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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 80V 40A 8TSON
  详细描述：表面贴装 N 沟道 18A（Tc） 700mW（Ta），42W（Tc） 8-TSON Advance（3.3x3.3）
  
  型号：TPN13008NH,L1Q
  仓库库存编号：TPN13008NHL1QCT-ND
  别名：TPN13008NHL1QCT
  
  规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 33A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 33A（Tc） 57W（Tc） D-Pak
  
  型号：IRFR3303TRPBF
  仓库库存编号：IRFR3303PBFCT-ND
  别名：*IRFR3303TRPBF
  IRFR3303PBFCT
  
  规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 55V 27A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 27A（Tc） 68W（Tc） D-Pak
  
  型号：IRFR4105TRPBF
  仓库库存编号：IRFR4105PBFCT-ND
  别名：*IRFR4105TRPBF
  IRFR4105PBFCT
  
  规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 200V 7A 8TDSON
  详细描述：表面贴装 N 沟道 7A（Tc） 34W（Tc） PG-TDSON-8
  
  型号：BSC22DN20NS3 G
  仓库库存编号：BSC22DN20NS3 GCT-ND
  别名：BSC22DN20NS3 GCT
  
  规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 55V 30A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30A（Tc） 48W（Tc） D-Pak
  
  型号：IRFR4105ZTRPBF
  仓库库存编号：IRFR4105ZTRPBFCT-ND
  别名：*IRFR4105ZTRPBF
  IRFR4105ZPBFCT
  IRFR4105ZPBFCT-ND
  
  规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 200V 9.4A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 9.4A（Tc） 86W（Tc） D-Pak
  
  型号：IRFR9N20DTRPBF
  仓库库存编号：IRFR9N20DTRPBFCT-ND
  别名：IRFR9N20DTRPBFCT
  
  规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 300V 5.5A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 5.5A（Tc） 2.5W（Ta），50W（Tc） D-Pak
  
  型号：FQD7N30TM
  仓库库存编号：FQD7N30TMCT-ND
  别名：FQD7N30TMCT
  
  规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 50V 16A TO-252AA
  详细描述：表面贴装 N 沟道 16A（Tc） 72W（Tc） TO-252AA
  
  型号：RFD16N05SM9A
  仓库库存编号：RFD16N05SM9ACT-ND
  别名：RFD16N05SM9ACT
  
  规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 60V 43A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 43A（Tc） 71W（Tc） D-Pak
  
  型号：IRFR3806TRPBF
  仓库库存编号：IRFR3806TRPBFCT-ND
  别名：IRFR3806TRPBFCT
  
  规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 400V 500MA SOT-223
  详细描述：N 沟道 500mA（Ta） 1.8W（Ta） PG-SOT223-4
  
  型号：BSP298H6327XUSA1
  仓库库存编号：BSP298H6327XUSA1CT-ND
  别名：BSP298H6327XUSA1CT
  
  规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 600V 7.3A TO252
  详细描述：表面贴装 N 沟道 7.3A（Tc） 63W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPD60R600P6ATMA1
  仓库库存编号：IPD60R600P6ATMA1CT-ND
  别名：IPD60R600P6ATMA1CT
  
  规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 150V 3.6A 8SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 3.6A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO
  
  型号：IRF7451TRPBF
  仓库库存编号：IRF7451PBFCT-ND
  别名：*IRF7451TRPBF
  IRF7451PBFCT
  
  规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 500V DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 4A（Tc） 62W（Tc） TO-252，（D-Pak）
  
  型号：FDD5N50NZTM
  仓库库存编号：FDD5N50NZTMCT-ND
  别名：FDD5N50NZTMCT
  
  规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 200V 11.3A 8TDSON
  详细描述：表面贴装 N 沟道 11.3A（Tc） 50W（Tc） PG-TDSON-8
  
  型号：BSC12DN20NS3 G
  仓库库存编号：BSC12DN20NS3GCT-ND
  别名：BSC12DN20NS3GCT
  
  规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 600V 8THINPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 6.7A（Tc） 56.8W（Tc） 8-ThinPak（5x6）
  
  型号：IPL60R650P6SATMA1
  仓库库存编号：IPL60R650P6SATMA1CT-ND
  别名：IPL60R650P6SATMA1CT
  
  规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 500V 5.5A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 5.5A（Tc） 89W（Tc） D-Pak
  
  型号：FDD6N50FTM
  仓库库存编号：FDD6N50FTMCT-ND
  别名：FDD6N50FTMCT
  
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 40V 42A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 42A（Tc） 140W（Tc） D-Pak
  
  型号：IRFR4104TRPBF
  仓库库存编号：IRFR4104PBFCT-ND
  别名：*IRFR4104TRPBF
  IRFR4104PBFCT
  
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 600V 3.9A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 3.9A（Tc） 50W（Tc） D-Pak
  
  型号：FCD4N60TM
  仓库库存编号：FCD4N60TMCT-ND
  别名：FCD4N60TMCT
  
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 100V 7A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 7A（Ta） 50W（Tc） DPAK+
  
  型号：TK7S10N1Z,LQ
  仓库库存编号：TK7S10N1ZLQCT-ND
  别名：TK7S10N1ZLQCT
  
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• Infineon Technologies
  MOSFET P-CH 60V 30A TO252-3
  详细描述：表面贴装 P 沟道 30A（Tc） 125W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：SPD30P06P G
  仓库库存编号：SPD30P06P GCT-ND
  别名：SPD30P06P GCT
  
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 6.9A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 6.9A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO
  
  型号：IRF7473TRPBF
  仓库库存编号：IRF7473PBFCT-ND
  别名：*IRF7473TRPBF
  IRF7473PBFCT
  
  规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 4.2A DIRECTFET
  详细描述：表面贴装 N 沟道 4.2A（Ta），19A（Tc） 2.2W（Ta），42W（Tc） DIRECTFET? SH
  
  型号：IRF6655TRPBF
  仓库库存编号：IRF6655TRPBFCT-ND
  别名：IRF6655TRPBFCT
  
  规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 600V 2.8A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 2.8A（Tc） 2.5W（Ta），49W（Tc） D-Pak
  
  型号：FQD5N60CTM
  仓库库存编号：FQD5N60CTMCT-ND
  别名：FQD5N60CTMCT
  
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  MOSFET N-CH 200V 2.5A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 2.5A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO
  
  型号：IRF7450TRPBF
  仓库库存编号：IRF7450PBFCT-ND
  别名：*IRF7450TRPBF
  IRF7450PBFCT
  
  规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 200V 15.2A 8TSDSON
  详细描述：表面贴装 N 沟道 15.2A（Tc） 62.5W（Tc） PG-TSDSON-8
  
  型号：BSZ900N20NS3 G
  仓库库存编号：BSZ900N20NS3GCT-ND
  别名：BSZ900N20NS3GCT
  
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