规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 13V,
专业代理销售st（意法）全系列产品
关于我们
|
联系我们
库存查询
ST产品选型
产品
制造商
联系我们
美国1号分类选型
新加坡2号分类选型
英国10号分类选型
英国2号分类选型
日本5号分类选型
在本站结果里搜索：
热门搜索词：
电容器
Vicor
MXP7205VW
STM32F103C8T6
1379658-1
UVX
美国1号仓库
产品分类
(50)
分立半导体产品
(50)
筛选品牌
Infineon Technologies (50)
重新选择
规格选型正在加载中...
在结果中搜索词：
以下搜索结果
参考图片
制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
PDF
操作
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 500V 1.7A PG-TO-252
详细描述：表面贴装 N 沟道 1.7A（Tc） 18W（Tc） PG-TO252-3
型号：
IPD50R3K0CEBTMA1
仓库库存编号：
IPD50R3K0CEBTMA1CT-ND
别名：IPD50R3K0CECT
IPD50R3K0CECT-ND
规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 13V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 500V 18.5A PG-TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 18.5A（Tc） 127W（Tc） PG-TO-220-3
型号：
IPP50R190CE
仓库库存编号：
IPP50R190CE-ND
别名：IPP50R190CEXKSA1
SP000850802
规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 13V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 500V 2.4A TO-251
详细描述：通孔 N 沟道 2.4A（Tc） 22W（Tc） PG-TO251-3
型号：
IPU50R2K0CEBKMA1
仓库库存编号：
IPU50R2K0CEBKMA1-ND
规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 13V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 500V 6.3A TO-220FP
详细描述：通孔 N 沟道 6.3A（Tc） 29.2W（Tc） TO-220 整包
型号：
IPA50R380CEXKSA2
仓库库存编号：
IPA50R380CEXKSA2-ND
别名：SP001217228
规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 13V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 500V 3.1A TO-251
详细描述：通孔 N 沟道 500V 3.1A（Tc） 25W（Tc） PG-TO251-3
型号：
IPU50R1K4CEBKMA1
仓库库存编号：
IPU50R1K4CEBKMA1-ND
规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 13V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N CH 500V 6.1A PG-TO252
详细描述：表面贴装 N 沟道 6.1A（Tc） 47W（Tc） PG-TO252-3
型号：
IPD50R650CE
仓库库存编号：
IPD50R650CECT-ND
别名：IPD50R650CECT
规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 13V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 500V 1.7A PG-TO-252
详细描述：表面贴装 N 沟道 1.7A（Tc） 26W（Tc） PG-TO252-3
型号：
IPD50R3K0CEAUMA1
仓库库存编号：
IPD50R3K0CEAUMA1CT-ND
别名：IPD50R3K0CEAUMA1CT
规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 13V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 500V 3.1A PG-TO-252
详细描述：表面贴装 N 沟道 3.1A（Tc） 25W（Tc） PG-TO252-3
型号：
IPD50R1K4CEBTMA1
仓库库存编号：
IPD50R1K4CEBTMA1CT-ND
别名：IPD50R1K4CEBTMA1CT
IPD50R1K4CECT
IPD50R1K4CECT-ND
规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 13V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N CH 500V 5A TO252
详细描述：表面贴装 N 沟道 5A（Tc） 60W（Tc） PG-TO252-3
型号：
IPD50R800CEATMA1
仓库库存编号：
IPD50R800CEATMA1CT-ND
别名：IPD50R800CEATMA1CT
规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 13V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N CH 500V 6.1A PG-TO252
详细描述：表面贴装 N 沟道 6.1A（Tc） 69W（Tc） PG-TO252-3
型号：
IPD50R650CEATMA1
仓库库存编号：
IPD50R650CEATMA1CT-ND
别名：IPD50R650CEATMA1CT
规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 13V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N CH 500V 5A TO252
详细描述：表面贴装 N 沟道 5A（Tc） 40W（Tc） PG-TO252-3
型号：
IPD50R800CE
仓库库存编号：
IPD50R800CECT-ND
别名：IPD50R800CECT
规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 13V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET NCH 500V 14.1A TO252
详细描述：表面贴装 N 沟道 14.1A（Tc） 98W（Tc） PG-TO252-3
型号：
IPD50R380CEAUMA1
仓库库存编号：
IPD50R380CEAUMA1CT-ND
别名：IPD50R380CEAUMA1CT
规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 13V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N CH 500V 9.9A PG-TO252
