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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 900V 6.9A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 6.9A（Tc） 104W（Tc） PG-TO220-3-1
  
  型号：IPP90R800C3
  仓库库存编号：IPP90R800C3-ND
  别名：IPP90R800C3XKSA1
  SP000413748
  SP000683102
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 6.9A（Tc）,
• 无铅
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 900V 6.9A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 6.9A（Tc） 104W（Tc） PG-TO247-3
  
  型号：IPW90R800C3
  仓库库存编号：IPW90R800C3-ND
  别名：IPW90R800C3FKSA1
  SP000413758
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 6.9A（Tc）,
• 无铅
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 900V 6.9A TO220-3
  详细描述：通孔 N 沟道 6.9A（Tc） 33W（Tc） PG-TO220-FP
  
  型号：IPA90R800C3
  仓库库存编号：IPA90R800C3-ND
  别名：IPA90R800C3XKSA1
  SP000413718
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 6.9A（Tc）,
• 无铅
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• Vishay Siliconix
  P-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET
  详细描述：表面贴装 P 沟道 6.9A（Tc） 5W（Tc） 6-TSOP
  
  型号：SQ3419AEEV-T1_GE3
  仓库库存编号：SQ3419AEEV-T1_GE3-ND
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 6.9A（Tc）,
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• Vishay Siliconix
  N-CHANNEL 100-V (D-S) MOSFET
  详细描述：表面贴装 N 沟道 6.9A（Tc） PowerPAK? 1212-8
  
  型号：SIS698DN-T1-GE3
  仓库库存编号：SIS698DN-T1-GE3-ND
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 6.9A（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 900V 6.9A TO-262
  详细描述：通孔 N 沟道 900V 6.9A（Tc） 104W（Tc） PG-TO262-3
  
  型号：IPI90R800C3XKSA1
  仓库库存编号：IPI90R800C3XKSA1-ND
  别名：IPI90R800C3
  IPI90R800C3-ND
  SP000413730
  SP000683086
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 6.9A（Tc）,
• 无铅
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 150V 6.9A TO-220F
  详细描述：通孔 N 沟道 150V 6.9A（Tc） 44W（Tc） TO-220F
  
  型号：FQPF9N15
  仓库库存编号：FQPF9N15-ND
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 6.9A（Tc）,
• 无铅
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 600V 8.5A TO-220FI
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 6.9A（Tc） 2W（Ta），35W（Tc） TO-220FI（LS）
  
  型号：2SK4099LS
  仓库库存编号：2SK4099LS-ND
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 6.9A（Tc）,
• 无铅
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 600V 8.5A
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 6.9A（Tc） 2W（Ta），35W（Tc） TO-220F-3FS
  
  型号：2SK4099LS-1E
  仓库库存编号：2SK4099LS-1E-ND
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 6.9A（Tc）,
• 无铅
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