品牌:Renesas Electronics America,规格:FET 类型 P 沟道,
专业代理销售st(意法)全系列产品
关于我们
|
联系我们
库存查询
ST产品选型
产品
制造商
联系我们
美国1号分类选型
新加坡2号分类选型
英国10号分类选型
英国2号分类选型
日本5号分类选型
在本站结果里搜索:
热门搜索词:
电容器
Vicor
MXP7205VW
STM32F103C8T6
1379658-1
UVX
美国1号仓库
产品分类
(41)
分立半导体产品
(41)
筛选品牌
Renesas Electronics America (41)
重新选择
规格选型正在加载中...
在结果中搜索词:
以下搜索结果
参考图片
制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
PDF
操作
Renesas Electronics America
MOSFET P-CH 12V 7A 6SON
详细描述:表面贴装 P 沟道 7A(Ta) 2.5W(Ta) 6-HUSON(2x2)
型号:
UPA2630T1R-E2-AX
仓库库存编号:
UPA2630T1R-E2-AX-ND
品牌:Renesas Electronics America,规格:FET 类型 P 沟道,
无铅
搜索
Renesas Electronics America
MOSFET P-CH 20V 6A 6SON
详细描述:表面贴装 P 沟道 6A(Ta) 2.5W(Ta) 6-HUSON(2x2)
型号:
UPA2631T1R-E2-AX
仓库库存编号:
UPA2631T1R-E2-AX-ND
品牌:Renesas Electronics America,规格:FET 类型 P 沟道,
无铅
搜索
Renesas Electronics America
MOSFET P-CH 30V 11A 8SOP
详细描述:表面贴装 P 沟道 11A(Ta) 1.1W(Ta) 8-SOP
型号:
UPA2737GR-E1-AT
仓库库存编号:
UPA2737GR-E1-AT-ND
品牌:Renesas Electronics America,规格:FET 类型 P 沟道,
无铅
搜索
Renesas Electronics America
MOSFET P-CH 30V 21A 8HWSON
详细描述:表面贴装 P 沟道 21A(Tc) 1.5W(Ta) 8-HWSON(3.3x3.3)
型号:
UPA2815T1S-E2-AT
仓库库存编号:
UPA2815T1S-E2-AT-ND
品牌:Renesas Electronics America,规格:FET 类型 P 沟道,
无铅
搜索
Renesas Electronics America
MOSFET P-CH 30V 17A 8HWSON
详细描述:表面贴装 P 沟道 17A(Tc) 1.5W(Ta) 8-HWSON(3.3x3.3)
型号:
UPA2816T1S-E2-AT
仓库库存编号:
UPA2816T1S-E2-AT-ND
品牌:Renesas Electronics America,规格:FET 类型 P 沟道,
无铅
搜索
Renesas Electronics America
MOSFET P-CH 30V 27A 8HVSON
详细描述:表面贴装 P 沟道 27A(Tc) 1.5W(Ta) 8-HWSON(3.3x3.3)
型号:
UPA2813T1L-E2-AT
仓库库存编号:
UPA2813T1L-E2-AT-ND
品牌:Renesas Electronics America,规格:FET 类型 P 沟道,
无铅
搜索
Renesas Electronics America
MOSFET P-CH 30V 24A 8HWSON
详细描述:表面贴装 P 沟道 24A(Tc) 1.5W(Ta) 8-HWSON(3.3x3.3)
型号:
UPA2814T1S-E2-AT
仓库库存编号:
UPA2814T1S-E2-AT-ND
品牌:Renesas Electronics America,规格:FET 类型 P 沟道,
无铅
搜索
Renesas Electronics America
MOSFET P-CH 30V 27A 8HVSON
详细描述:表面贴装 P 沟道 27A(Tc) 1.5W(Ta), 52W(Tc) 8-HVSON(3x3.3)
型号:
UPA2813T1L-E1-AT
仓库库存编号:
UPA2813T1L-E1-AT-ND
