规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 67A(Tc),
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 67A TO-262
详细描述:通孔 N 沟道 20V 67A(Tc) 57W(Tc) TO-262
型号:
IRF3704ZLPBF
仓库库存编号:
IRF3704ZLPBF-ND
别名:*IRF3704ZLPBF
SP001564428
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 67A(Tc),
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 67A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 20V 67A(Tc) 57W(Tc) TO-220AB
型号:
IRF3704ZPBF
仓库库存编号:
IRF3704ZPBF-ND
别名:*IRF3704ZPBF
SP001561776
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 67A(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 67A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 20V 67A(Tc) 57W(Tc) D2PAK
型号:
IRF3704ZSPBF
仓库库存编号:
IRF3704ZSPBF-ND
别名:*IRF3704ZSPBF
SP001569932
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 67A(Tc),
无铅
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NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 75V 67A TO220AB
详细描述:通孔 N 沟道 75V 67A(Tc) 157W(Tc) TO-220AB
型号:
BUK9516-75B,127
仓库库存编号:
568-5730-5-ND
别名:568-5730
568-5730-5
568-5730-ND
934057748127
BUK9516-75B
BUK9516-75B,127-ND
BUK9516-75B-ND
BUK951675B127
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 67A(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 67A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 100V 67A(Tc) 125W(Tc) PG-TO-220-3
型号:
IPP12CN10N G
仓库库存编号:
IPP12CN10N G-ND
别名:IPP12CN10NGX
IPP12CN10NGXK
SP000096468
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 67A(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 85V 67A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 85V 67A(Tc) 125W(Tc) PG-TO-220-3
型号:
IPP12CNE8N G
仓库库存编号:
IPP12CNE8N G-ND
别名:IPP12CNE8NGX
IPP12CNE8NGXK
SP000096467
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 67A(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 67A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 20V 67A(Tc) 57W(Tc) D2PAK
型号:
IRF3704ZSTRRPBF
仓库库存编号:
IRF3704ZSTRRPBF-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 67A(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 67A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 20V 67A(Tc) 57W(Tc) D2PAK
型号:
IRF3704ZCSTRRP
仓库库存编号:
IRF3704ZCSTRRP-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 67A(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 67A TO-262
详细描述:通孔 N 沟道 20V 67A(Tc) 57W(Tc) TO-262
型号:
IRF3704ZCLPBF
仓库库存编号:
IRF3704ZCLPBF-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 67A(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 67A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 20V 67A(Tc) 57W(Tc) D2PAK
型号:
IRF3704ZSTRLPBF
仓库库存编号:
IRF3704ZSTRLPBF-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 67A(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 67A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 20V 67A(Tc) 57W(Tc) D2PAK
型号:
IRF3704ZCSTRLP
仓库库存编号:
IRF3704ZCSTRLP-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 67A(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 67A TO263-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 67A(Tc) 125W(Tc) PG-TO263-3
型号:
IPB12CN10N G
仓库库存编号:
IPB12CN10N G-ND
别名:SP000096450
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 67A(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 85V 67A TO263-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 85V 67A(Tc) 125W(Tc) PG-TO263-2
型号:
IPB12CNE8N G
仓库库存编号:
IPB12CNE8N G-ND
别名:SP000096451
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 67A(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 67A TO252-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 67A(Tc) 125W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD12CN10NGBUMA1
仓库库存编号:
IPD12CN10NGBUMA1TR-ND
别名:IPD12CN10N G
IPD12CN10N G-ND
SP000096476
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 67A(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 85V 67A TO252-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 85V 67A(Tc) 125W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD12CNE8N G
仓库库存编号:
IPD12CNE8N G-ND
别名:SP000096477
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 67A(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 67A TO262-3
详细描述:通孔 N 沟道 100V 67A(Tc) 125W(Tc) PG-TO262-3
型号:
IPI12CN10N G
仓库库存编号:
IPI12CN10N G-ND
别名:SP000208928
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 67A(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 85V 67A TO262-3
详细描述:通孔 N 沟道 85V 67A(Tc) 125W(Tc) PG-TO262-3
型号:
IPI12CNE8N G
仓库库存编号:
IPI12CNE8N G-ND
别名:SP000208929
SP000680714
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 67A(Tc),
无铅
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MOSFET N-CH 100V 67A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 100V 67A(Tc) 125W(Tc) PG-TO-220-3
型号:
IPP12CN10NGXKSA1
仓库库存编号:
IPP12CN10NGXKSA1-ND
别名:SP000680866
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