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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 600V 1.2A IPAK
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 1.2A（Tc） 27W（Tc） I-Pak
  
  型号：STU1HN60K3
  仓库库存编号：497-13787-5-ND
  别名：497-13787-5
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 1.2A（Tc）,
• 无铅
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 600V 1.2A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 1.2A（Tc） 27W（Tc） DPAK
  
  型号：STD1HN60K3
  仓库库存编号：497-13748-1-ND
  别名：497-13748-1
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 1.2A（Tc）,
• 无铅
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 900V 1.2A TO220FP
  详细描述：通孔 N 沟道 1.2A（Tc） 30W（Tc） TO-220-3
  
  型号：IRFIBF20GPBF
  仓库库存编号：IRFIBF20GPBF-ND
  别名：*IRFIBF20GPBF
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 1.2A（Tc）,
• 无铅
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 900V 1.2A TO220FP
  详细描述：通孔 N 沟道 900V 1.2A（Tc） 30W（Tc） TO-220-3
  
  型号：IRFIBF20G
  仓库库存编号：IRFIBF20G-ND
  别名：*IRFIBF20G
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 1.2A（Tc）,
• 含铅
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET P-CH 500V 1.2A DPAK
  详细描述：表面贴装 P 沟道 500V 1.2A（Tc） 2.5W（Ta），38W（Tc） D-Pak
  
  型号：FQD1P50TF
  仓库库存编号：FQD1P50TF-ND
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 1.2A（Tc）,
• 无铅
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET P-CH 500V 1.2A DPAK
  详细描述：表面贴装 P 沟道 500V 1.2A（Tc） 2.5W（Ta），38W（Tc） D-Pak
  
  型号：FQD1P50TM
  仓库库存编号：FQD1P50TM-ND
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 1.2A（Tc）,
• 无铅
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 600V 1.2A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 1.2A（Tc） 40W（Tc） TO-220-3
  
  型号：FQP1N60
  仓库库存编号：FQP1N60-ND
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 1.2A（Tc）,
• 无铅
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 600V 1.2A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 1.2A（Tc） 3.13W（Ta），40W（Tc） D2PAK（TO-263AB）
  
  型号：FQB1N60TM
  仓库库存编号：FQB1N60TM-ND
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 1.2A（Tc）,
• 无铅
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