品牌:Renesas Electronics America,规格:FET 类型 P 沟道,
无铅
搜索
Renesas Electronics America
MOSFET P-CH 30V 30A 8HVSON
详细描述:表面贴装 P 沟道 30A(Tc) 1.5W(Ta) 8-HWSON(3.3x3.3)
型号:
UPA2812T1L-E2-AT
仓库库存编号:
UPA2812T1L-E2-AT-ND
品牌:Renesas Electronics America,规格:FET 类型 P 沟道,
无铅
搜索
Renesas Electronics America
MOSFET P-CH 30V 30A 8HVSON
详细描述:表面贴装 P 沟道 30A(Tc) 1.5W(Ta), 52W(Tc) 8-HVSON(3x3.3)
型号:
UPA2812T1L-E1-AT
仓库库存编号:
UPA2812T1L-E1-AT-ND
品牌:Renesas Electronics America,规格:FET 类型 P 沟道,
无铅
搜索
Renesas Electronics America
MOSFET P-CH 40V 36A TO-252
详细描述:表面贴装 P 沟道 36A(Tc) 1.2W(Ta),56W(Tc) TO-252(MP-3ZK)
型号:
NP36P04SDG-E1-AY
仓库库存编号:
NP36P04SDG-E1-AYCT-ND
别名:NP36P04SDG-E1-AYCT
NP36P04SDGE1AY
品牌:Renesas Electronics America,规格:FET 类型 P 沟道,
无铅
搜索
Renesas Electronics America
MOSFET P-CH 30V 85A 8-SON
详细描述:表面贴装 P 沟道 30V 85A(Ta) 1.5W(Ta) 8-HVSON(5.4x5.15)
型号:
UPA2739T1A-E2-AY
仓库库存编号:
UPA2739T1A-E2-AY-ND
品牌:Renesas Electronics America,规格:FET 类型 P 沟道,
无铅
搜索
Renesas Electronics America
MOSFET P-CH 40V 50A TO-252
详细描述:表面贴装 P 沟道 40V 50A(Tc) 1.2W(Ta),84W(Tc) TO-252(MP-3ZK)
型号:
NP50P04SDG-E1-AY
仓库库存编号:
NP50P04SDG-E1-AYCT-ND
别名:NP50P04SDG-E1-AYCT
NP50P04SDGE1AY
品牌:Renesas Electronics America,规格:FET 类型 P 沟道,
无铅
搜索
Renesas Electronics America
MOSFET P-CH 30V 75A 8HSON
详细描述:表面贴装 P 沟道 30V 75A(Tc) 1W(Ta),138W(Tc) 8-HSON
型号:
NP75P03YDG-E1-AY
仓库库存编号:
NP75P03YDG-E1-AYCT-ND
别名:NP75P03YDG-E1-AYCT
NP75P03YDGE1AY
品牌:Renesas Electronics America,规格:FET 类型 P 沟道,
无铅
搜索
Renesas Electronics America
MOSFET P-CH 60V 20A TO-220
详细描述:通孔 P 沟道 20A(Tc) 2W(Ta),25W(Tc) TO-220 隔离的标片
型号:
2SJ649-AZ
仓库库存编号:
2SJ649-AZ-ND
品牌:Renesas Electronics America,规格:FET 类型 P 沟道,
无铅
搜索
Renesas Electronics America
MOSFET P-CH 40V 100A TO-263
详细描述:表面贴装 P 沟道 100A(Tc) 1.8W(Ta),200W(Tc) TO-263
型号:
NP100P04PDG-E1-AY
仓库库存编号:
NP100P04PDG-E1-AY-ND
品牌:Renesas Electronics America,规格:FET 类型 P 沟道,
无铅
搜索
Renesas Electronics America
MOSFET P-CH 160V 7A TO-3P
详细描述:通孔 P 沟道 160V 7A(Ta) 100W(Tc) TO-3P
型号:
2SJ162-E
仓库库存编号:
