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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 20V 600MA SC89
  详细描述：表面贴装 N 沟道 600mA（Ta） 625mW（Ta） SC-89-3
  
  型号：FDY300NZ
  仓库库存编号：FDY300NZCT-ND
  别名：FDY300NZCT
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 600mA（Ta）,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET P-CH 100V 0.6A SOT23-3
  详细描述：表面贴装 P 沟道 600mA（Ta） 625mW（Ta） SOT-23-3
  
  型号：ZXMP10A13FTA
  仓库库存编号：ZXMP10A13FCT-ND
  别名：ZXMP10A13FCT
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 600mA（Ta）,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET P-CH 20V 600MA SOT23-3
  详细描述：表面贴装 P 沟道 600mA（Ta） 550mW（Ta） SOT-23-3
  
  型号：DMP2004K-7
  仓库库存编号：DMP2004KDICT-ND
  别名：DMP2004KDICT
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 600mA（Ta）,
• 无铅
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 20V 0.6A XQFN3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 600mA（Ta） 360mW（Ta），2.7W（Tc） DFN1006-3
  
  型号：PMZ600UNEYL
  仓库库存编号：1727-2323-1-ND
  别名：1727-2323-1
  568-12609-1
  568-12609-1-ND
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 600mA（Ta）,
• 无铅
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 20V SC-89-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 600mA（Ta） 625mW（Ta） SC-89-3
  
  型号：FDY302NZ
  仓库库存编号：FDY302NZCT-ND
  别名：FDY302NZCT
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 600mA（Ta）,
• 无铅
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• Diodes Incorporated
  MOSFET N-CH 100V 600MA SOT223
  详细描述：表面贴装 N 沟道 600mA（Ta） 1.1W（Ta） SOT-223
  
  型号：ZVNL110GTA
  仓库库存编号：ZVNL110GCT-ND
  别名：ZVNL110G
  ZVNL110GCT
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 600mA（Ta）,
• 无铅
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• Diodes Incorporated
  MOSFET N-CH 60V 600MA TO92-3
  详细描述：通孔 N 沟道 600mA（Ta） 700mW（Ta） TO-92-3
  
  型号：ZVN4206A
  仓库库存编号：ZVN4206A-ND
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 600mA（Ta）,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET N-CH 60V 600MA TO92-3
  详细描述：通孔 N 沟道 600mA（Ta） 700mW（Ta） TO-92-3
  
  型号：ZVN4206AV
  仓库库存编号：ZVN4206AV-ND
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 600mA（Ta）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 200V 600MA 4-DIP
  详细描述：通孔 N 沟道 600mA（Ta） 1W（Ta） 4-DIP，Hexdip，HVMDIP
  
  型号：IRFD210PBF
  仓库库存编号：IRFD210PBF-ND
  别名：*IRFD210PBF
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 600mA（Ta）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 200V 600MA 6-TSOP
  详细描述：表面贴装 N 沟道 600mA（Ta） 2W（Ta） Micro6?（TSOP-6）
  
  型号：IRF5801TRPBF
  仓库库存编号：IRF5801TRPBFCT-ND
  别名：IRF5801TRPBFCT
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 600mA（Ta）,
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 20V XQFN3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 20V 600mA（Ta） 360mW（Ta），2.7W（Tc） DFN1006B-3
  
  型号：PMZB600UNEYL
  仓库库存编号：1727-2332-1-ND
  别名：1727-2332-1
  568-12618-1
  568-12618-1-ND
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 600mA（Ta）,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET N-CH 20V 0.6A X2DFN-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 600mA（Ta） 360mW（Ta） X2-DFN0806-3
  
  型号：DMN2550UFA-7B
  仓库库存编号：DMN2550UFA-7BDICT-ND
  别名：DMN2550UFA-7BDICT
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 600mA（Ta）,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET P-CH 100V 0.6A SOT23-3
  详细描述：表面贴装 P 沟道 600mA（Ta） 625mW（Ta） SOT-23
  
