以下搜索结果

• 参考图片
• 制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
• PDF
• 操作

• 
  
• Diodes Incorporated
  MOSFET NCH 24V 14.1A UDFN2020
  详细描述：表面贴装 N 沟道 14.1A（Ta） 800mW（Ta）, 12.5W（Tc） U-DFN2020-6（F 类）
  
  型号：DMT2004UFDF-7
  仓库库存编号：DMT2004UFDF-7-ND
  
  规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 2.5V，10V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Diodes Incorporated
  MOSFET BVDSS: 8V 24V POWERDI3333
  详细描述：表面贴装 N 沟道 70A（Tc） 2.3W（Ta） PowerDI3333-8
  
  型号：DMT2004UFG-13
  仓库库存编号：DMT2004UFG-13-ND
  
  规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 2.5V，10V,
• 搜索

• 
  
• Diodes Incorporated
  MOSFET BVDSS: 8V 24V POWERDI3333
  详细描述：表面贴装 N 沟道 70A（Tc） 2.3W（Ta） PowerDI3333-8
  
  型号：DMT2004UFG-7
  仓库库存编号：DMT2004UFG-7-ND
  
  规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 2.5V，10V,
• 搜索

• 
  
• Vishay Siliconix
  N-CHANNEL 25-V (D-S) MOSFET
  详细描述：表面贴装 N 沟道 16A（Tc） 52W（Tc） PowerPAK? 1212-8
  
  型号：SIS626DN-T1-GE3
  仓库库存编号：SIS626DN-T1-GE3-ND
  
  规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 2.5V，10V,
• 搜索

• 
  
• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 20V 2.7A SC-70-6
  详细描述：表面贴装 P 沟道 2.7A（Tc） 1.5W（Ta），2.78W（Tc） SC-70-6（SOT-363）
  
  型号：SI1469DH-T1-GE3
  仓库库存编号：SI1469DH-T1-GE3CT-ND
  别名：SI1469DH-T1-GE3CT
  
  规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 2.5V，10V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Diodes Incorporated
  MOSFET BVDSS: 8V 24V POWERDI5060
  详细描述：表面贴装 N 沟道 80A（Tc） 3W（Ta） PowerDI5060-8
  
  型号：DMT2004UPS-13
  仓库库存编号：DMT2004UPS-13-ND
  
  规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 2.5V，10V,
• 搜索

• 
  
• Diodes Incorporated
  MOSFET N-CH 20V 12A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 12A（Ta） 2W（Ta） 8-SOP
  
  型号：DMN2009LSS-13
  仓库库存编号：DMN2009LSS-13-ND
  
  规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 2.5V，10V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Vishay Siliconix
  P-CHANNEL 20-V (D-S) MOSFET
  详细描述：表面贴装 P 沟道 18A（Tc） 52W（Tc） PowerPAK? 1212-8
  
  型号：SIS447DN-T1-GE3
  仓库库存编号：SIS447DN-T1-GE3-ND
  
  规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 2.5V，10V,
• 搜索

• 
  
• Diodes Incorporated
  MOSFET PCH 20V 9.3A 8SO
  详细描述：表面贴装 P 沟道 9.3A（Ta） 1.6W（Ta） 8-SO
  
  型号：DMP2022LSSQ-13
  仓库库存编号：DMP2022LSSQ-13-ND
  
  规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 2.5V，10V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 30V 5.9A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 5.9A（Ta） 1.31W（Ta） 8-SO
  
  型号：SI4346DY-T1-GE3
  仓库库存编号：SI4346DY-T1-GE3-ND
  
  规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 2.5V，10V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Diodes Incorporated
  MOSFET N-CH 240V 0.26A TO92-3
  详细描述：通孔 N 沟道 260mA（Ta） 750mW（Ta） E-Line（TO-92 兼容）
  
  型号：ZVN4424ASTZ
  仓库库存编号：ZVN4424ASTZ-ND
  
  规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 2.5V，10V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N-CH 30V 10.5A 8DFN
  详细描述：表面贴装 N 沟道 10.5A（Ta），18A（Tc） 3.1W（Ta），20.8W（Tc） 8-DFN（3x3）
  
