规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) -,
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IXYS
MOSFET N-CH 900V ISOPLUS247
详细描述:通孔 N 沟道 900V ISOPLUS247?
型号:
IXFR24N90Q
仓库库存编号:
IXFR24N90Q-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) -,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 200V ISOPLUS247
详细描述:通孔 N 沟道 200V ISOPLUS247?
型号:
IXFR90N20Q
仓库库存编号:
IXFR90N20Q-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) -,
无铅
搜索
Honeywell Microelectronics & Precision Sensors
MOSFET N-CH 55V 8-DIP
详细描述:通孔 N 沟道 55V 50W(Tj) 8-CDIP-EP
型号:
HTNFET-D
仓库库存编号:
342-1078-ND
别名:342-1078
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) -,
含铅
搜索
Honeywell Microelectronics & Precision Sensors
MOSFET N-CH 55V 8-DIP
详细描述:通孔 N 沟道 55V 50W(Tj)
型号:
HTNFET-DC
仓库库存编号:
HTNFET-DC-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) -,
无铅
搜索
Honeywell Microelectronics & Precision Sensors
MOSFET N-CH 55V 4-PIN
详细描述:通孔 N 沟道 55V 50W(Tj)
型号:
HTNFET-TC
仓库库存编号:
HTNFET-TC-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) -,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET 2P-CH 30V 4.9A 8SOIC
详细描述:Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 30V 2W Surface Mount 8-SO
型号:
AUIRF7316QTR
仓库库存编号:
AUIRF7316QTR-ND
别名:SP001518472
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) -,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 51A TO-262
详细描述:MOSFET N-CH 55V 51A TO-262
型号:
AUIRLZ44ZL
仓库库存编号:
AUIRLZ44ZL-ND
别名:SP001518950
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) -,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 91A IPAK
详细描述:MOSFET N-CH 55V 91A IPAK
型号:
AUIRFU1010Z
仓库库存编号:
AUIRFU1010Z-ND
别名:SP001516086
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) -,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH DPAK
详细描述:MOSFET N-CH DPAK
型号:
STD150N2LH5
仓库库存编号:
STD150N2LH5-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) -,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 8SOIC
详细描述:Mosfet Array
型号:
STS1DNF20
仓库库存编号:
STS1DNF20-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) -,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 620V 2.2A SUPERMESH
详细描述:MOSFET N-CH 620V 2.2A SUPERMESH
型号:
STQ2N62K3-AP
仓库库存编号:
STQ2N62K3-AP-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) -,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 100V TO-220
详细描述:MOSFET N-CH 100V TO-220
型号:
STP120N10F4
仓库库存编号:
STP120N10F4-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) -,
无铅
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NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 30V LFPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V LFPAK56,Power-SO8
型号:
PH6530AL,115
仓库库存编号:
568-7366-1-ND
别名:568-7366-1
PH6530AL115
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) -,
无铅
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NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 30V SOT96-1
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 2.5W(Ta) 8-SO
型号:
SI4410DY,518
仓库库存编号:
SI4410DY,518-ND
别名:934056382518
SI4410DY /T3
SI4410DY /T3-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) -,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 20V 3.2A SOT-23-6
详细描述:表面贴装 N 沟道 20V SOT-23-6
型号:
ZXM63N02E6TA
仓库库存编号:
ZXM63N02E6DKR-ND
别名:ZXM63N02E6DKR
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) -,
含铅
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Diodes Incorporated
MOSFET N/P-CH 20V 8-MSOP
详细描述:Mosfet Array N and P-Channel 20V 1.04W Surface Mount 8-MSOP
型号:
ZXMD63C02XTA
仓库库存编号:
ZXMD63C02XCT-ND
别名:ZXMD63C02X
ZXMD63C02XCT
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) -,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 1000V TO-220FP
详细描述:通孔 N 沟道 1000V TO-220-3
型号:
IRFIBG20G
仓库库存编号:
IRFIBG20G-ND
别名:*IRFIBG20G
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) -,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 250V DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 250V D-Pak
型号:
IRFR11N25D
仓库库存编号:
IRFR11N25D-ND
别名:*IRFR11N25D
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) -,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V D-Pak
型号:
IRFR24N10D
仓库库存编号:
IRFR24N10D-ND
别名:*IRFR24N10D
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) -,
含铅
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Diodes Incorporated
MOSFET 2N-CH 20V 8-SOIC
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 20V 2W Surface Mount 8-SO
型号:
ZXMD65N02N8TA
仓库库存编号:
ZXMD65N02N8DKR-ND
别名:ZXMD65N02N8DKR
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) -,
含铅
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Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 20V 12A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 20V 8-SO
型号:
ZXMN2A05N8TA
仓库库存编号:
ZXMN2A05N8DKR-ND
别名:ZXMN2A05N8DKR
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) -,
含铅
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Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 30V 12A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 8-SO
型号:
ZXMN3A05N8TA
仓库库存编号:
ZXMN3A05N8DKR-ND
别名:ZXMN3A05N8DKR
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) -,
含铅
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Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 60V 7.6A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 8-SO
型号:
ZXMN6A10N8TA
仓库库存编号:
ZXMN6A10N8DKR-ND
别名:ZXMN6A10N8DKR
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) -,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 150V D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 150V D2PAK
型号:
IRF3314STRL
仓库库存编号:
IRF3314STRL-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) -,
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 50V TO-220FP
详细描述:通孔 N 沟道 50V TO-220-3
型号:
IRFIZ46G
仓库库存编号:
IRFIZ46G-ND
别名:*IRFIZ46G
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) -,
含铅
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