规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 60V 1.1A 4-DIP
详细描述:通孔 P 沟道 1.1A(Ta) 1.3W(Ta) 4-DIP,Hexdip,HVMDIP
型号:
IRFD9014PBF
仓库库存编号:
IRFD9014PBF-ND
别名:*IRFD9014PBF
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 22A WDSON-2
详细描述:表面贴装 N 沟道 22A(Ta),90A(Tc) 2.2W(Ta),78W(Tc) MG-WDSON-2,CanPAK M?
型号:
BSB028N06NN3 G
仓库库存编号:
BSB028N06NN3 GCT-ND
别名:BSB028N06NN3 GCT
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 100V 6.8A TO-220AB
详细描述:通孔 P 沟道 6.8A(Tc) 60W(Tc) TO-220AB
型号:
IRF9520PBF
仓库库存编号:
IRF9520PBF-ND
别名:*IRF9520PBF
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 200V 600MA 4-DIP
详细描述:通孔 N 沟道 600mA(Ta) 1W(Ta) 4-DIP,Hexdip,HVMDIP
型号:
IRFD210PBF
仓库库存编号:
IRFD210PBF-ND
别名:*IRFD210PBF
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 100V 1A 4-DIP
详细描述:通孔 P 沟道 1A(Ta) 1.3W(Ta) 4-DIP,Hexdip,HVMDIP
型号:
IRFD9120PBF
仓库库存编号:
IRFD9120PBF-ND
别名:*IRFD9120PBF
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 1A IPAK
详细描述:通孔 N 沟道 1A(Tc) 30W(Tc) I-Pak
型号:
STD1NK60-1
仓库库存编号:
497-12782-5-ND
别名:497-12782-5
STD1NK60-1-ND
STD1NK601
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 400V 3.3A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 3.3A(Tc) 50W(Tc) TO-220AB
型号:
IRF720PBF
仓库库存编号:
IRF720PBF-ND
别名:*IRF720PBF
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 10A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 10A(Tc) 43W(Tc) TO-220AB
型号:
IRFZ14PBF
仓库库存编号:
IRFZ14PBF-ND
别名:*IRFZ14PBF
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 60V 6.7A TO-220AB
详细描述:通孔 P 沟道 6.7A(Tc) 43W(Tc) TO-220AB
型号:
IRF9Z14PBF
仓库库存编号:
IRF9Z14PBF-ND
别名:*IRF9Z14PBF
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 500V 5A A.D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 5A(Tc) 73W(Tc) D2PAK(TO-263AB)
型号:
FQB5N50CTM
仓库库存编号:
FQB5N50CTMCT-ND
别名:FQB5N50CTMCT
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET P-CH 60V 2.4A TO220AB
详细描述:通孔 P 沟道 2.4A(Ta) 2.4W(Ta),62.5W(Tc) TO-220AB
型号:
NTP2955G
仓库库存编号:
NTP2955GOS-ND
别名:NTP2955G-ND
NTP2955GOS
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET P-CH 60V 9.4A IPAK
详细描述:通孔 P 沟道 9.4A(Tc) 2.5W(Ta),38W(Tc) I-Pak
型号:
FQU11P06TU
仓库库存编号:
FQU11P06TU-ND
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 200V 9.5A TO-220F
详细描述:通孔 N 沟道 9.5A(Tc) 38W(Tc) TO-220F
型号:
FQPF10N20C
仓库库存编号:
FQPF10N20CFS-ND
别名:FQPF10N20C-ND
FQPF10N20CFS
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET P-CH 200V 11.5A D2PAK
详细描述:表面贴装 P 沟道 11.5A(Tc) 3.13W(Ta),120W(Tc) D2PAK(TO-263AB)
型号:
FQB12P20TM
仓库库存编号:
FQB12P20TMCT-ND
别名:FQB12P20TMCT
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 55V 80A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 80A(Tc) 110W(Tc) D-Pak
型号:
STD60N55F3
仓库库存编号:
497-7972-1-ND
别名:497-7972-1
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 5.6A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 5.6A(Tc) 43W(Tc) TO-220AB
型号:
IRF510PBF
仓库库存编号:
IRF510PBF-ND
别名:*IRF510PBF
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 1.3A 4-DIP
详细描述:通孔 N 沟道 1.3A(Ta) 1.3W(Ta) 4-DIP,Hexdip,HVMDIP
型号:
IRFD120PBF
仓库库存编号:
IRFD120PBF-ND
别名:*IRFD120PBF
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET P-CH 100V 22A D2PAK
详细描述:表面贴装 P 沟道 22A(Tc) 3.75W(Ta),125W(Tc) D2PAK(TO-263AB)
型号:
FQB22P10TM
仓库库存编号:
FQB22P10TMCT-ND
别名:FQB22P10TMCT
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 950V 4A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 4A(Tc) 90W(Tc) DPAK
型号:
STD5N95K3
仓库库存编号:
497-10412-1-ND
别名:497-10412-1
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET P-CH 400V 2.7A DPAK
详细描述:表面贴装 P 沟道 2.7A(Tc) 2.5W(Ta),50W(Tc) D-Pak
型号:
FQD4P40TM
仓库库存编号:
FQD4P40TMCT-ND
别名:FQD4P40TM-ND
FQD4P40TMCT
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 33A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 33A(Tc) 130W(Tc) TO-220AB
型号:
IRF540NPBF
仓库库存编号:
IRF540NPBF-ND
别名:*IRF540NPBF
64-0092PBF
64-0092PBF-ND
SP001561906
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET P-CH 60V 12A IPAK
详细描述:通孔 P 沟道 12A(Tc) 2.5W(Ta),44W(Tc) I-Pak
型号:
FQU17P06TU
仓库库存编号:
FQU17P06TU-ND
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 9A TO-252
详细描述:表面贴装 N 沟道 9A(Tc) 83W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD60R385CPATMA1
仓库库存编号:
IPD60R385CPATMA1CT-ND
别名:IPD60R385CPATMA1CT
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 51A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 51A(Tc) 80W(Tc) D2PAK
型号:
IRFZ44ZSTRRPBF
仓库库存编号:
IRFZ44ZSTRRPBFCT-ND
别名:IRFZ44ZSTRRPBFCT
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 500V 10A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 10A(Tc) 85W(Tc) DPAK
型号:
STD12N50M2
仓库库存编号:
497-15307-1-ND
别名:497-15307-1
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
无铅
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