规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 2.3A（Ta）,
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ON Semiconductor
MOSFET P-CH 20V 2.3A 6-DFN
详细描述：表面贴装 P 沟道 2.3A（Ta） 1.14W（Ta） 6-DFN（3x3）
型号：
NTLGF3402PT2G
仓库库存编号：
NTLGF3402PT2G-ND
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 2.3A（Ta）,
无铅
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Texas Instruments
MOSFET P-CH 15V 2.3A 8-SOIC
详细描述：表面贴装 P 沟道 15V 2.3A（Ta） 791mW（Ta） 8-SOIC
型号：
TPS1101DR
仓库库存编号：
TPS1101DR-ND
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 2.3A（Ta）,
无铅
搜索
Texas Instruments
MOSFET P-CH 15V 2.3A 8-SOIC
详细描述：表面贴装 P 沟道 15V 2.3A（Ta） 791mW（Ta） 8-SOIC
型号：
TPS1101DRG4
仓库库存编号：
TPS1101DRG4-ND
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 2.3A（Ta）,
无铅
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Texas Instruments
MOSFET P-CH 15V 2.3A 8-SOIC
详细描述：表面贴装 P 沟道 2.3A（Ta） 791mW（Ta） 8-SOIC
型号：
TPS1101DG4
仓库库存编号：
TPS1101DG4-ND
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 2.3A（Ta）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 75V 2.3A SOT223
详细描述：表面贴装 N 沟道 75V 2.3A（Ta） 1.8W（Ta） PG-SOT223-4
型号：
BSP716NH6327XTSA1
仓库库存编号：
BSP716NH6327XTSA1-ND
别名：SP001087514
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 2.3A（Ta）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH TSOP6-6
详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 20V 2.3A (Ta) 500mW Surface Mount PG-TSOP6-6
型号：
BSL806NH6327XTSA1
仓库库存编号：
BSL806NH6327XTSA1-ND
别名：SP001101014
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 2.3A（Ta）,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET P-CH 20V 2.3A 8-SOIC
详细描述：表面贴装 P 沟道 20V 2.3A（Ta） 710mW（Ta） 8-SOIC
型号：
NTMSD2P102LR2
仓库库存编号：
NTMSD2P102LR2OS-ND
别名：NTMSD2P102LR2OS
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 2.3A（Ta）,
含铅
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ON Semiconductor
MOSFET P-CH 20V 2.3A 8-SOIC
详细描述：表面贴装 P 沟道 20V 2.3A（Ta） 710mW（Ta） 8-SOIC
型号：
NTMSD2P102LR2G
仓库库存编号：
NTMSD2P102LR2GOS-ND
别名：NTMSD2P102LR2GOS
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 2.3A（Ta）,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET P-CH 20V 2.3A 6-DFN
详细描述：表面贴装 P 沟道 20V 2.3A（Ta） 1.14W（Ta） 6-DFN（3x3）
型号：
NTLGF3402PT1G
仓库库存编号：
NTLGF3402PT1G-ND
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 2.3A（Ta）,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET P-CH 20V 2.3A 8-SOIC
详细描述：表面贴装 P 沟道 20V 2.3A（Ta） 8-SOIC
型号：
NTMSD2P102R2
仓库库存编号：
NTMSD2P102R2-ND
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 2.3A（Ta）,
含铅
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ON Semiconductor
MOSFET P-CH 20V 2.3A 8-SOIC
详细描述：表面贴装 P 沟道 20V 2.3A（Ta） 8-SOIC
型号：
NTMSD2P102R2SG
仓库库存编号：
NTMSD2P102R2SG-ND
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 2.3A（Ta）,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 20V 2.3A SC70-6
详细描述：表面贴装 P 沟道 20V 2.3A（Ta） 1W（Ta） SC-70-6（SOT-363）
型号：
SI1413EDH-T1-E3
仓库库存编号：
SI1413EDH-T1-E3CT-ND
别名：SI1413EDH-T1-E3CT
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 2.3A（Ta）,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 200V 2.3A 8-SOIC
详细描述：表面贴装 N 沟道 200V 2.3A（Ta） 1.5W（Ta） 8-SO
型号：
SI4418DY-T1-E3
仓库库存编号：
SI4418DY-T1-E3CT-ND
别名：SI4418DY-T1-E3CT
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 2.3A（Ta）,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 20V 2.3A SOT23-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 20V 2.3A（Ta） 600mW（Ta） SOT-23-3
型号：
DMN2170U-7
仓库库存编号：
DMN2170UDICT-ND
别名：DMN2170U7
DMN2170UDICT
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 2.3A（Ta）,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET P-CH 20V 2.3A 6-WDFN
详细描述：表面贴装 P 沟道 20V 2.3A（Ta） 710mW（Ta） 6-WDFN（2x2）
型号：
NTLJF3117PTAG
仓库库存编号：
NTLJF3117PTAG-ND
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 2.3A（Ta）,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 55V 2.3A 6-TSOP
详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 2.3A（Ta） 1.56W（Ta） 6-TSOP
型号：
AO6414
仓库库存编号：
785-1075-1-ND
别名：785-1075-1
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 2.3A（Ta）,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET P-CH 30V 2.3A 6TSOP
详细描述：表面贴装 P 沟道 30V 2.3A（Ta） 1.15W（Ta） 6-TSOP
型号：
AO6701
仓库库存编号：
785-1079-1-ND
别名：785-1079-1
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 2.3A（Ta）,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 200V 2.3A 8-SOIC
详细描述：表面贴装 N 沟道 200V 2.3A（Ta） 1.5W（Ta） 8-SO
型号：
SI4418DY-T1-GE3
仓库库存编号：
SI4418DY-T1-GE3CT-ND
别名：SI4418DY-T1-GE3CT
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 2.3A（Ta）,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 20V 2.3A SC-70-6
详细描述：表面贴装 P 沟道 20V 2.3A（Ta） 1W（Ta） SC-70-6（SOT-363）
型号：
SI1413DH-T1-E3
仓库库存编号：
SI1413DH-T1-E3-ND
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 2.3A（Ta）,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 20V 2.3A SC-70-6
详细描述：表面贴装 P 沟道 20V 2.3A（Ta） 1W（Ta） SC-70-6（SOT-363）
型号：
SI1413DH-T1-GE3
仓库库存编号：
SI1413DH-T1-GE3-ND
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 2.3A（Ta）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 30V 2.3A 6-TSOP
详细描述：表面贴装 P 沟道 30V 2.3A（Ta） 1.7W（Ta） Micro6?（SOT23-6）
型号：
IRLMS5703TR
仓库库存编号：
IRLMS5703CT-ND
别名：*IRLMS5703TR
IRLMS5703
IRLMS5703CT
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 2.3A（Ta）,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 2.3A SOT-23
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 2.3A（Ta） 500mW（Ta） PG-SOT23-3
型号：
BSS306NL6327HTSA1
仓库库存编号：
BSS306NL6327HTSA1TR-ND
别名：BSS306N L6327
BSS306N L6327-ND
SP000442400
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 2.3A（Ta）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 2.3A SOT23
详细描述：表面贴装 N 沟道 20V 2.3A（Ta） 500mW（Ta） PG-SOT23-3
型号：
BSS806NL6327HTSA1
仓库库存编号：
BSS806NL6327HTSA1TR-ND
别名：BSS806N L6327
BSS806N L6327-ND
SP000464848
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 2.3A（Ta）,
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