规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 67A(Tc),
专业代理销售st(意法)全系列产品
关于我们
|
联系我们
库存查询
ST产品选型
产品
制造商
联系我们
美国1号分类选型
新加坡2号分类选型
英国10号分类选型
英国2号分类选型
日本5号分类选型
在本站结果里搜索:
热门搜索词:
电容器
Vicor
MXP7205VW
STM32F103C8T6
1379658-1
UVX
美国1号仓库
产品分类
(43)
分立半导体产品
(43)
筛选品牌
Infineon Technologies (19)
IXYS (4)
Microsemi Corporation (9)
Nexperia USA Inc. (5)
NXP USA Inc. (1)
Fairchild/ON Semiconductor (2)
Taiwan Semiconductor Corporation (3)
重新选择
规格选型正在加载中...
在结果中搜索词:
以下搜索结果
参考图片
制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
PDF
操作
Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 30V 67A LFPAK33
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 67A(Tc) 57W(Tc) LFPAK33
型号:
PSMN7R0-30MLC,115
仓库库存编号:
1727-7144-1-ND
别名:1727-7144-1
568-9577-1
568-9577-1-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 67A(Tc),
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 67A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 67A(Tc) 125W(Tc) D2PAK(TO-263AB)
型号:
FDB14AN06LA0_F085
仓库库存编号:
FDB14AN06LA0_F085CT-ND
别名:FDB14AN06LA0_F085CT
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 67A(Tc),
无铅
搜索
Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 30V 67A LFPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 67A(Tc) 85W(Tc) LFPAK56,Power-SO8
型号:
BUK7Y10-30B,115
仓库库存编号:
1727-4602-1-ND
别名:1727-4602-1
568-5512-1
568-5512-1-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 67A(Tc),
无铅
搜索
Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 75V 67A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 67A(Tc) 157W(Tc) D2PAK
型号:
BUK9616-75B,118
仓库库存编号:
1727-4714-1-ND
别名:1727-4714-1
568-5864-1
568-5864-1-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 67A(Tc),
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 67A TO252-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 67A(Tc) 125W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD12CN10NGATMA1
仓库库存编号:
IPD12CN10NGATMA1CT-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 67A(Tc),
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V 67A TO-220-3
详细描述:通孔 N 沟道 67A(Tc) 43W(Tc) TO-220F-3
型号:
FDPF045N10A
仓库库存编号:
FDPF045N10A-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 67A(Tc),
无铅
搜索
Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 200V 67A D3PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 67A(Tc) 370W(Tc) D3 [S]
型号:
APT20M38SVRG
仓库库存编号:
APT20M38SVRG-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 67A(Tc),
无铅
搜索
Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 500V 67A T-MAX
详细描述:通孔 N 沟道 67A(Tc) 694W(Tc) T-MAX? [B2]
型号:
APT50M65B2FLLG
仓库库存编号:
APT50M65B2FLLG-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 67A(Tc),
无铅
搜索
Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 80V LFPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 67A(Tc) 117W(Tc) LFPAK56,Power-SO8
型号:
PSMN011-80YS,115
仓库库存编号:
1727-4623-1-ND
别名:1727-4623-1
568-5577-1
568-5577-1-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 67A(Tc),
无铅
搜索
IXYS
MOSFET N-CH 100V 67A TO247AD
详细描述:通孔 N 沟道 67A(Tc) 300W(Tc) TO-247(IXTH)
型号:
IXTH67N10
仓库库存编号:
IXTH67N10-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 67A(Tc),
无铅
搜索
Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, TRENC
详细描述:表面贴装 N 沟道 67A(Tc) 83W(Tc) 8-PDFN(5x6)
型号:
TSM089N08LCR RLG
仓库库存编号:
TSM089N08LCR RLGTR-ND
别名:TSM089N08LCR RLGTR
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 67A(Tc),
无铅
搜索
Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, TRENC
详细描述:表面贴装 N 沟道 67A(Tc) 83W(Tc) 8-PDFN(5x6)
型号:
TSM089N08LCR RLG
仓库库存编号:
TSM089N08LCR RLGCT-ND
别名:TSM089N08LCR RLGCT
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 67A(Tc),
无铅
搜索
Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, TRENC
详细描述:表面贴装 N 沟道 67A(Tc) 83W(Tc) 8-PDFN(5x6)
型号:
TSM089N08LCR RLG
仓库库存编号:
TSM089N08LCR RLGDKR-ND
别名:TSM089N08LCR RLGDKR
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 67A(Tc),
无铅
搜索
IXYS
MOSFET N-CH 150V 67A ISOPLUS247
详细描述:通孔 N 沟道 150V 67A(Tc) 250W(Tc) ISOPLUS247?