2SJ162-E-ND
品牌:Renesas Electronics America,规格:FET 类型 P 沟道,
无铅
搜索
Renesas Electronics America
MOSFET P-CH 60V 15A 4LDPAK
详细描述:表面贴装 P 沟道 60V 15A(Ta) 50W(Tc) 4-LDPAK
型号:
HAF1002-90STL-E
仓库库存编号:
HAF1002-90STL-E-ND
品牌:Renesas Electronics America,规格:FET 类型 P 沟道,
无铅
搜索
Renesas Electronics America
MOSFET P-CH 30V 40A LFPAK
详细描述:表面贴装 P 沟道 30V 40A(Ta) 30W(Tc) LFPAK
型号:
HAT1072H-EL-E
仓库库存编号:
HAT1072H-EL-E-ND
品牌:Renesas Electronics America,规格:FET 类型 P 沟道,
无铅
搜索
Renesas Electronics America
MOSFET P-CH 60V 36A TO-220
详细描述:通孔 P 沟道 60V 36A(Tc) 2W(Ta),32W(Tc) TO-220 隔离的标片
型号:
2SJ673-AZ
仓库库存编号:
2SJ673-AZ-ND
品牌:Renesas Electronics America,规格:FET 类型 P 沟道,
无铅
搜索
Renesas Electronics America
MOSFET P-CH 60V 100A TO-263
详细描述:表面贴装 P 沟道 60V 100A(Tc) 1.8W(Ta),200W(Tc) TO-263
型号:
NP100P06PDG-E1-AY
仓库库存编号:
NP100P06PDG-E1-AY-ND
品牌:Renesas Electronics America,规格:FET 类型 P 沟道,
无铅
搜索
Renesas Electronics America
MOSFET P-CH 60V 100A TO-263
详细描述:表面贴装 P 沟道 60V 100A(Tc) 1.8W(Ta),200W(Tc) TO-263
型号:
NP100P06PLG-E1-AY
仓库库存编号:
NP100P06PLG-E1-AY-ND
品牌:Renesas Electronics America,规格:FET 类型 P 沟道,
无铅
搜索
Renesas Electronics America
MOSFET P-CH 40V 15A TO-252
详细描述:表面贴装 P 沟道 40V 15A(Ta) 1.2W(Ta),30W(Tc) TO-252(MP-3ZK)
型号:
NP15P04SLG-E1-AY
仓库库存编号:
NP15P04SLG-E1-AY-ND
品牌:Renesas Electronics America,规格:FET 类型 P 沟道,
无铅
搜索
Renesas Electronics America
MOSFET P-CH 60V 15A TO-252
详细描述:表面贴装 P 沟道 60V 15A(Ta) 1.2W(Ta),30W(Tc) TO-252(MP-3ZK)
型号:
NP15P06SLG-E1-AY
仓库库存编号:
NP15P06SLG-E1-AY-ND
品牌:Renesas Electronics America,规格:FET 类型 P 沟道,
无铅
搜索
Renesas Electronics America
MOSFET P-CH 40V 20A TO-252
详细描述:表面贴装 P 沟道 40V 20A(Tc) 1.2W(Ta),38W(Tc) TO-252(MP-3ZK)
型号:
NP20P04SLG-E1-AY
仓库库存编号:
NP20P04SLG-E1-AY-ND
品牌:Renesas Electronics America,规格:FET 类型 P 沟道,
无铅
搜索
1
2
邮箱:
sales@szcwdz.com
Q Q:
800152669
手机网站:
m.szcwdz.com
美国1号品牌选型
新加坡2号品牌选型
英国2号品牌选型
英国10号品牌选型
日本5号品牌选型
st(意法)简介
|
st产品
|
st动态
|
产品应用
|
st选型手册
Copyright © 2017
www.st-ic.com
All Rights Reserved. 技术支持:
电子元器件
ICP备案证书号:
粤ICP备11103613号