以下搜索结果

• 参考图片
• 制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
• PDF
• 操作

• 
  
• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 500V 53A ISOTOP
  详细描述：底座安装 N 沟道 53A（Tc） 460W（Tc） ISOTOP?
  
  型号：STE53NC50
  仓库库存编号：497-2776-5-ND
  别名：497-2776-5
  
  规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• IXYS
  MOSFET N-CH 2500V 1.5A TO-268HV
  详细描述：表面贴装 N 沟道 1.5A（Tc） 250W（Tc） TO-268
  
  型号：IXTT1N250HV
  仓库库存编号：IXTT1N250HV-ND
  别名：628949
  
  规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• IXYS
  MOSFET N-CH 150V 310A SOT227
  详细描述：底座安装 N 沟道 310A（Tc） 1070W（Tc） SOT-227B
  
  型号：IXFN360N15T2
  仓库库存编号：IXFN360N15T2-ND
  
  规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• IXYS
  MOSFET N-CH 70V 340A SOT-227B
  详细描述：底座安装 N 沟道 340A（Tc） 700W（Tc） SOT-227B
  
  型号：IXFN340N07
  仓库库存编号：IXFN340N07-ND
  
  规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• IXYS
  MOSFET N-CH 1KV 36A SOT-227B
  详细描述：底座安装 N 沟道 36A（Tc） 700W（Tc） SOT-227B
  
  型号：IXFN36N100
  仓库库存编号：IXFN36N100-ND
  
  规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET NCH 600V 2.6A SOT223
  详细描述：表面贴装 N 沟道 2.6A（Tc） 5W（Tc） PG-SOT223
  
  型号：IPN60R3K4CEATMA1
  仓库库存编号：IPN60R3K4CEATMA1CT-ND
  别名：IPN60R3K4CEATMA1CT
  
  规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 200V 600MA 6-TSOP
  详细描述：表面贴装 N 沟道 600mA（Ta） 2W（Ta） Micro6?（TSOP-6）
  
  型号：IRF5801TRPBF
  仓库库存编号：IRF5801TRPBFCT-ND
  别名：IRF5801TRPBFCT
  
  规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 150V 0.9A 6-TSOP
  详细描述：表面贴装 N 沟道 900mA（Ta） 2W（Ta） Micro6?（TSOP-6）
  
  型号：IRF5802TRPBF
  仓库库存编号：IRF5802TRPBFCT-ND
  别名：IRF5802TRPBFCT
  
  规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N-CH 500V 2.8A TO252
  详细描述：表面贴装 N 沟道 2.8A（Tc） 57W（Tc） TO-252，（D-Pak）
  
  型号：AOD3N50
  仓库库存编号：785-1175-1-ND
  别名：785-1175-1
  
  规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 40V 40A TSDSON-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 11A（Ta），40A（Tc） 2.1W（Ta），35W（Tc） PG-TSDSON-8
  
  型号：BSZ105N04NS G
  仓库库存编号：BSZ105N04NSGINCT-ND
  别名：BSZ105N04NSGINCT
  
  规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 600V 1.7A TO252-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 1.7A（Tc） 18.1W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPD60R3K3C6ATMA1
  仓库库存编号：IPD60R3K3C6ATMA1CT-ND
  别名：IPD60R3K3C6ATMA1CT
  
  规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 40V 31A TSDSON-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 8.9A（Ta），31A（Tc） 2.1W（Ta），25W（Tc） PG-TSDSON-8
  
  型号：BSZ165N04NS G
  仓库库存编号：BSZ165N04NSGINCT-ND
  别名：BSZ165N04NSGINCT
  
  规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 55V 5.1A SOT223
  详细描述：表面贴装 N 沟道 5.1A（Ta） 1W（Ta） SOT-223
  
  型号：IRFL024ZTRPBF
  仓库库存编号：IRFL024ZTRPBFCT-ND
  别名：IRFL024ZTRPBFCT
  
  规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 200V 0.96A SOT223
  详细描述：表面贴装 N 沟道 960mA（Tc） 2W（Ta），3.1W（Tc） SOT-223
  
  型号：IRFL210TRPBF
  仓库库存编号：IRFL210TRPBFCT-ND
  别名：*IRFL210TRPBF
  IRFL210PBFCT
  IRFL210PBFCT-ND
  IRFL210TRPBFCT
  
  规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 600V 0.4A TO-92
  详细描述：通孔 N 沟道 400mA（Tc） 3W（Tc） TO-92-3
  
  型号：STQ2NK60ZR-AP
  仓库库存编号：497-12345-3-ND
  别名：497-12345-3
  STQ2NK60ZRAP
  
  规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET P-CH 60V 1.9A SOT223
  详细描述：表面贴装 P 沟道 1.9A（Ta） 1.8W（Ta） PG-SOT223-4
  
  型号：BSP170PH6327XTSA1
  仓库库存编号：BSP170PH6327XTSA1CT-ND
  别名：BSP170PH6327XTSA1CT
  
  规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N CH 30V 20A 8SOP
  详细描述：表面贴装 N 沟道 20A（Tc） 1.6W（Ta），24W（Tc） 8-SOP Advance（5x5）
  
  型号：TPH8R903NL,LQ
  仓库库存编号：TPH8R903NLLQCT-ND
  别名：TPH8R903NLLQCT
  
  规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 60V 16.8A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 16.8A（Tc） 2.5W（Ta），38W（Tc） D-Pak
  
  型号：FQD20N06TM
  仓库库存编号：FQD20N06TMCT-ND
  别名：FQD20N06TMCT
  
  规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 250V 7.4A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 7.4A（Tc） 2.5W（Ta），55W（Tc） D-Pak
  
  型号：FQD9N25TM
  仓库库存编号：FQD9N25TMCT-ND
  别名：FQD9N25TMCT
  
  规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 600V DPAK-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 4A（Tc） 83W（Tc） D-Pak
  
  型号：FDD5N60NZTM
  仓库库存编号：FDD5N60NZTMCT-ND
  别名：FDD5N60NZTMCT
  
  规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET P-CH 100V 6.6A DPAK
  详细描述：表面贴装 P 沟道 6.6A（Tc） 2.5W（Ta），44W（Tc） D-Pak
  
  型号：FQD8P10TM
  仓库库存编号：FQD8P10TMCT-ND
  别名：FQD8P10TMCT
  
  规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 16A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 16A（Tc） 79W（Tc） D-Pak
  
  型号：IRFR3910TRPBF
  仓库库存编号：IRFR3910PBFCT-ND
  别名：*IRFR3910TRPBF
  IRFR3910PBFCT
  
  规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 60V 16A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 16A（Tc） 40W（Tc） DPAK
  
  型号：STD16NF06T4
  仓库库存编号：497-15667-1-ND
  别名：497-15667-1
  
  规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 500V 0.35A TO-92-3
  详细描述：通孔 N 沟道 350mA（Tc） 1.5W（Tc） TO-92-3
  
  型号：FQNL2N50BTA
  仓库库存编号：FQNL2N50BTACT-ND
  别名：FQNL2N50BTACT
  
  规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 60V 14A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 14A（Tc） 2.5W（Ta），42W（Tc） D-Pak
  
  型号：IRFR024TRPBF
  仓库库存编号：IRFR024PBFCT-ND
  别名：*IRFR024TRPBF
  IRFR024PBFCT
  
  规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
• 无铅
• 搜索