型号:
IXFR70N15
仓库库存编号:
IXFR70N15-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 67A(Tc),
无铅
搜索
Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 200V 67A D3PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 200V 67A(Tc) 370W(Tc) D3Pak
型号:
APT20M38SVRG/TR
仓库库存编号:
APT20M38SVRG/TR-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 67A(Tc),
无铅
搜索
Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 200V 67A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 200V 67A(Tc) 370W(Tc) TO-247 [B]
型号:
APT20M38BVRG
仓库库存编号:
APT20M38BVRG-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 67A(Tc),
无铅
搜索
Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 500V 67A TO-264
详细描述:通孔 N 沟道 500V 67A(Tc) 694W(Tc) TO-264 [L]
型号:
APT50M65LLLG
仓库库存编号:
APT50M65LLLG-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 67A(Tc),
无铅
搜索
Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 500V 67A TO-264
详细描述:通孔 N 沟道 500V 67A(Tc) 694W(Tc) TO-264 [L]
型号:
APT50M65LFLLG
仓库库存编号:
APT50M65LFLLG-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 67A(Tc),
无铅
搜索
Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 500V 67A T-MAX
详细描述:通孔 N 沟道 500V 67A(Tc) 694W(Tc) T-MAX? [B2]
型号:
APT50M65B2LLG
仓库库存编号:
APT50M65B2LLG-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 67A(Tc),
无铅
搜索
Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 30V 67A LFPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 67A(Tc) 62.5W(Tc) LFPAK56,Power-SO8
型号:
PH8230E,115
仓库库存编号:
1727-3123-1-ND
别名:1727-3123-1
568-2350-1
568-2350-1-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 67A(Tc),
无铅
搜索
IXYS
MOSFET N-CH 100V 67A TO-247AD
详细描述:通孔 N 沟道 100V 67A(Tc) 300W(Tc) TO-247AD(IXFH)
型号:
IXFH67N10
仓库库存编号:
IXFH67N10-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 67A(Tc),
含铅
搜索
Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 200V 67A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 200V 67A(Tc) 370W(Tc) TO-247 [B]
型号:
APT20M38BVFRG
仓库库存编号:
APT20M38BVFRG-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 67A(Tc),
无铅
搜索
Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 200V 67A D3PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 200V 67A(Tc) 370W(Tc) D3 [S]
型号:
APT20M38SVFRG
仓库库存编号:
APT20M38SVFRG-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 67A(Tc),
无铅
搜索
IXYS
MOSFET N-CH TO-247AD
详细描述:通孔 N 沟道 100V 67A(Tc) 300W(Tc) TO-247AD(IXFH)
型号:
IXFH67N10Q
仓库库存编号:
IXFH67N10Q-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 67A(Tc),
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 67A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 20V 67A(Tc) 57W(Tc) D2PAK
型号:
IRF3704ZCS
仓库库存编号:
IRF3704ZCS-ND
别名:*IRF3704ZCS
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 67A(Tc),
含铅
搜索
1
2
邮箱:
sales@szcwdz.com
Q Q:
800152669
手机网站:
m.szcwdz.com
美国1号品牌选型
新加坡2号品牌选型
英国2号品牌选型
英国10号品牌选型
日本5号品牌选型
st(意法)简介
|
st产品
|
st动态
|
产品应用
|
st选型手册
Copyright © 2017
www.st-ic.com
All Rights Reserved. 技术支持:
电子元器件
ICP备案证书号:
粤ICP备11103613号