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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 600V 7A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 7A（Tc） 83W（Tc） D-Pak
  
  型号：FCD7N60TM
  仓库库存编号：FCD7N60TMCT-ND
  别名：FCD7N60TMCT
  
  规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 60V 74A LFPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 74A（Tc） 130W（Tc） LFPAK56，Power-SO8
  
  型号：PSMN4R0-60YS,115
  仓库库存编号：1727-2470-1-ND
  别名：1727-2470-1
  568-12855-1
  568-12855-1-ND
  
  规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 80V 9.3A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 9.3A（Tc） 2.5W（Tc） 8-SO
  
  型号：IRF7493TRPBF
  仓库库存编号：IRF7493PBFCT-ND
  别名：*IRF7493TRPBF
  IRF7493PBFCT
  
  规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 400V 5.6A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 5.6A（Tc） 60W（Tc） DPAK
  
  型号：STD9NM40N
  仓库库存编号：497-13426-1-ND
  别名：497-13426-1
  
  规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET P-CH 55V 19A D2PAK
  详细描述：表面贴装 P 沟道 19A（Tc） 3.8W（Ta），68W（Tc） D2PAK
  
  型号：IRF9Z34NSTRLPBF
  仓库库存编号：IRF9Z34NSTRLPBFCT-ND
  别名：IRF9Z34NSTRLPBFCT
  
  规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET P-CH 100V 0.14A TO92-3
  详细描述：通孔 P 沟道 140mA（Ta） 625mW（Ta） TO-92-3
  
  型号：ZVP3310A
  仓库库存编号：ZVP3310A-ND
  
  规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 600V 7A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 7A（Ta） 60W（Tc） DPAK
  
  型号：TK7P60W5,RVQ
  仓库库存编号：TK7P60W5RVQCT-ND
  别名：TK7P60W5RVQCT
  
  规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 200V 21A 8-SOP
  详细描述：表面贴装 N 沟道 13A（Ta） 1.6W（Ta），57W（Tc） 8-SOP Advance（5x5）
  
  型号：TPH6400ENH,L1Q
  仓库库存编号：TPH6400ENHL1QCT-ND
  别名：TPH6400ENH,L1QCT
  TPH6400ENH,L1QCT-ND
  TPH6400ENHL1QCT
  
  规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 60V 100A TO252-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100A（Tc） 167W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPD034N06N3 G
  仓库库存编号：IPD034N06N3 GINCT-ND
  别名：IPD034N06N3 GINCT
  
  规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET N-CH 60V 450MA TO92-3
  详细描述：通孔 N 沟道 450mA（Ta） 700mW（Ta） TO-92-3
  
  型号：ZVN2106A
  仓库库存编号：ZVN2106A-ND
  
  规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET N-CH 100V 320MA TO92-3
  详细描述：通孔 N 沟道 320mA（Ta） 700mW（Ta） TO-92-3
  
  型号：ZVN2110A
  仓库库存编号：ZVN2110A-ND
  
  规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 250V 10.9A 8TSDSON
  详细描述：表面贴装 N 沟道 10.9A（Tc） 62.5W（Tc） PG-TSDSON-8
  
  型号：BSZ16DN25NS3 G
  仓库库存编号：BSZ16DN25NS3GCT-ND
  别名：BSZ16DN25NS3GCT
  
  规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 60V 100A LFPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100A（Tc） 238W（Tc） LFPAK56，Power-SO8
  
  型号：BUK7Y4R8-60EX
  仓库库存编号：1727-1487-1-ND
  别名：1727-1487-1
  568-10967-1
  568-10967-1-ND
  
  规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 75V 56A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 56A（Tc） 140W（Tc） D-Pak
  
  型号：IRFR3607TRPBF
  仓库库存编号：IRFR3607TRPBFCT-ND
  别名：IRFR3607TRPBFCT
  
  规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 200V 24A TDSON-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 24A（Tc） 96W（Tc） PG-TDSON-8
  
  型号：BSC500N20NS3GATMA1
  仓库库存编号：BSC500N20NS3GATMA1CT-ND
  别名：BSC500N20NS3GATMA1CT
  
  规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N CH 100V 56A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 56A（Tc） 143W（Tc） D-Pak
  
  型号：IRFR4510TRPBF
  仓库库存编号：IRFR4510TRPBFCT-ND
  别名：IRFR4510TRPBFCT
  
  规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 200V 18A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 18A（Tc） 150W（Tc） D2PAK
  
  型号：IRF640NSTRLPBF
  仓库库存编号：IRF640NSTRLPBFCT-ND
  别名：IRF640NSTRLPBFCT
  
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 800V 6A 3TO252
  详细描述：表面贴装 N 沟道 6A（Ta） 83W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：SPD06N80C3ATMA1
  仓库库存编号：SPD06N80C3ATMA1CT-ND
  别名：SPD06N80C3ATMA1CT
  
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 800V 2.5A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 2.5A（Tc） 60W（Tc） DPAK
  
  型号：STD3N80K5
  仓库库存编号：497-14267-1-ND
  别名：497-14267-1
  
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 40V 42A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 42A（Tc） 90W（Tc） D-Pak
  
  型号：IRFR3504ZTRPBF
  仓库库存编号：IRFR3504ZPBFCT-ND
  别名：*IRFR3504ZTRPBF
  IRFR3504ZPBFCT
  
  规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 42A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 42A（Tc） 140W（Tc） D-Pak
  
  型号：IRFR3710ZTRPBF
  仓库库存编号：IRFR3710ZTRPBFCT-ND
  别名：IRFR3710ZTRPBFCT
  
  规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 250V 15A 8-SOP
  详细描述：表面贴装 N 沟道 10A（Ta） 1.6W（Ta），57W（Tc） 8-SOP Advance（5x5）
  
  型号：TPH1110FNH,L1Q
  仓库库存编号：TPH1110FNHL1QCT-ND
  别名：TPH1110FNH,L1QCT
  TPH1110FNH,L1QCT-ND
  TPH1110FNHL1QCT
  
  规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 100V 25A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 25A（Tc） 100W（Tc） D-Pak
  
  型号：STD26NF10
  仓库库存编号：497-7963-1-ND
  别名：497-7963-1
  
  规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 100V 1A 4-DIP
  详细描述：通孔 N 沟道 1A（Ta） 1.3W（Ta） 4-DIP，Hexdip，HVMDIP
  
  型号：IRFD110PBF
  仓库库存编号：IRFD110PBF-ND
  别名：*IRFD110PBF
  
  规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET N-CH 60V 270MA TO92-3
  详细描述：通孔 N 沟道 270mA（Ta） 625mW（Ta） TO-92-3
  
  型号：ZVN3306A
  仓库库存编号：ZVN3306A-ND
  
  规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
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