  型号：ZXMP10A13FQTA
  仓库库存编号：ZXMP10A13FQTADICT-ND
  别名：ZXMP10A13FQTADICT
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 600mA（Ta）,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET P-CH 20V DFN1212-3
  详细描述：表面贴装 P 沟道 600mA（Ta） 400mW（Ta） X1-DFN1212-3
  
  型号：DMP21D5UFD-7
  仓库库存编号：DMP21D5UFD-7DICT-ND
  别名：DMP21D5UFD-7DICT
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 600mA（Ta）,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET N-CH 60V 0.6A TO92-3
  详细描述：通孔 N 沟道 600mA（Ta） 700mW（Ta） E-Line（TO-92 兼容）
  
  型号：ZVN4206AVSTZ
  仓库库存编号：ZVN4206AVSCT-ND
  别名：ZVN4206AVSCT
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 600mA（Ta）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 30V 600MA SOT323-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 600mA（Ta） 280mW（Ta） SC-70-3
  
  型号：SI1302DL-T1-E3
  仓库库存编号：SI1302DL-T1-E3CT-ND
  别名：SI1302DL-T1-E3CT
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 600mA（Ta）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 30V 600MA SC-70-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 600mA（Ta） 280mW（Ta） SC-70-3
  
  型号：SI1302DL-T1-GE3
  仓库库存编号：SI1302DL-T1-GE3CT-ND
  别名：SI1302DL-T1-GE3CT
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 600mA（Ta）,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 250V 0.6A SOT89
  详细描述：表面贴装 N 沟道 600mA（Ta） 3.5W（Tc） SOT-89/PCP-1
  
  型号：PCP1405-TD-H
  仓库库存编号：PCP1405-TD-H-ND
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 600mA（Ta）,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET N-CH 60V 0.6A TO92-3
  详细描述：通孔 N 沟道 600mA（Ta） 700mW（Ta） E-Line（TO-92 兼容）
  
  型号：ZVN4206ASTZ
  仓库库存编号：ZVN4206ASTZ-ND
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 600mA（Ta）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 60V 600MA 4-DIP
  详细描述：通孔 P 沟道 60V 600mA（Ta） 4-DIP，Hexdip，HVMDIP
  
  型号：IRFD9113
  仓库库存编号：IRFD9113-ND
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 600mA（Ta）,
• 含铅
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 200V 600MA 4-DIP
  详细描述：通孔 N 沟道 200V 600mA（Ta） 1W（Ta） 4-DIP，Hexdip，HVMDIP
  
  型号：IRFD210
  仓库库存编号：IRFD210-ND
  别名：*IRFD210
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 600mA（Ta）,
• 含铅
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• Diodes Incorporated
  MOSFET N-CH 60V 600MA TO92-3
  详细描述：通孔 N 沟道 60V 600mA（Ta） 700mW（Ta） E-Line（TO-92 兼容）
  
  型号：ZVN4206AVSTOA
  仓库库存编号：ZVN4206AVSTOA-ND
  别名：Q1047114
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 600mA（Ta）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 100V 0.6A SC70-6
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 600mA（Ta） 420mW（Ta） SC-70-6
  
  型号：FDG361N
  仓库库存编号：FDG361N-ND
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 600mA（Ta）,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET N-CH 60V 0.6A TO92-3
  详细描述：通孔 N 沟道 60V 600mA（Ta） 700mW（Ta） E-Line（TO-92 兼容）
  
  型号：ZVN4206ASTOA
  仓库库存编号：ZVN4206ASTOA-ND
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 600mA（Ta）,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET N-CH 60V 0.6A TO92-3
  详细描述：通孔 N 沟道 60V 600mA（Ta） 700mW（Ta） E-Line（TO-92 兼容）
  
  型号：ZVN4206ASTOB
  仓库库存编号：ZVN4206ASTOB-ND
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 600mA（Ta）,
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