规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 10A(Ta),
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 550V 10A TO-220SIS
详细描述:通孔 N 沟道 10A(Ta) 45W(Tc) TO-220SIS
型号:
TK10A55D(STA4,Q,M)
仓库库存编号:
TK10A55D(STA4QM)-ND
别名:TK10A55D(STA4QM)
TK10A55DSTA4QM
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 10A(Ta),
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 800V TO-3PN
详细描述:通孔 N 沟道 10A(Ta) 250W(Tc) TO-3P(N)
型号:
TK10J80E,S1E
仓库库存编号:
TK10J80ES1E-ND
别名:TK10J80E,S1E(S
TK10J80ES1E
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 10A(Ta),
无铅
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Rohm Semiconductor
MOSFET N-CH 200V 10A TO-220FN
详细描述:通孔 N 沟道 10A(Ta) 35W(Tc) TO-220FN
型号:
RDN100N20FU6
仓库库存编号:
RDN100N20FU6-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 10A(Ta),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 10A 8PQFN
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 10A(Ta) 2.6W(Ta),20W(Tc) 8-PQFN(3.3x3.3),Power33
型号:
IRFHM8342TRPBF
仓库库存编号:
IRFHM8342TRPBFCT-ND
别名:IRFHM8342TRPBFCT
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 10A(Ta),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 10A 8DSO
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 10A(Ta) 1.56W(Ta) PG-DSO-8
型号:
BSO110N03MSGXUMA1
仓库库存编号:
BSO110N03MSGXUMA1TR-ND
别名:BSO110N03MS G
BSO110N03MS G-ND
BSO110N03MS GINTR
BSO110N03MS GINTR-ND
SP000446062
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 10A(Ta),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 30V 10A 8SOIC
详细描述:表面贴装 P 沟道 30V 10A(Ta) 2.5W(Ta) 8-SO
型号:
AUIRF7416QTR
仓库库存编号:
AUIRF7416QTR-ND
别名:SP001516460
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 10A(Ta),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 10A DIRECTFET
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 10A(Ta) 2.5W(Ta),62.5W(Tc) DIRECTFET? M4
型号:
AUIRL7766M2TR
仓库库存编号:
AUIRL7766M2TR-ND
别名:SP001516036
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 10A(Ta),
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 10A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 10A(Ta) 2.5W(Ta) 8-SO
型号:
NDS8410
仓库库存编号:
NDS8410CT-ND
别名:NDS8410CT
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 10A(Ta),
含铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET P-CH 30V 10A 8-SOP
详细描述:表面贴装 P 沟道 30V 10A(Ta) 1W(Ta) 8-SOP(5.5x6.0)
型号:
TPC8109(TE12L)
仓库库存编号:
TPC8109CT-ND
别名:TPC8109CT
TPC8109TE12L
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 10A(Ta),
含铅
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Rohm Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 10A TO-220FN
详细描述:通孔 N 沟道 60V 10A(Ta) 30W(Tc) TO-220FN
型号:
2SK2095N
仓库库存编号:
2SK2095N-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 10A(Ta),
无铅
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Rohm Semiconductor
MOSFET N-CH 200V 10A TO-220FN
详细描述:通孔 N 沟道 200V 10A(Ta) 35W(Tc) TO-220FN
型号:
RDN100N20
仓库库存编号:
RDN100N20-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 10A(Ta),
无铅
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Rohm Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 10A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 10A(Ta) 2W(Ta) 8-SOP
型号:
RSS100N03TB
仓库库存编号:
RSS100N03TBCT-ND
别名:RSS100N03TBCT
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 10A(Ta),
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 10A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 10A(Ta) 2.5W(Ta) 8-SO
型号:
SI4410DY
仓库库存编号:
SI4410DYFSCT-ND
别名:SI4410DYCT
SI4410DYCT-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 10A(Ta),
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 10A 8SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 10A(Ta) 2.5W(Ta) 8-SO
型号:
FDS4410
仓库库存编号:
FDS4410-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 10A(Ta),
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 80V 10A D-PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 80V 10A(Ta) 3.4W(Ta),69W(Tc) TO-252
型号:
FDD3570
仓库库存编号:
FDD3570-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 10A(Ta),
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET P-CH 20V 10A SSOT-8
详细描述:表面贴装 P 沟道 20V 10A(Ta) 1.8W(Ta) SuperSOT?-8
型号:
FDR840P
仓库库存编号:
FDR840P-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 10A(Ta),
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET P-CH 20V 10A SSOT-8
详细描述:表面贴装 P 沟道 20V 10A(Ta) 1.8W(Ta) SuperSOT?-8
型号:
FDR844P
仓库库存编号:
FDR844P-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 10A(Ta),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 30V 10A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 P 沟道 30V 10A(Ta) 1.5W(Ta) 8-SO
型号:
SI4483EDY-T1-E3
仓库库存编号:
SI4483EDY-T1-E3CT-ND
别名:SI4483EDY-T1-E3CT
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 10A(Ta),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 40V 10A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 40V 10A(Ta) 1.56W(Ta) 8-SO
型号:
SI4840DY-T1-E3
仓库库存编号:
SI4840DY-T1-E3CT-ND
别名:SI4840DY-T1-E3CT
SI4840DYT1E3
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 10A(Ta),
无铅
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Rohm Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 10A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 10A(Ta) 8-SOP
型号:
RRS100N03TB1
仓库库存编号:
RRS100N03TB1CT-ND
别名:RRS100N03TB1CT
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 10A(Ta),
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 450V 10A TO220FL
详细描述:通孔 N 沟道 450V 10A(Ta) 65W(Tc) TO-220FL
型号:
2SK3309(Q)
仓库库存编号:
2SK3309(Q)-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 10A(Ta),
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 450V 10A TO220SM
详细描述:表面贴装 N 沟道 450V 10A(Ta) 65W(Tc) TO-220SM
型号:
2SK3309(TE24L,Q)
仓库库存编号:
2SK3309(TE24L,Q)-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 10A(Ta),
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET P-CH 20V 10A SOP8 2-6J1B
详细描述:表面贴装 P 沟道 20V 10A(Ta) 1W(Ta) 8-SOP(5.5x6.0)
型号:
TPC8115(TE12L,Q,M)
仓库库存编号:
TPC8115(TE12L,Q,M)-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 10A(Ta),
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 600V 10A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 600V 10A(Ta) 125W(Tc) TO-220AB
型号:
2SK2866(F)
仓库库存编号:
2SK2866(F)-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 10A(Ta),
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 10A 8SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 10A(Ta) 810mW(Ta) 8-SOIC
型号:
NTMS4935NR2G
仓库库存编号:
NTMS4935NR2G-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 10A(Ta),
无铅
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