详细描述：表面贴装 N 沟道 9.9A（Tc） 98W（Tc） PG-TO252-3
型号：
IPD50R380CEATMA1
仓库库存编号：
IPD50R380CEATMA1CT-ND
别名：IPD50R380CEATMA1CT
规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 13V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 500V 7.6A PG-TO252
详细描述：表面贴装 N 沟道 7.6A（Tc） 57W（Tc） PG-TO252-3
型号：
IPD50R500CEBTMA1
仓库库存编号：
IPD50R500CEBTMA1CT-ND
别名：IPD50R500CEIN
IPD50R500CEIN-ND
IPD50R500CEINCT
IPD50R500CEINCT-ND
规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 13V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 500V 1.7A TO-251
详细描述：通孔 N 沟道 1.7A（Tc） 18W（Tc） PG-TO251-3
型号：
IPU50R3K0CEBKMA1
仓库库存编号：
IPU50R3K0CEBKMA1-ND
规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 13V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 500V 4.3A TO251
详细描述：通孔 N 沟道 4.3A（Tc） 53W（Tc） PG-TO251-3
型号：
IPU50R950CEAKMA1
仓库库存编号：
IPU50R950CEAKMA1-ND
别名：SP001292872
规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 13V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 500V 18.5A TO247
详细描述：通孔 N 沟道 18.5A（Tc） 127W（Tc） PG-TO247-3
型号：
IPW50R190CE
仓库库存编号：
IPW50R190CE-ND
别名：IPW50R190CEFKSA1
SP000850798
规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 13V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 500V 3.7A TO-220FP
详细描述：通孔 N 沟道 3.7A（Tc） 25.7W（Tc） TO-220 整包
型号：
IPA50R950CEXKSA2
仓库库存编号：
IPA50R950CEXKSA2-ND
别名：SP001217236
规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 13V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N CH 500V 9.9A PGTO220
详细描述：通孔 N 沟道 9.9A（Tc） 73W（Tc） PG-TO-220-3
型号：
IPP50R380CE
仓库库存编号：
IPP50R380CE-ND
别名：IPP50R380CEXKSA1
SP000850818
规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 13V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 500V 7.5A TO-220FP
详细描述：通孔 N 沟道 7.5A（Tc） 30.4W（Tc） TO-220 整包
型号：
IPA50R280CEXKSA2
仓库库存编号：
IPA50R280CEXKSA2-ND
别名：SP001217218
规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 13V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 500V 13A PG-TO220
详细描述：通孔 N 沟道 13A（Tc） 92W（Tc） PG-TO220-3-1
型号：
IPP50R280CEXKSA1
仓库库存编号：
IPP50R280CEXKSA1-ND
别名：IPP50R280CE
IPP50R280CEIN
IPP50R280CEIN-ND
SP000850810
规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 13V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 500V 13A PG-TO247
详细描述：通孔 N 沟道 13A（Tc） 92W（Tc） PG-TO247-3
型号：
IPW50R280CE
仓库库存编号：
IPW50R280CEIN-ND
别名：IPW50R280CEFKSA1
IPW50R280CEIN
SP000850804
规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 13V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 500V 7.6A PG-TO220
详细描述：通孔 N 沟道 7.6A（Tc） PG-TO220-3-1
型号：
IPP50R500CE
仓库库存编号：
IPP50R500CEIN-ND
别名：IPP50R500CEIN
IPP50R500CEXKSA1
SP000939326
规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 13V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET NCH 500V 11.1A TO220-3
详细描述：通孔 N 沟道 11.1A（Tc） 28W（Tc） PG-TO220 整包
型号：
IPAN50R500CEXKSA1
仓库库存编号：
IPAN50R500CEXKSA1-ND
别名：SP001508834
规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 13V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 550V 7.6A TO252
详细描述：表面贴装 N 沟道 7.6A（Tc） 57W（Tc） PG-TO-252
型号：
IPD50R500CEAUMA1
仓库库存编号：
IPD50R500CEAUMA1CT-ND
别名：IPD50R500CEAUMA1CT
规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 13V,
无铅
搜索
1
2
邮箱：
sales@szcwdz.com
Q Q：
800152669
手机网站：
m.szcwdz.com
美国1号品牌选型
新加坡2号品牌选型
英国2号品牌选型
英国10号品牌选型
日本5号品牌选型
st（意法）简介
|
st产品
|
st动态
|
产品应用
|
st选型手册
Copyright © 2017
www.st-ic.com
All Rights Reserved. 技术支持：
电子元器件
ICP备案证书号:
粤ICP备11103613号
