规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V,
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 30V 100A I2PAK
详细描述:通孔 N 沟道 100A(Tc) 300W(Tc) I2PAK
型号:
STB100NF03L-03-1
仓库库存编号:
497-15805-5-ND
别名:497-15805-5
STB100NF03L-03-1-ND
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 195A TO-247AC
详细描述:通孔 N 沟道 195A(Tc) 341W(Tc) TO-247AC
型号:
IRLP3034PBF
仓库库存编号:
IRLP3034PBF-ND
别名:SP001574042
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 30V 0.76A SOT-23-3
详细描述:表面贴装 P 沟道 760mA(Ta) 540mW(Ta) Micro3?/SOT-23
型号:
IRLML5103GTRPBF
仓库库存编号:
IRLML5103GTRPBFCT-ND
别名:IRLML5103GTRPBFCT
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 30V 3.8A 6-TSOP
详细描述:表面贴装 P 沟道 3.8A(Ta) 2W(Ta) Micro6?(TSOP-6)
型号:
IRF5805TRPBF
仓库库存编号:
IRF5805TRPBFCT-ND
别名:IRF5805TRPBFCT
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 30V 7A POWERDI
详细描述:表面贴装 N 沟道 7A(Ta) 1W(Ta) PowerDI3333-8
型号:
DMG7408SFG-7
仓库库存编号:
DMG7408SFG-7DICT-ND
别名:DMG7408SFG-7DICT
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V,
无铅
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Rohm Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 15A HSMT8
详细描述:表面贴装 N 沟道 15A(Ta) 2W(Ta) 8-HSMT(3.2x3)
型号:
RQ3E150BNTB
仓库库存编号:
RQ3E150BNTBCT-ND
别名:RQ3E150BNTBCT
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 30V PWRDI3333-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 5.3A(Ta) 900mW(Ta) PowerDI3333-8
型号:
DMN3030LFG-7
仓库库存编号:
DMN3030LFG-7DICT-ND
别名:DMN3030LFG-7DICT
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 7A PPAK SC75-6L
详细描述:表面贴装 N 沟道 7A(Tc) 2.4W(Ta),13W(Tc) PowerPAK? SC-75-6L 单
型号:
SIB408DK-T1-GE3
仓库库存编号:
SIB408DK-T1-GE3CT-ND
别名:SIB408DK-T1-GE3CT
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V,
无铅
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Rohm Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 18A 8HSOP
详细描述:表面贴装 N 沟道 60A(Tc) 3W(Ta),25W(Tc) 8-HSOP
型号:
RS1E180BNTB
仓库库存编号:
RS1E180BNTBCT-ND
别名:RS1E180BNTBCT
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 30V 10A 8SO
详细描述:表面贴装 N 沟道 10A(Ta) 1.42W(Ta) 8-SO
型号:
DMG4466SSSL-13
仓库库存编号:
DMG4466SSSL-13DICT-ND
别名:DMG4466SSSL-13DICT
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 30A TO252-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 30A(Tc) 31W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD30N03S4L14ATMA1
仓库库存编号:
IPD30N03S4L14ATMA1CT-ND
别名:IPD30N03S4L-14CT
IPD30N03S4L-14CT-ND
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 39A TDSON-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 12A(Ta),39A(Tc) 2.5W(Ta),28W(Tc) PG-TDSON-8
型号:
BSC120N03LSGATMA1
仓库库存编号:
BSC120N03LSGATMA1CT-ND
别名:BSC120N03LSGATMA1CT-NDTR-ND
BSC120N03LSGINCT
BSC120N03LSGINCT-ND
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 11A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 11A(Ta) 2.5W(Ta) 8-SO
型号:
IRF8707GTRPBF
仓库库存编号:
IRF8707GTRPBFCT-ND
别名:IRF8707GTRPBFCT
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V D-S PPAK SO-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 16A(Ta) PowerPAK? SO-8
型号:
SIRA16DP-T1-GE3
仓库库存编号:
SIRA16DP-T1-GE3CT-ND
别名:SIRA16DP-T1-GE3CT
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 7.3A 8WDFN
详细描述:表面贴装 N 沟道 7.3A(Ta),37A(Tc) 810mW(Ta),20.8W(Tc) 8-WDFN(3.3x3.3)
型号:
NTTFS4928NTAG
仓库库存编号:
NTTFS4928NTAGOSCT-ND
别名:NTTFS4928NTAGOSCT
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 48A TDSON-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 12A(Ta),48A(Tc) 2.5W(Ta),32W(Tc) PG-TDSON-8
型号:
BSC090N03MSGATMA1
仓库库存编号:
BSC090N03MSGATMA1CT-ND
别名:BSC090N03MSGATMA1CT-NDTR-ND
BSC090N03MSGINCT
BSC090N03MSGINCT-ND
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 48A TDSON-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 13A(Ta),48A(Tc) 2.5W(Ta),32W(Tc) PG-TDSON-8
型号:
BSC090N03LSGATMA1
仓库库存编号:
BSC090N03LSGATMA1CT-ND
别名:BSC090N03LSGATMA1CT-NDTR-ND
BSC090N03LSGINCT
BSC090N03LSGINCT-ND
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V,
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 18A PPAK SO-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 18A(Tc) 3.3W(Ta),14.7W(Tc) PowerPAK? SO-8
型号:
SIR472ADP-T1-GE3
仓库库存编号:
SIR472ADP-T1-GE3CT-ND
别名:SIR472ADP-T1-GE3CT
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N CH 30V 18A 8SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 18A(Tc) 3.1W(Ta) 8-SOIC
型号:
AO4494
仓库库存编号:
785-1291-1-ND
别名:785-1291-1
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V,
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 30V 20A TSON
详细描述:表面贴装 N 沟道 20A(Tc) 700mW(Ta),22W(Tc) 8-TSON Advance(3.3x3.3)
型号:
TPN8R903NL,LQ
仓库库存编号:
TPN8R903NLLQCT-ND
别名:TPN8R903NLLQCT
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 25V 81A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 81A(Tc) 63W(Tc) D-Pak
型号:
IRLR8256TRPBF
仓库库存编号:
IRLR8256TRPBFCT-ND
别名:IRLR8256TRPBFCT
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 6-MLP 2X2
详细描述:表面贴装 N 沟道 11A(Ta) 2.4W(Ta) 6-MicroFET(2x2)
型号:
FDMA7670
仓库库存编号:
FDMA7670CT-ND
别名:FDMA7670CT
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 40A TSDSON-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 15A(Ta),40A(Tc) 2.1W(Ta),45W(Tc) PG-TSDSON-8
型号:
BSZ058N03LS G
仓库库存编号:
BSZ058N03LSGINCT-ND
别名:BSZ058N03LSGINCT
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 80A TDSON-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 16A(Ta),80A(Tc) 2.5W(Ta),50W(Tc) PG-TDSON-8
型号:
BSC050N03MSGATMA1
仓库库存编号:
BSC050N03MSGATMA1CT-ND
别名:BSC050N03MSGATMA1CT-NDTR-ND
BSC050N03MSGINCT
BSC050N03MSGINCT-ND
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 70A TO252-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 70A(Tc) 68W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD70N03S4L-04
仓库库存编号:
IPD70N03S4L-04CT-ND
别名:IPD70N03S4L-04CT
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V,
无铅
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