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Microchip Technology
MOSFET N-CH 350V 500MA TO220-3
详细描述:通孔 N 沟道 500mA(Tj) 15W(Tc) TO-220-3
型号:
DN2535N5-G
仓库库存编号:
DN2535N5-G-ND
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 0V,
无铅
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Microchip Technology
MOSFET N-CH 500V 350MA 3DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 350mA(Tj) 2.5W(Ta) TO-252,(D-Pak)
型号:
DN2450K4-G
仓库库存编号:
DN2450K4-GCT-ND
别名:DN2450K4-GCT
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 0V,
无铅
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Microchip Technology
MOSFET N-CH 90V 360MA SOT89-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 360mA(Tj) 1.6W(Ta) TO-243AA(SOT-89)
型号:
DN1509N8-G
仓库库存编号:
DN1509N8-GCT-ND
别名:DN1509N8-GCT
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 0V,
无铅
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IXYS Integrated Circuits Division
MOSFET N-CH 250V SOT-223
详细描述:表面贴装 N 沟道 1.8W(Tc) SOT-223
型号:
CPC3902ZTR
仓库库存编号:
CLA4156-1-ND
别名:CLA4156-1
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 0V,
无铅
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IXYS Integrated Circuits Division
MOSFET N-CH 400V SOT-223
详细描述:表面贴装 N 沟道 300mA(Ta) 2.5W(Ta) SOT-223
型号:
CPC3909ZTR
仓库库存编号:
CLA4157-1-ND
别名:CLA4157-1
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 0V,
无铅
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Microchip Technology
MOSFET N-CH 700V 0.17A 3DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 170mA(Tj) 2.5W(Ta) TO-252,(D-Pak)
型号:
DN2470K4-G
仓库库存编号:
DN2470K4-GCT-ND
别名:DN2470K4-GCT
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 0V,
无铅
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IXYS Integrated Circuits Division
MOSFET N-CH 400V SOT-89
详细描述:表面贴装 N 沟道 300mA(Ta) 1.1W(Ta) SOT-89
型号:
CPC3909CTR
仓库库存编号:
CLA4161-1-ND
别名:CLA4161-1
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 0V,
无铅
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Microchip Technology
MOSFET N-CH 500V 0.013A SOT23-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 13mA(Tj) 360mW(Ta) SOT-23(TO-236AB)
型号:
LND250K1-G
仓库库存编号:
LND250K1-G-ND
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 0V,
无铅
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IXYS Integrated Circuits Division
MOSFET N-CH 250V SOT89
详细描述:表面贴装 N 沟道 1.4W(Ta) SOT-89
型号:
CPC3710CTR
仓库库存编号:
CPC3710CTR-ND
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 0V,
无铅
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IXYS Integrated Circuits Division
MOSFET N-CH 60V SOT89
详细描述:表面贴装 N 沟道 1.1W(Ta) SOT-89
型号:
CPC3701CTR
仓库库存编号:
CPC3701CTR-ND
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 0V,
无铅
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IXYS Integrated Circuits Division
MOSFET N-CH 250V TO-243AA
详细描述:表面贴装 N 沟道 1.8W(Ta) SOT-89
型号:
CPC3902CTR
仓库库存编号:
CPC3902CTR-ND
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 0V,
无铅
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Microchip Technology
MOSFET N-CH 500V 30MA TO92-3
详细描述:通孔 N 沟道 30mA(Tj) 740mW(Ta) TO-92-3
型号:
LND150N3-G-P002
仓库库存编号:
LND150N3-G-P002-ND
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 0V,
无铅
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Microchip Technology
MOSFET N-CH 500V 30MA TO92-3
详细描述:通孔 N 沟道 30mA(Tj) 740mW(Ta) TO-92-3
型号:
LND150N3-G-P003
仓库库存编号:
LND150N3-G-P003-ND
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 0V,
无铅
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Microchip Technology
MOSFET N-CH 500V 30MA TO92-3
详细描述:通孔 N 沟道 30mA(Tj) 740mW(Ta) TO-92-3
型号:
LND150N3-G-P013
仓库库存编号:
LND150N3-G-P013-ND
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 0V,
无铅
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Microchip Technology
MOSFET N-CH 500V 30MA TO92-3
详细描述:通孔 N 沟道 30mA(Tj) 740mW(Ta) TO-92-3
型号:
LND150N3-G-P014
仓库库存编号:
LND150N3-G-P014-ND
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 0V,
无铅
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Microchip Technology
MOSFET N-CH 350V 0.12A TO92-3
详细描述:通孔 N 沟道 120mA(Tj) 1W(Tc) TO-92(TO-226)
型号:
DN2535N3-G-P003
仓库库存编号:
DN2535N3-G-P003-ND
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 0V,
无铅
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Microchip Technology
MOSFET N-CH 350V 0.12A TO92-3
详细描述:通孔 N 沟道 120mA(Tj) 1W(Tc) TO-92(TO-226)
型号:
DN2535N3-G-P013
仓库库存编号:
DN2535N3-G-P013-ND
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 0V,
无铅
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Microchip Technology
MOSFET N-CH 400V 0.12A TO92-3
详细描述:通孔 N 沟道 120mA(Tj) 1W(Tc) TO-92(TO-226)
型号:
DN2540N3-G-P003
仓库库存编号:
DN2540N3-G-P003-ND
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 0V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 1000V 0.1A TO-251
详细描述:通孔 N 沟道 100mA(Tc) 1.1W(Ta),25W(Tc) TO-251
型号:
IXTU01N100D
仓库库存编号:
IXTU01N100D-ND
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 0V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 100V 16A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 100V 16A(Tc) 830W(Tc) TO-247(IXTH)
型号:
IXTH16N10D2
仓库库存编号:
IXTH16N10D2-ND
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 0V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 500V 16A TO-268
详细描述:表面贴装 N 沟道 500V 16A(Tc) 695W(Tc) TO-268
型号:
IXTT16N50D2
仓库库存编号:
IXTT16N50D2-ND
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 0V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 500V 16A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 500V 16A(Tc) 695W(Tc) TO-247-3
型号:
IXTH16N50D2
仓库库存编号:
IXTH16N50D2-ND
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 0V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 100V 16A TO-268
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 16A(Tc) 830W(Tc) TO-268
型号:
IXTT16N10D2
仓库库存编号:
IXTT16N10D2-ND
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 0V,
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IXYS
MOSFET N-CH 1700V 2A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 1700V 2A(Tj) 568W(Tc) TO-247(IXTH)
型号:
IXTH2N170D2
仓库库存编号:
IXTH2N170D2-ND
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 0V,
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IXYS Integrated Circuits Division
MOSFET N-CH 60V SOT89
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 1.1W(Ta) SOT-89
型号:
CPC3701C
仓库库存编号:
CPC3701C-ND
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 0V,
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