规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 2.5V,10V,
专业代理销售st(意法)全系列产品
关于我们
|
联系我们
库存查询
ST产品选型
产品
制造商
联系我们
美国1号分类选型
新加坡2号分类选型
英国10号分类选型
英国2号分类选型
日本5号分类选型
在本站结果里搜索:
热门搜索词:
电容器
Vicor
MXP7205VW
STM32F103C8T6
1379658-1
UVX
美国1号仓库
产品分类
(188)
分立半导体产品
(188)
筛选品牌
Alpha & Omega Semiconductor Inc. (43)
Microchip Technology (9)
Central Semiconductor Corp (2)
Diodes Incorporated (43)
Infineon Technologies (3)
Nexperia USA Inc. (6)
NXP USA Inc. (1)
Fairchild/ON Semiconductor (2)
ON Semiconductor (7)
Rohm Semiconductor (5)
Taiwan Semiconductor Corporation (3)
Vishay Siliconix (64)
重新选择
规格选型正在加载中...
在结果中搜索词:
以下搜索结果
参考图片
制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
PDF
操作
Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 20V 35A 1212-8
详细描述:表面贴装 P 沟道 35A(Tc) 3.7W(Ta),52W(Tc) PowerPAK? 1212-8
型号:
SIS415DNT-T1-GE3
仓库库存编号:
SIS415DNT-T1-GE3CT-ND
别名:SIS415DNT-T1-GE3CT
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 2.5V,10V,
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 4.5A SC70-6
详细描述:表面贴装 N 沟道 4.5A(Tc) 3.4W(Ta),17.9W(Tc) PowerPAK? SC-70-6 单
型号:
SIA408DJ-T1-GE3
仓库库存编号:
SIA408DJ-T1-GE3CT-ND
别名:SIA408DJ-T1-GE3CT
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 2.5V,10V,
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 20V 4.5A SC70-6
详细描述:表面贴装 N 沟道 4.5A(Tc) 3.5W(Ta),19W(Tc) PowerPAK? SC-70-6 单
型号:
SIA426DJ-T1-GE3
仓库库存编号:
SIA426DJ-T1-GE3CT-ND
别名:SIA426DJ-T1-GE3CT
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 2.5V,10V,
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 20V 35A 1212-8 PPAK
详细描述:表面贴装 P 沟道 35A(Tc) 3.7W(Ta),52W(Tc) PowerPAK? 1212-8
型号:
SI7629DN-T1-GE3
仓库库存编号:
SI7629DN-T1-GE3CT-ND
别名:SI7629DN-T1-GE3CT
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 2.5V,10V,
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 20V 40A PPAK 1212
详细描述:表面贴装 P 沟道 40A(Tc) 4.8W(Ta),57W(Tc) PowerPAK? 1212-8
型号:
SI7655DN-T1-GE3
仓库库存编号:
SI7655DN-T1-GE3CT-ND
别名:SI7655DN-T1-GE3CT
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 2.5V,10V,
无铅
搜索
Diodes Incorporated
MOSFET P-CH 20V POWERDI5060-8
详细描述:表面贴装 P 沟道 60A(Tc) 2.3W(Ta) PowerDI5060-8
型号:
DMP22M2UPS-13
仓库库存编号:
DMP22M2UPS-13DICT-ND
别名:DMP22M2UPS-13DICT
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 2.5V,10V,
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 15A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 15A(Ta) 1.6W(Ta) 8-SO
型号:
SI4442DY-T1-E3
仓库库存编号:
SI4442DY-T1-E3CT-ND
别名:SI4442DY-T1-E3CT
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 2.5V,10V,
无铅
搜索
Nexperia USA Inc.
NX138BKW/SC-70/REEL 7" Q1/T1 *
详细描述:表面贴装 N 沟道 210mA(Ta) 266mW(Ta), 1.33W(Tc) SC-70
型号:
NX138BKWX
仓库库存编号:
1727-2738-1-ND
别名:1727-2738-1
568-13303-1
568-13303-1-ND
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 2.5V,10V,
无铅
搜索
Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 60V TO-236AB
详细描述:表面贴装 N 沟道 265mA(Ta) 310mW(Ta) TO-236AB(SOT23)
型号:
NX138BKR
仓库库存编号:
1727-2662-1-ND
别名:1727-2662-1
568-13167-1
568-13167-1-ND
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 2.5V,10V,
无铅
搜索
Microchip Technology
MOSFET P-CH 350V 0.18A TO92-3
详细描述:通孔 P 沟道 180mA(Tj) 1W(Ta) TO-92-3
型号:
TP2635N3-G
仓库库存编号:
TP2635N3-G-ND
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 2.5V,10V,
无铅
搜索
Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 30V 4A SOT23-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 4A(Ta) 760mW(Ta) SOT-23
型号:
DMN3053L-7
仓库库存编号:
DMN3053L-7DICT-ND
别名:DMN3053L-7DICT
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 2.5V,10V,
无铅
搜索
Diodes Incorporated
MOSFET P-CH 30V 3.1A TSOT26
详细描述:表面贴装 P 沟道 3.1A(Ta) 1.15W(Ta) TSOT-23-6
型号:
DMP3105LVT-7
仓库库存编号:
DMP3105LVT-7DICT-ND
别名:DMP3105LVT-7DICT
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 2.5V,10V,
无铅
搜索
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 30V 4A SOT23
详细描述:表面贴装 N 沟道 4A(Ta) 1.4W(Ta) SOT-23-3L
型号:
AO3434A
仓库库存编号:
785-1460-1-ND
别名:785-1460-1
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 2.5V,10V,
无铅
搜索
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET P-CH 20V 2A SC70-6
详细描述:表面贴装 P 沟道 2A(Ta) 630mW(Ta) SC-70-6
型号:
AO7415
仓库库存编号:
785-1092-1-ND
别名:785-1092-1
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 2.5V,10V,
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 20V 4A 1206-8
详细描述:表面贴装 P 沟道 4A(Tc) 1.7W(Ta),3.1W(Tc) 1206-8 ChipFET?
