规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 1.1A(Ta),
专业代理销售st(意法)全系列产品
关于我们
|
联系我们
库存查询
ST产品选型
产品
制造商
联系我们
美国1号分类选型
新加坡2号分类选型
英国10号分类选型
英国2号分类选型
日本5号分类选型
在本站结果里搜索:
热门搜索词:
电容器
Vicor
MXP7205VW
STM32F103C8T6
1379658-1
UVX
美国1号仓库
产品分类
(27)
分立半导体产品
(27)
筛选品牌
Diodes Incorporated (10)
Infineon Technologies (3)
Nexperia USA Inc. (3)
NXP USA Inc. (1)
Fairchild/ON Semiconductor (6)
ON Semiconductor (1)
Rohm Semiconductor (1)
Vishay Siliconix (2)
重新选择
规格选型正在加载中...
在结果中搜索词:
以下搜索结果
参考图片
制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
PDF
操作
Diodes Incorporated
MOSFET P-CH 30V 1.1A SOT23-3
详细描述:表面贴装 P 沟道 1.1A(Ta) 625mW(Ta) SOT-23-3
型号:
ZXM61P03FTA
仓库库存编号:
ZXM61P03FCT-ND
别名:ZXM61P03F
ZXM61P03FCT
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 1.1A(Ta),
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 60V 1.1A 4-DIP
详细描述:通孔 P 沟道 1.1A(Ta) 1.3W(Ta) 4-DIP,Hexdip,HVMDIP
型号:
IRFD9014PBF
仓库库存编号:
IRFD9014PBF-ND
别名:*IRFD9014PBF
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 1.1A(Ta),
无铅
搜索
Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 60V 1.1A TO92-3
详细描述:通孔 N 沟道 1.1A(Ta) 850mW(Ta) TO-92-3
型号:
ZVN4306AV
仓库库存编号:
ZVN4306AV-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 1.1A(Ta),
无铅
搜索
Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 60V 1.1A TO92-3
详细描述:通孔 N 沟道 1.1A(Ta) 850mW(Ta) TO-92-3
型号:
ZVN4306A
仓库库存编号:
ZVN4306A-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 1.1A(Ta),
无铅
搜索
Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 80V 1.1A 3DFN
详细描述:表面贴装 N 沟道 80V 1.1A(Ta) 400mW(Ta),6.25W(Tc) DFN1010D-3
型号:
PMXB360ENEA
仓库库存编号:
1727-1474-1-ND
别名:1727-1474-1
568-10945-1
568-10945-1-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 1.1A(Ta),
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET P-CH 30V 1.1A SSOT3
详细描述:表面贴装 P 沟道 1.1A(Ta) 500mW(Ta) SuperSOT-3
型号:
NDS356AP
仓库库存编号:
NDS356APCT-ND
别名:NDS356APCT
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 1.1A(Ta),
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 1.1A SSOT3
详细描述:表面贴装 N 沟道 1.1A(Ta) 500mW(Ta) SuperSOT-3
型号:
NDS351N
仓库库存编号:
NDS351NCT-ND
别名:NDS351NCT
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 1.1A(Ta),
无铅
搜索
Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 30V 1.1A SC59-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 1.1A(Ta) 500mW(Ta) SC-59-3
型号:
DMN100-7-F
仓库库存编号:
DMN100-FDICT-ND
别名:DMN100-FDICT
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 1.1A(Ta),
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V WLCSP 1X1
详细描述:表面贴装 N 沟道 1.1A(Ta) 1W(Ta) 4-WLCSP(1x1)
型号:
FDZ3N513ZT
仓库库存编号:
FDZ3N513ZTCT-ND
别名:FDZ3N513ZTCT
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 1.1A(Ta),
无铅
搜索
Nexperia USA Inc.
