规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 10A(Ta),
专业代理销售st(意法)全系列产品
关于我们
|
联系我们
库存查询
ST产品选型
产品
制造商
联系我们
美国1号分类选型
新加坡2号分类选型
英国10号分类选型
英国2号分类选型
日本5号分类选型
在本站结果里搜索:
热门搜索词:
电容器
Vicor
MXP7205VW
STM32F103C8T6
1379658-1
UVX
美国1号仓库
产品分类
(136)
分立半导体产品
(136)
筛选品牌
Alpha & Omega Semiconductor Inc. (13)
Central Semiconductor Corp (1)
Diodes Incorporated (9)
EPC (2)
Infineon Technologies (17)
Micro Commercial Co (1)
Fairchild/ON Semiconductor (10)
ON Semiconductor (10)
Panasonic Electronic Components (1)
Renesas Electronics America (6)
Rohm Semiconductor (24)
STMicroelectronics (2)
Taiwan Semiconductor Corporation (3)
Texas Instruments (1)
Toshiba Semiconductor and Storage (20)
Vishay Siliconix (16)
重新选择
规格选型正在加载中...
在结果中搜索词:
以下搜索结果
参考图片
制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
PDF
操作
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 40V 13.5A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 10A(Ta) 1.7W(Ta) 8-SOIC
型号:
AO4484
仓库库存编号:
785-1202-1-ND
别名:785-1202-1
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 10A(Ta),
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET P-CH 20V 10A 8-SO
详细描述:表面贴装 P 沟道 10A(Ta) 2.5W(Ta) 8-SO
型号:
FDS6575
仓库库存编号:
FDS6575CT-ND
别名:FDS6575CT
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 10A(Ta),
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 20V 10A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 P 沟道 10A(Ta) 1.5W(Ta) 8-SO
型号:
SI4421DY-T1-E3
仓库库存编号:
SI4421DY-T1-E3CT-ND
别名:SI4421DY-T1-E3CT
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 10A(Ta),
无铅
搜索
EPC
TRANS GAN 40V 10A BUMPED DIE
详细描述:表面贴装 N 沟道 10A(Ta) 模具剖面(5 焊条)
型号:
EPC2014C
仓库库存编号:
917-1082-1-ND
别名:917-1082-1
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 10A(Ta),
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 20V 10A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 P 沟道 10A(Ta) 1.5W(Ta) 8-SO
型号:
SI4423DY-T1-E3
仓库库存编号:
SI4423DY-T1-E3CT-ND
别名:SI4423DY-T1-E3CT
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 10A(Ta),
无铅
搜索
Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 30V 10A U-DFN2020-6
详细描述:表面贴装 N 沟道 10A(Ta) 730mW(Ta) U-DFN2020-6(E 类)
型号:
DMN3016LFDE-7
仓库库存编号:
DMN3016LFDE-7DICT-ND
别名:DMN3016LFDE-7DICT
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 10A(Ta),
无铅
搜索
Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 30V 10A 8SO
详细描述:表面贴装 N 沟道 10A(Ta) 1.42W(Ta) 8-SOP
型号:
DMG4466SSS-13
仓库库存编号:
DMG4466SSS-13DICT-ND
别名:DMG4466SSS-13DICT
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 10A(Ta),
无铅
搜索
Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET P-CH 12V 10A UDFN6B
详细描述:表面贴装 P 沟道 10A(Ta) 1.25W(Ta) 6-UDFNB(2x2)
型号:
SSM6J512NU,LF
仓库库存编号:
SSM6J512NULFCT-ND
别名:SSM6J512NULFCT
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 10A(Ta),
无铅
搜索
Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET P-CH 20V 10A UDFN6B
详细描述:表面贴装 P 沟道 10A(Ta) 1W(Ta) 6-UDFNB(2x2)
型号:
SSM6J501NU,LF
仓库库存编号:
SSM6J501NULFCT-ND
别名:SSM6J501NULF(TCT
SSM6J501NULF(TCT-ND
SSM6J501NULFCT
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 10A(Ta),
无铅
搜索
Diodes Incorporated
MOSFET P-CH 20V 10A 8SOIC
详细描述:表面贴装 P 沟道 10A(Ta) 2.5W(Ta) 8-SOP
型号:
DMP2022LSS-13
仓库库存编号:
DMP2022LSS-13DICT-ND
别名:DMP2022LSS-13DICT
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 10A(Ta),
无铅
搜索
Diodes Incorporated
MOSFET P-CH 8V 10A U-WLB1515-9
详细描述:表面贴装 P 沟道 10A(Ta) 890mW(Ta) U-WLB1515-9
型号:
DMP1011UCB9-7
仓库库存编号:
DMP1011UCB9-7DICT-ND
别名:DMP1011UCB9-7DICT
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 10A(Ta),
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET P-CH 30V 10A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 P 沟道 10A(Ta) 2.5W(Ta) 8-SO
