规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 40A(Tc),
专业代理销售st(意法)全系列产品
关于我们
|
联系我们
库存查询
ST产品选型
产品
制造商
联系我们
美国1号分类选型
新加坡2号分类选型
英国10号分类选型
英国2号分类选型
日本5号分类选型
在本站结果里搜索:
热门搜索词:
电容器
Vicor
MXP7205VW
STM32F103C8T6
1379658-1
UVX
美国1号仓库
产品分类
(220)
分立半导体产品
(220)
筛选品牌
Alpha & Omega Semiconductor Inc. (9)
Diodes Incorporated (4)
Infineon Technologies (26)
IXYS (27)
Microsemi Corporation (6)
NXP USA Inc. (11)
Fairchild/ON Semiconductor (12)
Renesas Electronics America (2)
Rohm Semiconductor (3)
Sanken (2)
STMicroelectronics (35)
Toshiba Semiconductor and Storage (4)
Vishay Semiconductor Diodes Division (1)
Vishay Siliconix (78)
重新选择
规格选型正在加载中...
在结果中搜索词:
以下搜索结果
参考图片
制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
PDF
操作
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 40A TO252-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 40A(Tc) 42W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD090N03LGATMA1
仓库库存编号:
IPD090N03LGATMA1CT-ND
别名:IPD090N03LGATMA1CT
IPD090N03LGINCT
IPD090N03LGINCT-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 40A(Tc),
无铅
搜索
Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 30V 63A 8SOP
详细描述:表面贴装 N 沟道 40A(Tc) 1.6W(Ta),36W(Tc) 8-SOP Advance(5x5)
型号:
TPH4R003NL,L1Q
仓库库存编号:
TPH4R003NLL1QCT-ND
别名:TPH4R003NLL1QCT
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 40A(Tc),
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 40A 1212-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 40A(Tc) 3.7W(Ta),52W(Tc) PowerPAK? 1212-8
型号:
SISA04DN-T1-GE3
仓库库存编号:
SISA04DN-T1-GE3CT-ND
别名:SISA04DN-T1-GE3CT
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 40A(Tc),
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 12V 40A PPAK SO-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 40A(Tc) 4.2W(Ta),36W(Tc) PowerPAK? SO-8
型号:
SIR492DP-T1-GE3
仓库库存编号:
SIR492DP-T1-GE3CT-ND
别名:SIR492DP-T1-GE3CT
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 40A(Tc),
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 20V 40A PPAK SO-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 40A(Tc) 5.4W(Ta),83W(Tc) PowerPAK? SO-8
型号:
SI7868ADP-T1-E3
仓库库存编号:
SI7868ADP-T1-E3CT-ND
别名:SI7868ADP-T1-E3CT
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 40A(Tc),
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 600V 40A SUPER247
详细描述:通孔 N 沟道 40A(Tc) 570W(Tc) SUPER-247(TO-274AA)
型号:
IRFPS40N60KPBF
仓库库存编号:
IRFPS40N60KPBF-ND
别名:*IRFPS40N60KPBF
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 40A(Tc),
无铅
搜索
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 40A ISOTOP
详细描述:底座安装 N 沟道 40A(Tc) 460W(Tc) ISOTOP?
型号:
STE40NC60
仓库库存编号:
497-3169-5-ND
别名:497-3169-5
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 40A(Tc),
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 40A TO220FP
详细描述:通孔 N 沟道 40A(Tc) 54W(Tc) TO-220AB 整包
型号:
IRFIZ48NPBF
仓库库存编号:
IRFIZ48NPBF-ND
别名:*IRFIZ48NPBF
SP001572624
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 40A(Tc),
无铅
搜索
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 40A
详细描述:通孔 N 沟道 40A(Tc) 300W(Tc) TO-247
型号:
STW48N60DM2
仓库库存编号:
497-16360-5-ND
别名:497-16360-5
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 40A(Tc),
无铅
搜索
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 100V 40A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 40A(Tc) 115W(Tc) TO-220AB
型号:
STP35NF10
仓库库存编号:
497-2645-5-ND
别名:497-2645-5
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 40A(Tc),
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 600V 40A TO247AC
详细描述:通孔 N 沟道 40A(Tc) 329W(Tc) TO-247AC
型号:
SIHG40N60E-GE3
仓库库存编号:
SIHG40N60E-GE3-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 40A(Tc),
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 40A PPAK SO-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 40A(Tc) PowerPAK? SO-8
型号:
SIRA36DP-T1-GE3
仓库库存编号:
SIRA36DP-T1-GE3CT-ND
别名:SIRA36DP-T1-GE3CT
