205TRPBF
  仓库库存编号：IRFR1205PBFCT-ND
  别名：*IRFR1205TRPBF
  IRFR1205PBFCT
  
  规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 250V 3.8A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 3.8A（Tc） 2.5W（Ta），42W（Tc） D-Pak
  
  型号：IRFR224TRPBF
  仓库库存编号：IRFR224PBFCT-ND
  别名：*IRFR224TRPBF
  IRFR224PBFCT
  
  规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 900V 1.7A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 1.7A（Tc） 2.5W（Ta），50W（Tc） D-Pak
  
  型号：FQD2N90TM
  仓库库存编号：FQD2N90TMCT-ND
  别名：FQD2N90TMCT
  
  规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 40V 70A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 70A（Tc） 79W（Tc） D-PAK（TO-252AA）
  
  型号：FDD8445
  仓库库存编号：FDD8445CT-ND
  别名：FDD8445CT
  
  规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 40V 90A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 90A（Tc） 158W（Tc） DPAK
  
  型号：BUK625R0-40C,118
  仓库库存编号：1727-5434-1-ND
  别名：1727-5434-1
  568-6901-1
  568-6901-1-ND
  
  规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET P-CH 150V 2.2A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 P 沟道 2.2A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO
  
  型号：IRF6216TRPBF
  仓库库存编号：IRF6216TRPBFCT-ND
  别名：IRF6216TRPBFCT
  
  规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET P-CH 150V 13A DPAK
  详细描述：表面贴装 P 沟道 13A（Tc） 110W（Tc） D-Pak
  
  型号：IRFR6215TRPBF
  仓库库存编号：IRFR6215TRPBFCT-ND
  别名：IRFR6215TRPBFCT
  
  规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 60V 56A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 56A（Tc） 110W（Tc） D-Pak
  
  型号：IRFR1018ETRPBF
  仓库库存编号：IRFR1018ETRPBFCT-ND
  别名：IRFR1018ETRPBFCT
  
  规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 150V 33A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 33A（Tc） 144W（Tc） D-Pak
  
  型号：IRFR4615TRLPBF
  仓库库存编号：IRFR4615TRLPBFCT-ND
  别名：IRFR4615TRLPBFCT
  
  规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 200V 13A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 13A（Tc） 110W（Tc） D-Pak
  
  型号：IRFR13N20DTRPBF
  仓库库存编号：IRFR13N20DPBFCT-ND
  别名：*IRFR13N20DTRPBF
  IRFR13N20DPBFCT
  
  规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 500V 4.5A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 4.5A（Tc） 50W（Tc） PG-TO252-3-1
  
  型号：SPD04N50C3ATMA1
  仓库库存编号：SPD04N50C3ATMA1CT-ND
  别名：SPD04N50C3ATMA1CT
  
  规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N CH 600V 7.4A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 7.4A（Tc） 89W（Tc） D-Pak
  
  型号：FCD600N60Z
  仓库库存编号：FCD600N60ZCT-ND
  别名：FCD600N60ZCT
  
  规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 40V 77A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 77A（Tc） 86W（Tc） D2PAK
  
  型号：PSMN8R0-40BS,118
  仓库库存编号：1727-7216-1-ND
  别名：1727-7216-1
  568-9707-1
  568-9707-1-ND
  
  规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N CH 60V 22A 8-SOP ADV
  详细描述：表面贴装 N 沟道 22A（Ta） 1.6W（Ta），45W（Tc） 8-SOP Advance（5x5）
  
  型号：TPH7R506NH,L1Q
  仓库库存编号：TPH7R506NHL1QCT-ND
  别名：TPH7R506NHL1QCT
  
  规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 120V 44A TDSON-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 8.6A（Ta），44A（Tc） 69W（Tc） PG-TDSON-8
  
  型号：BSC190N12NS3GATMA1
  仓库库存编号：BSC190N12NS3GATMA1CT-ND
  别名：BSC190N12NS3 GCT
  BSC190N12NS3 GCT-ND
  BSC190N12NS3GATMA1CT-NDTR-ND
  
  规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 600V 4.6A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 4.6A（Tc） 54W（Tc） D-Pak
  
  型号：FCD5N60TM
  仓库库存编号：FCD5N60TMCT-ND
  别名：FCD5N60TMCT
  
  规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 100V 32A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 32A（Tc） 86W（Tc） D2PAK
  
  型号：PSMN034-100BS,118
  仓库库存编号：1727-7211-1-ND
  别名：1727-7211-1
  568-9702-1
  568-9702-1-ND
  
  规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 525V 4.4A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 4.4A（Tc） 70W（Tc） DPAK
  
  型号：STD5N52U
  仓库库存编号：497-10017-1-ND
  别名：497-10017-1
  
  规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
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• ON Semiconductor
  MOSFET P-CH 60V 12A IPAK
  详细描述：通孔 P 沟道 12A（Ta） 55W（Tj） I-Pak
  
  型号：NTD2955-1G
  仓库库存编号：NTD2955-1GOS-ND
  别名：NTD2955-1G-ND
  NTD2955-1GOS
  NTD29551G
  
  规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET P-CH 60V 160MA TO92-3
  详细描述：通孔 P 沟道 160mA（Ta） 625mW（Ta） TO-92-3
  
  型号：ZVP3306A
  仓库库存编号：ZVP3306A-ND
  
  规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 150V 18A 8-SOP
  详细描述：表面贴装 N 沟道 18A（Ta） 1.6W（Ta），57W（Tc） 8-SOP Advance（5x5）
  
  型号：TPH3300CNH,L1Q
  仓库库存编号：TPH3300CNHL1QCT-ND
  别名：TPH3300CNH,L1QCT
  TPH3300CNH,L1QCT-ND
  TPH3300CNHL1QCT
  
  规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 200V 3.3A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 3.3A（Tc） 36W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IRF610PBF
  仓库库存编号：IRF610PBF-ND
  别名：*IRF610PBF
  
  规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 80V 10A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 10A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO
  
  型号：IRF7854TRPBF
  仓库库存编号：IRF7854TRPBFCT-ND
  别名：IRF7854TRPBFCT
  
  规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET P-CH 30V 22.5A TDSON-8
  详细描述：表面贴装 P 沟道 12A（Ta），22.5A（Tc） 2.5W（Ta），69W（Tc） PG-TDSON-8
  
  型号：BSC130P03LS G
  仓库库存编号：BSC130P03LS GINCT-ND
  别名：BSC130P03LS GINCT
  
  规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 200V 15.2A 8TDSON
  详细描述：表面贴装 N 沟道 15.2A（Tc） 62.5W（Tc） PG-TDSON-8
  
  型号：BSC900N20NS3 G
  仓库库存编号：BSC900N20NS3GCT-ND
  别名：BSC900N20NS3GCT
  
  规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
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