型号:
IRF7416TRPBF
仓库库存编号:
IRF7416TRPBFCT-ND
别名:IRF7416TRPBFCT
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 10A(Ta),
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET P-CH 12V 6-MLP 2X2
详细描述:表面贴装 P 沟道 10A(Ta) 2.4W(Ta) 6-MicroFET(2x2)
型号:
FDMA905P
仓库库存编号:
FDMA905PFSCT-ND
别名:FDMA905PFSCT
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 10A(Ta),
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 10A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 10A(Ta) 2.5W(Ta) 8-SO
型号:
IRF7470TRPBF
仓库库存编号:
IRF7470PBFCT-ND
别名:*IRF7470TRPBF
IRF7470PBFCT
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 10A(Ta),
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 80V 10A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 10A(Ta) 2.5W(Ta) 8-SO
型号:
IRF7854TRPBF
仓库库存编号:
IRF7854TRPBFCT-ND
别名:IRF7854TRPBFCT
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 10A(Ta),
无铅
搜索
Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 250V 15A 8-SOP
详细描述:表面贴装 N 沟道 10A(Ta) 1.6W(Ta),57W(Tc) 8-SOP Advance(5x5)
型号:
TPH1110FNH,L1Q
仓库库存编号:
TPH1110FNHL1QCT-ND
别名:TPH1110FNH,L1QCT
TPH1110FNH,L1QCT-ND
TPH1110FNHL1QCT
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 10A(Ta),
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 10A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 10A(Ta) 2.5W(Ta) 8-SO
型号:
FDS5670
仓库库存编号:
FDS5670CT-ND
别名:FDS5670CT
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 10A(Ta),
无铅
搜索
EPC
TRANS GAN 40V 10A BUMPED DIE
详细描述:表面贴装 N 沟道 10A(Ta) 模具剖面(5 焊条)
型号:
EPC2014
仓库库存编号:
917-1018-1-ND
别名:917-1018-1
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 10A(Ta),
无铅
搜索
Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 30V 10A 8SO
详细描述:表面贴装 N 沟道 10A(Ta) 1.42W(Ta) 8-SOP
型号:
DMG4496SSS-13
仓库库存编号:
DMG4496SSS-13DICT-ND
别名:DMG4496SSS-13DICT
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 10A(Ta),
无铅
搜索
Rohm Semiconductor
MOSFET N-CH 40V 10A TSMT
详细描述:表面贴装 N 沟道 10A(Ta) 2W(Ta) 8-HSMT(3.2x3)
型号:
RQ3G100GNTB
仓库库存编号:
RQ3G100GNTBCT-ND
别名:RQ3G100GNTBCT
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 10A(Ta),
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 10A 8SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 10A(Ta) 2.5W(Ta) 8-SO
型号:
FDS6690AS
仓库库存编号:
FDS6690ASCT-ND
别名:FDS6690ASCT
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 10A(Ta),
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 10A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 10A(Ta) 1.47W(Ta) 8-SO
型号:
SI4384DY-T1-E3
仓库库存编号:
SI4384DY-T1-E3CT-ND
别名:SI4384DY-T1-E3CT
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 10A(Ta),
无铅
搜索
Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 30V 10A 8SO
详细描述:表面贴装 N 沟道 10A(Ta) 1.42W(Ta) 8-SO
型号:
DMG4466SSSL-13
仓库库存编号:
DMG4466SSSL-13DICT-ND
别名:DMG4466SSSL-13DICT
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 10A(Ta),
无铅
搜索
Rohm Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 10A HSMT8
详细描述:表面贴装 N 沟道 10A(Ta) 2W(Ta) 8-HSMT(3.2x3)
型号:
RQ3E100MNTB1
仓库库存编号:
RQ3E100MNTB1CT-ND
别名:RQ3E100MNTB1CT
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 10A(Ta),
无铅
搜索
Rohm Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 10A TO-220FM
详细描述:通孔 N 沟道 10A(Ta) 50W(Tc) TO-220FM
型号:
R6010ANX
仓库库存编号:
R6010ANX-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 10A(Ta),
无铅
搜索
1
2
3
4
5
6
邮箱:
sales@szcwdz.com
Q Q:
800152669
手机网站:
m.szcwdz.com
美国1号品牌选型
新加坡2号品牌选型
英国2号品牌选型
英国10号品牌选型
日本5号品牌选型
st(意法)简介
|
st产品
|
st动态
|
产品应用
|
st选型手册
Copyright © 2017
www.st-ic.com
All Rights Reserved. 技术支持:
电子元器件
ICP备案证书号:
粤ICP备11103613号