PMT560ENEA/SC-73/REEL 7" Q1/T1
详细描述:表面贴装 N 沟道 1.1A(Ta) 750mW(Ta) SC-73
型号:
PMT560ENEAX
仓库库存编号:
1727-2725-1-ND
别名:1727-2725-1
568-13289-1
568-13289-1-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 1.1A(Ta),
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 200V 1.1A SSOT-6
详细描述:表面贴装 N 沟道 1.1A(Ta) 1.6W(Ta) SuperSOT?-6
型号:
FDC2612
仓库库存编号:
FDC2612CT-ND
别名:FDC2612CT
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 1.1A(Ta),
无铅
搜索
Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 80V 1.1A DFN1010D-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 1.1A(Ta) 400mW(Ta),6.25W(Tc) DFN1010D-3
型号:
PMXB360ENEAZ
仓库库存编号:
PMXB360ENEAZ-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 1.1A(Ta),
无铅
搜索
ON Semiconductor
MOSFET P-CH 60V SOT-23
详细描述:表面贴装 P 沟道 1.1A(Ta) 470mW(Ta) SOT-23-3(TO-236)
型号:
NVR5124PLT1G
仓库库存编号:
NVR5124PLT1G-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 1.1A(Ta),
无铅
搜索
Rohm Semiconductor
MOSFET P-CH 20V 1.1A TSMT3
详细描述:表面贴装 P 沟道 1.1A(Ta) TSMT3
型号:
RTR011P02TL
仓库库存编号:
RTR011P02TLCT-ND
别名:RTR011P02TLCT
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 1.1A(Ta),
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET P-CH 20V 1.1A SSOT-3
详细描述:表面贴装 P 沟道 20V 1.1A(Ta) 500mW(Ta) SuperSOT-3
型号:
NDS356P
仓库库存编号:
NDS356PCT-ND
别名:NDS356PCT
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 1.1A(Ta),
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 60V 1.1A 4-DIP
详细描述:通孔 P 沟道 60V 1.1A(Ta) 1.3W(Ta) 4-DIP,Hexdip,HVMDIP
型号:
IRFD9014
仓库库存编号:
IRFD9014-ND
别名:*IRFD9014
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 1.1A(Ta),
含铅
搜索
Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 60V 1.1A TO92-3
详细描述:通孔 N 沟道 60V 1.1A(Ta) 850mW(Ta) E-Line(TO-92 兼容)
型号:
ZVN4306ASTOA
仓库库存编号:
ZVN4306ASTOA-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 1.1A(Ta),
无铅
搜索
Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 60V 1.1A TO92-3
详细描述:通孔 N 沟道 60V 1.1A(Ta) 850mW(Ta) E-Line(TO-92 兼容)
型号:
ZVN4306ASTOB
仓库库存编号:
ZVN4306ASTOB-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 1.1A(Ta),
无铅
搜索
Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 60V 1.1A TO92-3
详细描述:通孔 N 沟道 60V 1.1A(Ta) 850mW(Ta) E-Line(TO-92 兼容)
型号:
ZVN4306ASTZ
仓库库存编号:
ZVN4306ASTZ-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 1.1A(Ta),
无铅
搜索
Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 60V 1.1A TO92-3
详细描述:通孔 N 沟道 60V 1.1A(Ta) 850mW(Ta) E-Line(TO-92 兼容)
型号:
ZVN4306AVSTOA
仓库库存编号:
ZVN4306AVSTOA-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 1.1A(Ta),
无铅
搜索
Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 60V 1.1A TO92-3
详细描述:通孔 N 沟道 60V 1.1A(Ta) 850mW(Ta) E-Line(TO-92 兼容)
型号:
ZVN4306AVSTOB
仓库库存编号:
ZVN4306AVSTOB-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 1.1A(Ta),
无铅
搜索
Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 60V 1.1A TO92-3
详细描述:通孔 N 沟道 60V 1.1A(Ta) 850mW(Ta) E-Line(TO-92 兼容)
型号:
ZVN4306AVSTZ
仓库库存编号:
ZVN4306AVSTZ-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 1.1A(Ta),
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 200V 1.1A 6-SSOT
详细描述:表面贴装 N 沟道 200V 1.1A(Ta) 1.6W(Ta) SuperSOT?-6
型号:
FDC2612_F095
仓库库存编号:
FDC2612_F095-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 1.1A(Ta),
无铅
搜索
NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 30V 1.1A TO-236AB
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 1.1A(Ta) 325mW(Ta),1.275W(Tc) TO-236AB(SOT23)
型号:
PMV185XN,215
仓库库存编号:
568-10831-1-ND
别名:568-10831-1
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 1.1A(Ta),
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 1.1A SOT223
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 1.1A(Ta) 1.79W(Ta) PG-SOT223-4
型号:
BSP296E6327
仓库库存编号:
BSP296INCT-ND
别名:BSP296INCT
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 1.1A(Ta),
含铅
搜索
1
2
邮箱:
sales@szcwdz.com
Q Q:
800152669
手机网站:
m.szcwdz.com
美国1号品牌选型
新加坡2号品牌选型
英国2号品牌选型
英国10号品牌选型
日本5号品牌选型
st(意法)简介
|
st产品
|
st动态
|
产品应用
|
st选型手册
Copyright © 2017
www.st-ic.com
All Rights Reserved. 技术支持:
电子元器件
ICP备案证书号:
粤ICP备11103613号