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• Diodes Incorporated
  MOSFET P-CH 60V 3A SOT-23-6
  详细描述：表面贴装 P 沟道 2.3A（Ta） 1.1W（Ta） SOT-26
  
  型号：ZXMP6A17E6TA
  仓库库存编号：ZXMP6A17E6CT-ND
  别名：ZXMP6A17E6CT
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 2.3A（Ta）,
• 无铅
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 100V 2.3A SOT-223
  详细描述：表面贴装 N 沟道 2.3A（Ta） 2.4W（Ta） SOT-223-4
  
  型号：IRFM120ATF
  仓库库存编号：IRFM120ATFCT-ND
  别名：IRFM120ATFCT
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 2.3A（Ta）,
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  无铅
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 30V 2.3A ES6
  详细描述：表面贴装 N 沟道 2.3A（Ta） 500mW（Ta） ES6（1.6x1.6）
  
  型号：SSM6K202FE,LF
  仓库库存编号：SSM6K202FELFCT-ND
  别名：SSM6K202FE(TE85LFCT
  SSM6K202FE(TE85LFCT-ND
  SSM6K202FE,LFCT
  SSM6K202FE,LFCT-ND
  SSM6K202FELF
  SSM6K202FELFCT
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 2.3A（Ta）,
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  无铅
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• Diodes Incorporated
  MOSFET P-CH 60V 3A SOT-23-6
  详细描述：表面贴装 P 沟道 2.3A（Ta） 1.1W（Ta） SOT-26
  
  型号：ZXMP6A17E6QTA
  仓库库存编号：ZXMP6A17E6QTADICT-ND
  别名：ZXMP6A17E6QTADICT
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 2.3A（Ta）,
• 无铅
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• Diodes Incorporated
  MOSFET P-CH 20V 2.3A SOT23-6
  详细描述：表面贴装 P 沟道 2.3A（Ta） 1.1W（Ta） SOT-23-6
  
  型号：ZXM62P02E6TA
  仓库库存编号：ZXM62P02E6CT-ND
  别名：ZXM62P02E6
  ZXM62P02E6CT
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 2.3A（Ta）,
• 无铅
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 250V 2.3A PPAK SO-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 2.3A（Ta） 1.9W（Ta） PowerPAK? SO-8
  
  型号：SI7434DP-T1-GE3
  仓库库存编号：SI7434DP-T1-GE3CT-ND
  别名：SI7434DP-T1-GE3CT
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 2.3A（Ta）,
• 无铅
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• Texas Instruments
  MOSFET P-CH 15V 2.3A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 P 沟道 2.3A（Ta） 791mW（Ta） 8-SOIC
  
  型号：TPS1101D
  仓库库存编号：296-3381-5-ND
  别名：296-3381-5
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 2.3A（Ta）,
• 无铅
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 20V 2.3A SOT23
  详细描述：表面贴装 N 沟道 2.3A（Ta） 500mW（Ta） PG-SOT23-3
  
  型号：BSS806NH6327XTSA1
  仓库库存编号：BSS806NH6327XTSA1CT-ND
  别名：BSS806N H6327CT
  BSS806N H6327CT-ND
  BSS806NH6327XTSA1CT
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 2.3A（Ta）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 20V 2.3A SOT23
  详细描述：表面贴装 N 沟道 2.3A（Ta） 500mW（Ta） PG-SOT23-3
  
  型号：BSS806NEH6327XTSA1
  仓库库存编号：BSS806NEH6327XTSA1CT-ND
  别名：BSS806NEH6327XTSA1CT
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 2.3A（Ta）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET P-CH 30V 2.3A SOT-23-3
  详细描述：表面贴装 P 沟道 2.3A（Ta） 1.25W（Ta） Micro3?/SOT-23
  
  型号：IRLML9303TRPBF
  仓库库存编号：IRLML9303TRPBFCT-ND
  别名：IRLML9303TRPBFCT
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 2.3A（Ta）,
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• ON Semiconductor
  MOSFET P-CH 20V 2.3A 6-WDFN
  详细描述：表面贴装 P 沟道 2.3A（Ta） 710mW（Ta） 6-WDFN（2x2）
  
  型号：NTLJF3117PT1G
  仓库库存编号：NTLJF3117PT1GOSCT-ND
  别名：NTLJF3117PT1GOSCT
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 2.3A（Ta）,
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• Texas Instruments
  MOSFET N-CH 30V 2.3A PICOSTAR
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 2.3A（Ta） 500mW（Ta） 3-PICOSTAR
  
