规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V,
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 40A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 11A(Ta),40A(Tc) 40W(Tc) TO-252AA
型号:
FDD8878
仓库库存编号:
FDD8878CT-ND
别名:FDD8878CT
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V,
无铅
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Rohm Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 28A 8-HSOP
详细描述:表面贴装 N 沟道 28A(Ta) 3W(Ta),31W(Tc) 8-HSOP
型号:
RS1E280GNTB
仓库库存编号:
RS1E280GNTBCT-ND
别名:RS1E280GNTBCT
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V,
无铅
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Panasonic Electronic Components
MOSFET N-CH 30V 12A 8HSSO
详细描述:表面贴装 N 沟道 12A(Ta),39A(Tc) 2W(Ta),19W(Tc) 8-HSSO
型号:
SK8403180L
仓库库存编号:
P16265CT-ND
别名:P16265CT
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 25V 24A WDSON-2
详细描述:表面贴装 N 沟道 24A(Ta),75A(Tc) 2.2W(Ta),28W(Tc) MG-WDSON-2,CanPAK M?
型号:
BSF030NE2LQ
仓库库存编号:
BSF030NE2LQCT-ND
别名:BSF030NE2LQCT
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 65A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 65A(Tc) 65W(Tc) D-Pak
型号:
IRLR8721TRPBF
仓库库存编号:
IRLR8721TRPBFCT-ND
别名:IRLR8721TRPBFCT
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 25V 57A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 57A(Tc) 48W(Tc) D-Pak
型号:
IRLR8259TRPBF
仓库库存编号:
IRLR8259TRPBFCT-ND
别名:IRLR8259TRPBFCT
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 40V 50A DP TO252-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 50A(Ta) 60W(Tc) DP
型号:
TK50P04M1(T6RSS-Q)
仓库库存编号:
TK50P04M1(T6RSSQ)CT-ND
别名:TK50P04M1(T6RSSQ)CT
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 50A TO-263-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 50A(Tc) 56W(Tc) PG-TO263-2
型号:
IPB065N03L G
仓库库存编号:
IPB065N03LGINCT-ND
别名:IPB065N03LGINCT
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N CH 30V 23A 8TSON-ADV
详细描述:表面贴装 N 沟道 23A(Ta) 700mW(Ta),22W(Tc) 8-TSON Advance(3.3x3.3)
型号:
TPN4R203NC,L1Q
仓库库存编号:
TPN4R203NCL1QCT-ND
别名:TPN4R203NCL1QCT
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 40A TSDSON-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 18A(Ta),40A(Tc) 2.1W(Ta),69W(Tc) PG-TSDSON-8
型号:
BSZ035N03MS G
仓库库存编号:
BSZ035N03MSGINCT-ND
别名:BSZ035N03MSGINCT
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V,
无铅
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Rohm Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 13A HSMT8
详细描述:表面贴装 N 沟道 13A(Ta) 2W(Ta) 8-HSMT(3.2x3)
型号:
RQ3E130MNTB1
仓库库存编号:
RQ3E130MNTB1CT-ND
别名:RQ3E130MNTB1CT
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V,
无铅
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Rohm Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 10A HSMT8
详细描述:表面贴装 N 沟道 10A(Ta) 2W(Ta) 8-HSMT(3.2x3)
型号:
RQ3E100MNTB1
仓库库存编号:
RQ3E100MNTB1CT-ND
别名:RQ3E100MNTB1CT
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V S308
详细描述:表面贴装 N 沟道 22A(Ta),40A(Tc) 2.1W(Ta),50W(Tc) PG-TSDSON-8
型号:
BSZ0901NS
仓库库存编号:
BSZ0901NSCT-ND
别名:BSZ0901NSCT
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 30V 45A 8-TSON
详细描述:表面贴装 N 沟道 45A(Tc) 700mW(Ta),42W(Tc) 8-TSON Advance(3.3x3.3)
型号:
TPN2R703NL,L1Q
仓库库存编号:
TPN2R703NLL1QCT-ND
别名:TPN2R703NL,L1QCT
TPN2R703NL,L1QCT-ND
TPN2R703NLL1QCT
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V,
无铅
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Panasonic Electronic Components
MOSFET N-CH 30V 22A 8HSO
详细描述:表面贴装 N 沟道 22A(Ta),70A(Tc) 2.8W(Ta),28W(Tc) 8-HSO
型号:
SK8603160L
仓库库存编号:
P16268CT-ND
别名:P16268CT
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 24A PQFN56
详细描述:表面贴装 N 沟道 24A(Ta),104A(Tc) 3.4W(Ta) PQFN(5x6)单芯片焊盘
型号:
IRFH7932TRPBF
仓库库存编号:
IRFH7932TRPBFCT-ND
别名:IRFH7932TRPBFCT
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 15A POWER33
详细描述:表面贴装 N 沟道 15A(Tc) 2W(Ta),41W(Tc) 8-MLP(3.3x3.3)
型号:
FDMC8854
仓库库存编号:
FDMC8854CT-ND
别名:FDMC8854CT
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V,
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 60A PPAK SO-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 60A(Tc) 5W(Ta),48W(Tc) PowerPAK? SO-8
型号:
SIR788DP-T1-GE3
仓库库存编号:
SIR788DP-T1-GE3CT-ND
别名:SIR788DP-T1-GE3CT
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V,
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 25V 30A POWER56
详细描述:表面贴装 N 沟道 30A(Ta),49A(Tc) 2.5W(Ta),89W(Tc) Power56
型号:
FDMS7560S
仓库库存编号:
FDMS7560SFSCT-ND
别名:FDMS7560SFSCT
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V,
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 50A PPAK SO-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 50A(Tc) 5.2W(Ta),69W(Tc) PowerPAK? SO-8
型号:
SIR164DP-T1-GE3
仓库库存编号:
SIR164DP-T1-GE3CT-ND
别名:SIR164DP-T1-GE3CT
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 25V 22A TSDSON-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 22A(Ta),40A(Tc) 2.1W(Ta),69W(Tc) PG-TSDSON-8-FL
型号:
BSZ018NE2LSI
仓库库存编号:
BSZ018NE2LSICT-ND
别名:BSZ018NE2LSICT
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 100A TDSON-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 30A(Ta),100A(Tc) 2.5W(Ta),139W(Tc) PG-TDSON-8
型号:
BSC014N03MS G
仓库库存编号:
BSC014N03MS GCT-ND
别名:BSC014N03MS GCT
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V,
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 20V 14A 1212-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 14A(Ta) 1.5W(Ta) PowerPAK? 1212-8
型号:
SI7108DN-T1-E3
仓库库存编号:
SI7108DN-T1-E3CT-ND
别名:SI7108DN-T1-E3CT
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V,
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Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 30V 50A 8WPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 50A(Ta) 50W(Tc) 8-WPAK(3)
型号:
RJK0391DPA-00#J5A
仓库库存编号:
RJK0391DPA-00#J5ACT-ND
别名:RJK0391DPA-00#J5ACT
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 116A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 116A(Tc) 3.8W(Ta),180W(Tc) D2PAK
型号:
IRL2203NSTRLPBF
仓库库存编号:
IRL2203NSTRLPBFCT-ND
别名:IRL2203NSTRLPBFCT
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V,
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