规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 330mA(Ta),
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 330MA SC-75A
详细描述:表面贴装 N 沟道 330mA(Ta) 250mW(Ta) SC-75A
型号:
SI1022R-T1-GE3
仓库库存编号:
SI1022R-T1-GE3CT-ND
别名:SI1022R-T1-GE3CT
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 330mA(Ta),
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET P-CH 20V 0.33A SSM
详细描述:表面贴装 P 沟道 330mA(Ta) 150mW(Ta) SSM
型号:
SSM3J36FS,LF
仓库库存编号:
SSM3J36FSLFCT-ND
别名:SSM3J36FS(T5LFT)CT
SSM3J36FS(T5LFT)CT-ND
SSM3J36FSLFCT
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 330mA(Ta),
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET P-CH 60V 0.33A SOT23
详细描述:表面贴装 P 沟道 330mA(Ta) 360mW(Ta) PG-SOT23-3
型号:
BSS83PH6327XTSA1
仓库库存编号:
BSS83PH6327XTSA1CT-ND
别名:BSS83P H6327CT
BSS83P H6327CT-ND
BSS83PH6327XTSA1CT
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 330mA(Ta),
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET P-CH 20V 0.33A X2DFN-3
详细描述:表面贴装 P 沟道 330mA(Ta) 360mW(Ta) X2-DFN0806-3
型号:
DMP21D2UFA-7B
仓库库存编号:
DMP21D2UFA-7BDICT-ND
别名:DMP21D2UFA-7BDICT
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 330mA(Ta),
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET P-CH 20V 0.33A
详细描述:表面贴装 P 沟道 330mA(Ta) 400mW(Ta) 3-DFN0806H4
型号:
DMP22D4UFA-7B
仓库库存编号:
DMP22D4UFA-7BDICT-ND
别名:DMP22D4UFA-7BDICT
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 330mA(Ta),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 330MA SC-75A
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 330mA(Ta) 250mW(Ta) SC-75A
型号:
SI1022R-T1-E3
仓库库存编号:
SI1022R-T1-E3CT-ND
别名:SI1022R-T1-E3CT
SI1022RT1E3
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 330mA(Ta),
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET P-CH 20V 0.33A VESM
详细描述:表面贴装 P 沟道 20V 330mA(Ta) 150mW(Ta) VESM
型号:
SSM3J36MFV,L3F
仓库库存编号:
SSM3J36MFVL3FCT-ND
别名:SSM3J36MFV(TL3T)CT
SSM3J36MFV(TL3T)CT-ND
SSM3J36MFVL3FCT
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 330mA(Ta),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 60V 330MA SOT-23
详细描述:表面贴装 P 沟道 60V 330mA(Ta) 360mW(Ta) PG-SOT23-3
型号:
BSS83PE6327
仓库库存编号:
BSS83PE6327INCT-ND
别名:BSS83PE6327INCT
BSS83PE6327XTINCT
BSS83PE6327XTINCT-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 330mA(Ta),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 60V 330MA SOT-23
详细描述:表面贴装 P 沟道 60V 330mA(Ta) 360mW(Ta) PG-SOT23-3
型号:
BSS83PL6327HTSA1
仓库库存编号:
BSS83PL6327HTSA1CT-ND
别名:BSS83PL6327CT-ND
BSS83PL6327CT_ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 330mA(Ta),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 60V 0.33A SOT23
详细描述:表面贴装 P 沟道 60V 330mA(Ta) 360mW(Ta) PG-SOT23-3
型号:
BSS83PL6327HTSA1
仓库库存编号:
BSS83P L6327-ND
别名:BSS83P L6327
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 330mA(Ta),
无铅
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