  型号：CSD17382F4T
  仓库库存编号：296-44148-1-ND
  别名：296-44148-1
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 2.3A（Ta）,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET P-CH 20V 2.3A TSM
  详细描述：表面贴装 P 沟道 2.3A（Ta） 700mW（Ta） TSM
  
  型号：SSM3J304T(TE85L,F)
  仓库库存编号：SSM3J304T(TE85LF)CT-ND
  别名：SSM3J304T(TE85LF)CT
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 2.3A（Ta）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 60V 2.3A SC59
  详细描述：表面贴装 N 沟道 2.3A（Ta） 500mW（Ta） PG-SC-59
  
  型号：BSR606NH6327XTSA1
  仓库库存编号：BSR606NH6327XTSA1CT-ND
  别名：BSR606NH6327XTSA1CT
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 2.3A（Ta）,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET N-CH 100V 2.3A SOT223
  详细描述：表面贴装 N 沟道 2.3A（Ta） 1.8W（Ta） SOT-223
  
  型号：DMN10H220LE-13
  仓库库存编号：DMN10H220LE-13DICT-ND
  别名：DMN10H220LE-13DICT
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 2.3A（Ta）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 40V 2.3A SOT23-3
  详细描述：表面贴装 P 沟道 2.3A（Ta） 750mW（Ta）
  
  型号：SI2319DS-T1-GE3
  仓库库存编号：SI2319DS-T1-GE3CT-ND
  别名：SI2319DS-T1-GE3CT
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 2.3A（Ta）,
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• Central Semiconductor Corp
  MOSFET P-CH 20V 2.3A SOT-23F
  详细描述：表面贴装 P 沟道 2.3A（Ta） 350mW（Ta） SOT-23F
  
  型号：CMPDM202PH TR
  仓库库存编号：CMPDM202PH CT-ND
  别名：CMPDM202PH CT
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 2.3A（Ta）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 150V 2.3A 6SSOT
  详细描述：表面贴装 N 沟道 2.3A（Ta） 1.6W（Ta） SuperSOT?-6
  
  型号：FDC86244
  仓库库存编号：FDC86244CT-ND
  别名：FDC86244CT
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 2.3A（Ta）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 2.3A SOT23
  详细描述：表面贴装 N 沟道 2.3A（Ta） 500mW（Ta） PG-SOT23-3
  
  型号：BSS306NH6327XTSA1
  仓库库存编号：BSS306NH6327XTSA1CT-ND
  别名：BSS306N H6327CT
  BSS306N H6327CT-ND
  BSS306NH6327XTSA1CT
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 2.3A（Ta）,
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• Texas Instruments
  MOSFET P-CH 12V 3PICOSTAR
  详细描述：表面贴装 P 沟道 2.3A（Ta） 500mW（Ta） 3-PICOSTAR
  
  型号：CSD23381F4T
  仓库库存编号：296-37782-1-ND
  别名：296-37782-1
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 2.3A（Ta）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 20V 2.3A SC-70-6
  详细描述：表面贴装 P 沟道 2.3A（Ta） 1W（Ta） SC-70-6（SOT-363）
  
  型号：SI1413EDH-T1-GE3
  仓库库存编号：SI1413EDH-T1-GE3CT-ND
  别名：SI1413EDH-T1-GE3CT
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 2.3A（Ta）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 40V 2.3A SOT23-3
  详细描述：表面贴装 P 沟道 2.3A（Ta） 750mW（Ta） SOT-23-3（TO-236）
  
  型号：SI2319DS-T1-E3
  仓库库存编号：SI2319DS-T1-E3CT-ND
  别名：SI2319DS-T1-E3CT
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 2.3A（Ta）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 250V 2.3A PPAK SO-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 2.3A（Ta） 1.9W（Ta） PowerPAK? SO-8
  
  型号：SI7434DP-T1-E3
  仓库库存编号：SI7434DP-T1-E3CT-ND
  别名：SI7434DP-T1-E3CT
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 2.3A（Ta）,
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• Texas Instruments
  MOSFET N-CH 30V 2.3A LGA
  详细描述：表面贴装 N 沟道 2.3A（Ta） 500mW（Ta） 3-PICOSTAR
  
  型号：CSD17382F4
  仓库库存编号：CSD17382F4-ND
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 2.3A（Ta）,
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• ON Semiconductor
  MOSFET P-CH 30V 2.3A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 P 沟道 2.3A（Ta） 770mW（Ta） 8-SOIC
  
  型号：NTMD4184PFR2G
  仓库库存编号：NTMD4184PFR2G-ND
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 2.3A（Ta）,
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