规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 17.3A(Ta),
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 650V 17.3A T0247
详细描述:通孔 N 沟道 17.3A(Ta) 165W(Tc) TO-247
型号:
TK17N65W,S1F
仓库库存编号:
TK17N65WS1F-ND
别名:TK17N65W,S1F(S
TK17N65WS1F
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 17.3A(Ta),
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 650V 17.3A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 17.3A(Ta) 165W(Tc) TO-220
型号:
TK17E65W,S1X
仓库库存编号:
TK17E65WS1X-ND
别名:TK17E65W,S1X(S
TK17E65WS1X
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 17.3A(Ta),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 30V 17.3A 8-SO
详细描述:表面贴装 P 沟道 17.3A(Ta) 3.1W(Ta),6.9W(Tc) 8-SO
型号:
SI4491EDY-T1-GE3
仓库库存编号:
SI4491EDY-T1-GE3-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 17.3A(Ta),
无铅
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