  型号：AON7432
  仓库库存编号：785-1503-1-ND
  别名：785-1503-1
  
  规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 2.5V，10V,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 25V 18A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 18A（Tc） 2.5W（Ta），5W（Tc） 8-SO
  
  型号：SI4116DY-T1-E3
  仓库库存编号：SI4116DY-T1-E3-ND
  
  规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 2.5V，10V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 20V 9.8A 8SOIC
  详细描述：表面贴装 P 沟道 9.8A（Ta） 1.5W（Ta） 8-SO
  
  型号：SI4463BDY-T1-GE3
  仓库库存编号：SI4463BDY-T1-GE3CT-ND
  别名：SI4463BDY-T1-GE3CT
  
  规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 2.5V，10V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Vishay Siliconix
  N-CHANNEL 20-V (D-S) MOSFET
  详细描述：表面贴装 N 沟道 20V 50A（Tc） 69W（Tc） PowerPAK? SO-8
  
  型号：SIR800DP-T1-RE3
  仓库库存编号：SIR800DP-T1-RE3-ND
  
  规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 2.5V，10V,
• 搜索

• 
  
• Microchip Technology
  MOSFET N-CH 240V 0.19A TO92-3
  详细描述：通孔 N 沟道 240V 190mA（Tj） 1W（Tc） TO-92-3
  
  型号：VN2410L-G-P013
  仓库库存编号：VN2410L-G-P013-ND
  
  规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 2.5V，10V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Microchip Technology
  MOSFET N-CH 240V 0.19A TO92-3
  详细描述：通孔 N 沟道 240V 190mA（Tj） 1W（Tc） TO-92-3
  
  型号：VN2410L-G-P014
  仓库库存编号：VN2410L-G-P014-ND
  
  规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 2.5V，10V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Microchip Technology
  MOSFET N-CH 120V 0.23A TO92-3
  详细描述：通孔 N 沟道 230mA（Tj） 1W（Tc） TO-92-3
  
  型号：VN1206L-G-P002
  仓库库存编号：VN1206L-G-P002-ND
  
  规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 2.5V，10V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Microchip Technology
  MOSFET P-CH 400V 0.086A 8SOIC
  详细描述：表面贴装 P 沟道 86mA（Tj） 740mW（Ta） 8-SOIC
  
  型号：TP2640LG-G
  仓库库存编号：TP2640LG-G-ND
  
  规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 2.5V，10V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 30V 15A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 15A（Ta） 1.6W（Ta） 8-SO
  
  型号：SI4442DY-T1-GE3
  仓库库存编号：SI4442DY-T1-GE3-ND
  
  规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 2.5V，10V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 20V 60A 10-POLARPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60A（Tc） 5.2W（Ta），125W（Tc） 10-PolarPAK?（L）
  
  型号：SIE810DF-T1-E3
  仓库库存编号：SIE810DF-T1-E3TR-ND
  别名：SIE810DF-T1-E3TR
  SIE810DFT1E3
  
  规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 2.5V，10V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 20V 60A POLARPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60A（Tc） 5.2W（Ta），125W（Tc） 10-PolarPAK?（L）
  
  型号：SIE810DF-T1-GE3
  仓库库存编号：SIE810DF-T1-GE3-ND
  
  规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 2.5V，10V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 240V 700MA SOT223
  详细描述：表面贴装 N 沟道 240V 700mA（Tc） 1.5W（Ta） SOT-223
  
  型号：MMFT2406T1
  仓库库存编号：MMFT2406T1OSDKR-ND
  别名：MMFT2406T1OSDKR
  
  规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 2.5V，10V,
• 含铅
• 搜索

• 
  
• Diodes Incorporated
  MOSFET N-CH 240V 300MA SOT-89
  详细描述：表面贴装 N 沟道 240V 300mA（Ta） 1W（Ta） SOT-89-3
  
  型号：ZVN4424ZTA
  仓库库存编号：ZVN4424ZCT-ND
  别名：ZVN4424ZCT
  
  规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 2.5V，10V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 240V 200MA TO-92
  详细描述：通孔 N 沟道 240V 200mA（Ta） 350mW（Tc） TO-92-3
  
  型号：VN2410LG
  仓库库存编号：VN2410LGOS-ND
  别名：VN2410LGOS
  
  规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 2.5V，10V,
• 无铅
• 搜索