规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 1.7A（Tc）,
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CHAN 60V SOT23
详细描述：表面贴装 P 沟道 1.7A（Tc） 2W（Tc） TO-236（SOT-23）
型号：
SQ2309ES-T1_GE3
仓库库存编号：
SQ2309ES-T1_GE3CT-ND
别名：SQ2309ES-T1_GE3CT
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 1.7A（Tc）,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V 1.7A SOT-223
详细描述：表面贴装 N 沟道 1.7A（Tc） 2W（Tc） SOT-223-4
型号：
FQT7N10LTF
仓库库存编号：
FQT7N10LTFCT-ND
别名：FQT7N10LTFCT
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 1.7A（Tc）,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 400V 1.7A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 1.7A（Tc） 39W（Tc） DPAK
型号：
NDD02N40T4G
仓库库存编号：
NDD02N40T4GOSCT-ND
别名：NDD02N40T4GOSCT
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 1.7A（Tc）,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 400V 1.7A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 1.7A（Tc） 2.5W（Ta），25W（Tc） D-Pak
型号：
IRFR310TRPBF
仓库库存编号：
IRFR310PBFCT-ND
别名：*IRFR310TRPBF
IRFR310PBFCT
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 1.7A（Tc）,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 400V 1.7A IPAK
详细描述：通孔 N 沟道 1.7A（Tc） 39W（Tc） I-Pak
型号：
NDD02N40-1G
仓库库存编号：
NDD02N40-1GOS-ND
别名：NDD02N40-1G-ND
NDD02N40-1GOS
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 1.7A（Tc）,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 900V 1.7A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 1.7A（Tc） 2.5W（Ta），50W（Tc） D-Pak
型号：
FQD2N90TM
仓库库存编号：
FQD2N90TMCT-ND
别名：FQD2N90TMCT
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 1.7A（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 500V 1.7A PG-TO-252
详细描述：表面贴装 N 沟道 1.7A（Tc） 18W（Tc） PG-TO252-3
型号：
IPD50R3K0CEBTMA1
仓库库存编号：
IPD50R3K0CEBTMA1CT-ND
别名：IPD50R3K0CECT
IPD50R3K0CECT-ND
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 1.7A（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 1.7A TO252-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 1.7A（Tc） 18.1W（Tc） PG-TO252-3
型号：
IPD60R3K3C6ATMA1
仓库库存编号：
IPD60R3K3C6ATMA1CT-ND
别名：IPD60R3K3C6ATMA1CT
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 1.7A（Tc）,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 900V 1.7A TO-220AB
详细描述：通孔 N 沟道 1.7A（Tc） 54W（Tc） TO-220AB
型号：
IRFBF20PBF
仓库库存编号：
IRFBF20PBF-ND
别名：*IRFBF20PBF
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 1.7A（Tc）,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 400V 1.7A I-PAK
详细描述：通孔 N 沟道 1.7A（Tc） 2.5W（Ta），25W（Tc） TO-251AA
型号：
IRFU310PBF
仓库库存编号：
IRFU310PBF-ND
别名：*IRFU310PBF
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 1.7A（Tc）,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 2.8A SC70
详细描述：表面贴装 N 沟道 1.7A（Tc） 3.3W（Tc） SOT-363，SC70
型号：
SQ1470AEH-T1_GE3
仓库库存编号：
SQ1470AEH-T1_GE3CT-ND
别名：SQ1470AEH-T1_GE3CT
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 1.7A（Tc）,
无铅
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Rohm Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 1.7A CPT3
详细描述：表面贴装 N 沟道 1.7A（Tc） 20W（Tc） CPT3
型号：
R6002ENDTL
仓库库存编号：
R6002ENDTLCT-ND
别名：R6002ENDTLCT
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 1.7A（Tc）,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 900V 1.7A IPAK
详细描述：通孔 N 沟道 1.7A（Tc） 2.5W（Ta），50W（Tc） I-Pak
型号：
FQU2N90TU_WS
仓库库存编号：
FQU2N90TU_WS-ND
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 1.7A（Tc）,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 900V 1.7A IPAK
详细描述：通孔 N 沟道 1.7A（Tc） 2.5W（Ta），50W（Tc） I-Pak
型号：
FQU2N90TU_AM002
仓库库存编号：
FQU2N90TU_AM002-ND
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 1.7A（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 500V 1.7A PG-TO-252
详细描述：表面贴装 N 沟道 1.7A（Tc） 26W（Tc） PG-TO252-3
型号：
IPD50R3K0CEAUMA1
仓库库存编号：
IPD50R3K0CEAUMA1CT-ND
别名：IPD50R3K0CEAUMA1CT
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 1.7A（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 500V 1.7A TO-251
详细描述：通孔 N 沟道 1.7A（Tc） 18W（Tc） PG-TO251-3
型号：
IPU50R3K0CEBKMA1
仓库库存编号：
IPU50R3K0CEBKMA1-ND
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 1.7A（Tc）,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 900V 1.7A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 1.7A（Tc） 3.1W（Ta），54W（Tc） D2PAK
型号：
IRFBF20SPBF
仓库库存编号：
IRFBF20SPBF-ND
别名：*IRFBF20SPBF
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 1.7A（Tc）,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 900V 1.7A TO-262
详细描述：通孔 N 沟道 1.7A（Tc） 3.1W（Ta），54W（Tc） I2PAK
型号：
IRFBF20LPBF
仓库库存编号：
IRFBF20LPBF-ND
别名：*IRFBF20LPBF
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 1.7A（Tc）,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V 1.7A SOT-223
详细描述：表面贴装 N 沟道 1.7A（Tc） 2W（Tc） SOT-223-4
型号：
FQT7N10TF
仓库库存编号：
FQT7N10TFCT-ND
别名：FQT7N10TFCT
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 1.7A（Tc）,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 900V 1.7A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 1.7A（Tc） 3.1W（Ta），54W（Tc） D2PAK
型号：
IRFBF20STRLPBF
仓库库存编号：
IRFBF20STRLPBFCT-ND
别名：IRFBF20STRLPBFCT
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 1.7A（Tc）,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 400V 1.7A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 400V 1.7A（Tc） 2.5W（Ta），25W（Tc） D-Pak
型号：
IRFR310TRLPBF
仓库库存编号：
IRFR310TRLPBF-ND
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 1.7A（Tc）,
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 600V 1.7A TO220FP
详细描述：通孔 N 沟道 1.7A（Tc） 30W（Tc） TO-220-3
型号：
IRFIBC20GPBF
仓库库存编号：
IRFIBC20GPBF-ND
别名：*IRFIBC20GPBF
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 1.7A（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 500V 1.7A TO-251
详细描述：表面贴装 N 沟道 500V 1.7A（Tc） 26W（Tc） PG-TO251
型号：
IPU50R3K0CEAKMA1
仓库库存编号：
IPU50R3K0CEAKMA1-ND
别名：SP001396836
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 1.7A（Tc）,
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 30V 1.7A SOT23
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 1.7A（Tc） 830mW（Tc） TO-236AB（SOT23）
型号：
SI2304DS,215
仓库库存编号：
568-5957-1-ND
别名：568-5957-1
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 1.7A（Tc）,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 900V 1.7A TO-220AB
详细描述：通孔 N 沟道 900V 1.7A（Tc） 54W（Tc） TO-220AB
型号：
IRFBF20
仓库库存编号：
IRFBF20-ND
别名：*IRFBF20
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 1.7A（Tc）,
含铅
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