规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 2.7A(Tc),
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 250V 2.7A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 250V 2.7A(Tc) 36W(Tc) TO-220AB
型号:
IRF614PBF
仓库库存编号:
IRF614PBF-ND
别名:*IRF614PBF
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 2.7A(Tc),
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 250V 2.7A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 2.7A(Tc) 3.1W(Ta),36W(Tc) D2PAK
型号:
IRF614STRRPBF
仓库库存编号:
IRF614STRRPBF-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 2.7A(Tc),
无铅
搜索
IXYS
MOSFET N-CH 500V 2.7A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 2.7A(Tc) 36W(Tc) TO-220AB
型号:
IXFP3N50PM
仓库库存编号:
IXFP3N50PM-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 2.7A(Tc),
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 250V 2.7A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 250V 2.7A(Tc) 3.1W(Ta),36W(Tc) D2PAK
型号:
IRF614S
仓库库存编号:
IRF614S-ND
别名:*IRF614S
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 2.7A(Tc),
含铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 250V 2.7A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 250V 2.7A(Tc) 36W(Tc) TO-220AB
型号:
IRF614
仓库库存编号:
IRF614-ND
别名:*IRF614
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 2.7A(Tc),
含铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 2.7A SOT223
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 2.7A(Tc) 2W(Ta),3.1W(Tc) SOT-223
型号:
IRFL014
仓库库存编号:
IRFL014-ND
别名:*IRFL014
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 2.7A(Tc),
含铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 2.7A SOT223
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 2.7A(Tc) 2W(Ta),3.1W(Tc) SOT-223
型号:
IRFL014TR
仓库库存编号:
IRFL014TR-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 2.7A(Tc),
含铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 250V 2.7A DPAK
详细描述:表面贴装 P 沟道 250V 2.7A(Tc) 50W(Tc) D-Pak
型号:
IRFR9214
仓库库存编号:
IRFR9214-ND
别名:*IRFR9214
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 2.7A(Tc),
含铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 2.7A SOT223
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 2.7A(Tc) 2W(Ta),3.1W(Tc) SOT-223
型号:
IRLL014
仓库库存编号:
IRLL014-ND
别名:*IRLL014
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 2.7A(Tc),
含铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 2.7A SOT223
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 2.7A(Tc) 2W(Ta),3.1W(Tc) SOT-223
型号:
IRLL014TR
仓库库存编号:
IRLL014TR-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 2.7A(Tc),
含铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 250V 2.7A I-PAK
详细描述:通孔 P 沟道 250V 2.7A(Tc) 50W(Tc) TO-251AA
型号:
IRFU9214
仓库库存编号:
IRFU9214-ND
别名:*IRFU9214
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 2.7A(Tc),
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 250V 2.7A TO-262
详细描述:通孔 N 沟道 250V 2.7A(Tc) TO-262
型号:
IRF614L
仓库库存编号:
IRF614L-ND
别名:*IRF614L
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 2.7A(Tc),
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 250V 2.7A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 250V 2.7A(Tc) 3.1W(Ta),36W(Tc) D2PAK
型号:
IRF614STRL
仓库库存编号:
IRF614STRL-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 2.7A(Tc),
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 250V 2.7A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 250V 2.7A(Tc) 3.1W(Ta),36W(Tc) D2PAK
型号:
IRF614STRR
仓库库存编号:
IRF614STRR-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 2.7A(Tc),
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 250V 2.7A DPAK
详细描述:表面贴装 P 沟道 250V 2.7A(Tc) 50W(Tc) D-Pak
型号:
IRFR9214TRL
仓库库存编号:
IRFR9214TRL-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 2.7A(Tc),
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 250V 2.7A DPAK
详细描述:表面贴装 P 沟道 250V 2.7A(Tc) 50W(Tc) D-Pak
型号:
IRFR9214TR
仓库库存编号:
IRFR9214TR-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 2.7A(Tc),
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 250V 2.7A DPAK
详细描述:表面贴装 P 沟道 250V 2.7A(Tc) 50W(Tc) D-Pak
型号:
IRFR9214TRR
仓库库存编号:
IRFR9214TRR-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 2.7A(Tc),
含铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 200V 2.7A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 200V 2.7A(Tc) 2.5W(Ta),21W(Tc) D-Pak
型号:
IRLR210ATM
仓库库存编号:
IRLR210ATM-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 2.7A(Tc),
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 200V 2.7A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 200V 2.7A(Tc) 2.5W(Ta),21W(Tc) D-Pak
型号:
IRLR210ATF
仓库库存编号:
IRLR210ATF-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 2.7A(Tc),
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET P-CH 400V 2.7A DPAK
详细描述:表面贴装 P 沟道 400V 2.7A(Tc) 2.5W(Ta),50W(Tc) D-Pak
型号:
FQD4P40TF
仓库库存编号:
FQD4P40TF-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 2.7A(Tc),
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET P-CH 500V 2.7A D2PAK
详细描述:表面贴装 P 沟道 500V 2.7A(Tc) 3.13W(Ta),85W(Tc) D2PAK(TO-263AB)
型号:
FQB3P50TM
仓库库存编号:
FQB3P50TM-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 2.7A(Tc),
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET P-CH 500V 2.7A I2PAK
详细描述:通孔 P 沟道 500V 2.7A(Tc) 3.13W(Ta),85W(Tc) I2PAK
型号:
FQI3P50TU
仓库库存编号:
FQI3P50TU-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 2.7A(Tc),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 20V 2.7A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 P 沟道 20V 2.7A(Tc) 1.75W(Ta),2.75W(Tc) 8-SO
型号:
SI4845DY-T1-E3
仓库库存编号:
SI4845DY-T1-E3CT-ND
别名:SI4845DY-T1-E3CT
SI4845DYT1E3
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 2.7A(Tc),
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 200V 2.7A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 200V 2.7A(Tc) 2.5W(Ta),26W(Tc) D-Pak
型号:
IRFR210BTM_FP001
仓库库存编号:
IRFR210BTM_FP001-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 2.7A(Tc),
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