规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 71A TDSON-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 10.6A(Ta),71A(Tc) 114W(Tc) PG-TDSON-8
型号:
BSC123N10LSGATMA1
仓库库存编号:
BSC123N10LSGATMA1CT-ND
别名:BSC123N10LS GCT
BSC123N10LS GCT-ND
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V,
无铅
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Microchip Technology
MOSFET N-CH 60V 350MA TO92-3
详细描述:通孔 N 沟道 350mA(Tj) 1W(Tc) TO-92-3
型号:
TN0106N3-G
仓库库存编号:
TN0106N3-G-ND
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 40V 100A LFPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 100A(Tc) 238W(Tc) LFPAK56,Power-SO8
型号:
PSMN1R4-40YLDX
仓库库存编号:
1727-1857-1-ND
别名:1727-1857-1
568-11553-1
568-11553-1-ND
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 27.5A PPAK SO-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 27.5A(Tc) 5W(Ta),35.7W(Tc) PowerPAK? SO-8
型号:
SI7456CDP-T1-GE3
仓库库存编号:
SI7456CDP-T1-GE3CT-ND
别名:SI7456CDP-T1-GE3CT
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V 7A 8-PQFN
详细描述:表面贴装 N 沟道 7A(Ta),22A(Tc) 2.5W(Ta),69W(Tc) 8-PQFN(5x6),Power56
型号:
FDMS86102LZ
仓库库存编号:
FDMS86102LZCT-ND
别名:FDMS86102LZCT
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET P-CH 40V 8-SOIC
详细描述:表面贴装 P 沟道 11A(Ta) 2.4W(Ta) 8-SOIC
型号:
FDS4675_F085
仓库库存编号:
FDS4675_F085CT-ND
别名:FDS4675_F085CT
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V SO8FL
详细描述:表面贴装 N 沟道 3.7W(Ta), 110W(Tc) 5-DFN(5x6)(8-SOFL)
型号:
NTMFS5C628NLT1G
仓库库存编号:
NTMFS5C628NLT1GOSCT-ND
别名:NTMFS5C628NLT1GOSCT
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 40V 15A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 15A(Ta),50A(Tc) 3.1W(Ta),60W(Tc) D2PAK(TO-263AB)
型号:
FDB8447L
仓库库存编号:
FDB8447LCT-ND
别名:FDB8447LCT
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET P-CH 60V 6.8A DPAK
详细描述:表面贴装 P 沟道 6.8A(Ta) 2.15W(Ta) TO-252-3
型号:
ZXMP6A18KTC
仓库库存编号:
ZXMP6A18KTCCT-ND
别名:ZXMP6A18KTCCT
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 25V 38A TDSON-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 38A(Ta),100A(Tc) 2.5W(Ta),96W(Tc) PG-TDSON-8
型号:
BSC010NE2LSI
仓库库存编号:
BSC010NE2LSICT-ND
别名:BSC010NE2LSICT
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 80V 60A PPAK SO-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 60A(Tc) 5.4W(Ta),83W(Tc) PowerPAK? SO-8
型号:
SIR880ADP-T1-GE3
仓库库存编号:
SIR880ADP-T1-GE3CT-ND
别名:SIR880ADP-T1-GE3CT
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 100A TDSON-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 31A(Ta),100A(Tc) 2.5W(Ta),139W(Tc) PG-TDSON-8
型号:
BSC016N04LS G
仓库库存编号:
BSC016N04LS GCT-ND
别名:BSC016N04LS GCT
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 25V LFPAK56
详细描述:表面贴装 N 沟道 300A(Tc) 158W(Tc) LFPAK56,Power-SO8
型号:
PSMN0R7-25YLDX
仓库库存编号:
1727-2514-1-ND
别名:1727-2514-1
568-12952-1
568-12952-1-ND
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 12V 60A PPAK SO-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 60A(Tc) 6.25W(Ta),104W(Tc) PowerPAK? SO-8
型号:
SIR494DP-T1-GE3
仓库库存编号:
SIR494DP-T1-GE3CT-ND
别名:SIR494DP-T1-GE3CT
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 62A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 62A(Tc) 65W(Tc) TO-220AB
型号:
IRLB8721PBF
仓库库存编号:
IRLB8721PBF-ND
别名:SP001558140
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V,
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 60V 7A TO220
详细描述:通孔 N 沟道 7A(Ta),23A(Tc) 2.1W(Ta),41.5W(Tc) TO-220
型号:
AOT2618L
仓库库存编号:
785-1438-5-ND
别名:785-1438-5
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V,
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 100A PPAK SO-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 100A(Tc) 6.25W(Ta),104W(Tc) PowerPAK? SO-8
型号:
SIRA00DP-T1-GE3
仓库库存编号:
SIRA00DP-T1-GE3CT-ND
别名:SIRA00DP-T1-GE3CT
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 100A TDSON-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 38A(Ta),100A(Tc) 2.5W(Ta),139W(Tc) PG-TDSON-8 FL
型号:
BSC010N04LSATMA1
仓库库存编号:
BSC010N04LSATMA1CT-ND
别名:BSC010N04LSATMA1CT
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 100A TDSON-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 23A(Ta),100A(Tc) 2.5W(Ta),139W(Tc) PG-TDSON-8
型号:
BSC028N06LS3GATMA1
仓库库存编号:
BSC028N06LS3GATMA1CT-ND
别名:BSC028N06LS3 GCT
BSC028N06LS3 GCT-ND
BSC028N06LS3GATMA1CT-NDTR-ND
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 100A 8TDSON
详细描述:表面贴装 N 沟道 13.8A(Ta),100A(Tc) 156W(Tc) PG-TDSON-8
型号:
BSC082N10LSGATMA1
仓库库存编号:
BSC082N10LSGATMA1CT-ND
别名:BSC082N10LS GCT
BSC082N10LS GCT-ND
BSC082N10LSGATMA1CT-NDTR-ND
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 30V 100A TO220AB
详细描述:通孔 N 沟道 100A(Tc) 103W(Tc) TO-220AB
型号:
PSMN4R3-30PL,127
仓库库存编号:
1727-4266-ND
别名:1727-4266
568-4897-5
568-4897-5-ND
934063918127
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V,
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 25V 40A POWER33
详细描述:表面贴装 N 沟道 24A(Ta),40A(Tc) 3W(Ta),60W(Tc) Dual Cool ? 33
型号:
FDMC2514SDC
仓库库存编号:
FDMC2514SDCCT-ND
别名:FDMC2514SDCCT
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V,
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Toshiba Semiconductor and Storage
X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR
详细描述:表面贴装 N 沟道 300A(Tc) 960mW(Ta), 170W(Tc) 8-DSOP Advance
型号:
TPW1R005PL,L1Q
仓库库存编号:
TPW1R005PLL1QCT-ND
别名:TPW1R005PLL1QCT
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 35A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 35A(Tc) 85W(Tc) TO-220AB
型号:
HUF76423P3
仓库库存编号:
HUF76423P3FS-ND
别名:HUF76423P3-ND
HUF76423P3FS
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 20V 60A PPAK SO-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 60A(Tc) 5.4W(Ta),83W(Tc) PowerPAK? SO-8
型号:
SIR866DP-T1-GE3
仓库库存编号:
SIR866DP-T1-GE3CT-ND
别名:SIR866DP-T1-GE3CT
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V,
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