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 40A(Tc),
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 40V 40A 1212-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 40A(Tc) 3.7W(Ta),52W(Tc) PowerPAK? 1212-8
型号:
SIS488DN-T1-GE3
仓库库存编号:
SIS488DN-T1-GE3CT-ND
别名:SIS488DN-T1-GE3CT
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 40A(Tc),
无铅
搜索
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 60V 40A 8DFN
详细描述:表面贴装 N 沟道 40A(Tc) 48W(Tc) 8-DFN(5x6)
型号:
AON6262E
仓库库存编号:
800-3747-1-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 40A(Tc),
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 40V 40A POWERPAK SO8
详细描述:表面贴装 P 沟道 40A(Tc) 83W(Tc) PowerPAK? SO-8
型号:
SQJ443EP-T1_GE3
仓库库存编号:
SQJ443EP-T1_GE3CT-ND
别名:SQJ443EP-T1_GE3CT
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 40A(Tc),
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 40A PPAK SO-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 40A(Tc) 5W(Ta),62.5W(Tc) PowerPAK? SO-8
型号:
SIRA06DP-T1-GE3
仓库库存编号:
SIRA06DP-T1-GE3CT-ND
别名:SIRA06DP-T1-GE3CT
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 40A(Tc),
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 40A PPAK SO-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 40A(Tc) 5W(Ta),62.5W(Tc) PowerPAK? SO-8
型号:
SIRA04DP-T1-GE3
仓库库存编号:
SIRA04DP-T1-GE3CT-ND
别名:SIRA04DP-T1-GE3CT
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 40A(Tc),
无铅
搜索
Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 100V 40A POWERDI
详细描述:表面贴装 N 沟道 40A(Tc) 1.6W(Ta) PowerDI5060-8
型号:
DMNH10H028SPS-13
仓库库存编号:
DMNH10H028SPS-13DICT-ND
别名:DMNH10H028SPS-13DICT
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 40A(Tc),
无铅
搜索
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 30V 40A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 40A(Tc) 80W(Tc) DPAK
型号:
STD40NF3LLT4
仓库库存编号:
497-12558-1-ND
别名:497-12558-1
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 40A(Tc),
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 20V 40A PPAK 1212
详细描述:表面贴装 P 沟道 40A(Tc) 4.8W(Ta),57W(Tc) PowerPAK? 1212-8
型号:
SI7655DN-T1-GE3
仓库库存编号:
SI7655DN-T1-GE3CT-ND
别名:SI7655DN-T1-GE3CT
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 40A(Tc),
无铅
搜索
Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 100V 40A POWERDI506
详细描述:表面贴装 N 沟道 40A(Tc) 1.6W(Ta) PowerDI5060-8
型号:
DMNH10H028SPSQ-13
仓库库存编号:
DMNH10H028SPSQ-13DICT-ND
别名:DMNH10H028SPSQ-13DICT
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 40A(Tc),
无铅
搜索
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 100V 40A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 40A(Tc) 115W(Tc) D2PAK
型号:
STB35NF10T4
仓库库存编号:
497-7947-1-ND
别名:497-7947-1
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 40A(Tc),
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 40A PPAK SO-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 40A(Tc) 5W(Ta),44.5W(Tc) PowerPAK? SO-8
型号:
SIR878ADP-T1-GE3
仓库库存编号:
SIR878ADP-T1-GE3CT-ND
别名:SIR878ADP-T1-GE3CT
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 40A(Tc),
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 40A PPAK SO-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 40A(Tc) 5W(Ta),44.5W(Tc) PowerPAK? SO-8
型号:
SIR878DP-T1-GE3
仓库库存编号:
SIR878DP-T1-GE3CT-ND
别名:SIR878DP-T1-GE3CT
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 40A(Tc),
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 20V 40A PPAK SO-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 40A(Tc) 5.4W(Ta),83W(Tc) PowerPAK? SO-8
型号:
SI7866ADP-T1-E3
仓库库存编号:
SI7866ADP-T1-E3CT-ND
别名:SI7866ADP-T1-E3CT
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 40A(Tc),
无铅
搜索
1
2
3
4
5
6
7
8
9
邮箱:
sales@szcwdz.com
Q Q:
800152669
手机网站:
m.szcwdz.com
美国1号品牌选型
新加坡2号品牌选型
英国2号品牌选型
英国10号品牌选型
日本5号品牌选型
st(意法)简介
|
st产品
|
st动态
|
产品应用
|
st选型手册
Copyright © 2017
www.st-ic.com
All Rights Reserved. 技术支持:
电子元器件
ICP备案证书号:
粤ICP备11103613号