型号:
SI5913DC-T1-GE3
仓库库存编号:
SI5913DC-T1-GE3CT-ND
别名:SI5913DC-T1-GE3CT
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 2.5V,10V,
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 20V 3.3A 6-TSOP
详细描述:表面贴装 P 沟道 3.3A(Tc) 1.1W(Ta),1.4W(Tc) 6-TSOP
型号:
SI3805DV-T1-GE3
仓库库存编号:
SI3805DV-T1-GE3CT-ND
别名:SI3805DV-T1-GE3CT
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 2.5V,10V,
无铅
搜索
Diodes Incorporated
MOSFET P-CH 20V 18A PWRDI3333-8
详细描述:表面贴装 P 沟道 18A(Ta),40A(Tc) 2.3W(Ta) PowerDI3333-8
型号:
DMP2007UFG-7
仓库库存编号:
DMP2007UFG-7DICT-ND
别名:DMP2007UFG-7DICT
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 2.5V,10V,
无铅
搜索
Central Semiconductor Corp
MOSFET N-CH 30V 6.9A SOT-89
详细描述:表面贴装 N 沟道 6.9A(Ta) 1.2W(Ta) SOT-89
型号:
CXDM3069N TR
仓库库存编号:
CXDM3069N CT-ND
别名:CXDM3069N CT
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 2.5V,10V,
无铅
搜索
Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 30V 200MA TO-236AB
详细描述:表面贴装 N 沟道 200mA(Ta) 300mW(Ta),1.06W(Tc) TO-236AB(SOT23)
型号:
NX3020NAK,215
仓库库存编号:
1727-1285-1-ND
别名:1727-1285-1
568-10504-1
568-10504-1-ND
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 2.5V,10V,
无铅
搜索
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 30V 2A SOT23
详细描述:表面贴装 N 沟道 3.8A(Ta) 1.4W(Ta) SOT-23-3L
型号:
AO3424
仓库库存编号:
785-1017-1-ND
别名:785-1017-1
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 2.5V,10V,
无铅
搜索
ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 3.2A SOT23
详细描述:表面贴装 N 沟道 480mW(Ta) SOT-23-3(TO-236)
型号:
NTR4170NT1G
仓库库存编号:
NTR4170NT1GOSCT-ND
别名:NTR4170NT1GOSCT
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 2.5V,10V,
无铅
搜索
ON Semiconductor
MOSFET P-CH 30V 1.2A SC70-3
详细描述:表面贴装 P 沟道 1.2A(Ta) 290mW(Ta) SC-70-3(SOT323)
型号:
NTS4173PT1G
仓库库存编号:
NTS4173PT1GOSCT-ND
别名:NTS4173PT1GOSCT
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 2.5V,10V,
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 1.4A SC-70-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 1.4A(Tc) 400mW(Ta),500mW(Tc) SOT-323
型号:
SI1308EDL-T1-GE3
仓库库存编号:
SI1308EDL-T1-GE3CT-ND
别名:SI1308EDL-T1-GE3CT
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 2.5V,10V,
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 20V 9.8A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 P 沟道 9.8A(Ta) 1.5W(Ta) 8-SO
型号:
SI4463BDY-T1-E3
仓库库存编号:
SI4463BDY-T1-E3CT-ND
别名:SI4463BDY-T1-E3CT
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 2.5V,10V,
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 20V 60A PPAK SO-8
详细描述:表面贴装 P 沟道 60A(Tc) 6.25W(Ta),104W(Tc) PowerPAK? SO-8
型号:
SI7157DP-T1-GE3
仓库库存编号:
SI7157DP-T1-GE3CT-ND
别名:SI7157DP-T1-GE3CT
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 2.5V,10V,
无铅
搜索
1
2
3
4
5
6
7
8
邮箱:
sales@szcwdz.com
Q Q:
800152669
手机网站:
m.szcwdz.com
美国1号品牌选型
新加坡2号品牌选型
英国2号品牌选型
英国10号品牌选型
日本5号品牌选型
st(意法)简介
|
st产品
|
st动态
|
产品应用
|
st选型手册
Copyright © 2017
www.st-ic.com
All Rights Reserved. 技术支持:
电子元器件
ICP备案证书号:
粤ICP备11103613号