规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 25A(Tc),
专业代理销售st(意法)全系列产品
关于我们
|
联系我们
库存查询
ST产品选型
产品
制造商
联系我们
美国1号分类选型
新加坡2号分类选型
英国10号分类选型
英国2号分类选型
日本5号分类选型
在本站结果里搜索:
热门搜索词:
电容器
Vicor
MXP7205VW
STM32F103C8T6
1379658-1
UVX
美国1号仓库
产品分类
(139)
分立半导体产品
(139)
筛选品牌
Alpha & Omega Semiconductor Inc. (12)
Diodes Incorporated (2)
GeneSiC Semiconductor (2)
Infineon Technologies (23)
IXYS (11)
Microsemi Corporation (9)
Nexperia USA Inc. (4)
Fairchild/ON Semiconductor (15)
ON Semiconductor (3)
Rohm Semiconductor (3)
Sanken (1)
STMicroelectronics (21)
Taiwan Semiconductor Corporation (3)
Vishay Siliconix (30)
重新选择
规格选型正在加载中...
在结果中搜索词:
以下搜索结果
参考图片
制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
PDF
操作
Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 40V 25A LFPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 25A(Tc) 37W(Tc) LFPAK56,Power-SO8
型号:
BUK9Y29-40E,115
仓库库存编号:
1727-1497-1-ND
别名:1727-1497-1
568-10977-1
568-10977-1-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 25A(Tc),
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 20V 25A PPAK CHIPFET
详细描述:表面贴装 N 沟道 25A(Tc) 3.1W(Ta),31W(Tc) PowerPAK? ChipFET 单通道
型号:
SI5442DU-T1-GE3
仓库库存编号:
SI5442DU-T1-GE3CT-ND
别名:SI5442DU-T1-GE3CT
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 25A(Tc),
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 20V 25A CHIPFET
详细描述:表面贴装 P 沟道 25A(Tc) 3.1W(Ta),31W(Tc) PowerPAK? ChipFET 单通道
型号:
SI5415AEDU-T1-GE3
仓库库存编号:
SI5415AEDU-T1-GE3CT-ND
别名:SI5415AEDU-T1-GE3CT
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 25A(Tc),
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 150V 25A TO252
详细描述:表面贴装 N 沟道 25A(Tc) 3W(Ta),136W(Tc) TO-252,(D-Pak)
型号:
SUD25N15-52-E3
仓库库存编号:
SUD25N15-52-E3CT-ND
别名:SUD25N15-52-E3CT
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 25A(Tc),
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 250V 25A TO-220F
详细描述:通孔 N 沟道 25A(Tc) 62.5W(Tc) TO-220F
型号:
FDPF2710T
仓库库存编号:
FDPF2710T-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 25A(Tc),
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 20V 25A SC-70-6
详细描述:表面贴装 N 沟道 25A(Tc) 3.5W(Ta),19.2W(Tc) PowerPAK? SC-70-6 单
型号:
SIA466EDJ-T1-GE3
仓库库存编号:
SIA466EDJ-T1-GE3CT-ND
别名:SIA466EDJ-T1-GE3CT
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 25A(Tc),
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 25A PPAK SO-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 25A(Tc) 4.5W(Ta),31W(Tc) PowerPAK? SO-8
型号:
SIRA12DP-T1-GE3
仓库库存编号:
SIRA12DP-T1-GE3CT-ND
别名:SIRA12DP-T1-GE3CT
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 25A(Tc),
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 25A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 25A(Tc) 57W(Tc) D-Pak
型号:
IRLR3105TRPBF
仓库库存编号:
IRLR3105TRPBFCT-ND
别名:IRLR3105TRPBFCT
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 25A(Tc),
无铅
搜索
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 100V 25A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 25A(Tc) 100W(Tc) D-Pak
型号:
STD26NF10
仓库库存编号:
497-7963-1-ND
别名:497-7963-1
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 25A(Tc),
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 250V 25A
详细描述:表面贴装 N 沟道 25A(Tc) 136W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD600N25N3GATMA1
仓库库存编号:
IPD600N25N3GATMA1CT-ND
别名:IPD600N25N3GATMA1CT
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 25A(Tc),
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 250V 25A TDSON-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 25A(Tc) 125W(Tc) PG-TDSON-8
型号:
BSC600N25NS3 G
仓库库存编号:
BSC600N25NS3 GCT-ND
别名:BSC600N25NS3 GCT
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 25A(Tc),
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 150V 25A TO252
详细描述:表面贴装 N 沟道 25A(Tc) 107W(Tc) TO-252,(D-Pak)
型号:
SQD25N15-52_GE3
仓库库存编号:
SQD25N15-52_GE3CT-ND
别名:SQD25N15-52_GE3CT
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 25A(Tc),
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 12V 25A PPAK CHIPFET
详细描述:表面贴装 P 沟道 25A(Tc) 3.1W(Ta),31W(Tc) PowerPAK? ChipFET 单通道
型号:
SI5411EDU-T1-GE3
仓库库存编号:
SI5411EDU-T1-GE3CT-ND
别名:SI5411EDU-T1-GE3CT
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 25A(Tc),
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 20V 25A PPAK CHIPFET
详细描述:表面贴装 P 沟道 25A(Tc) 3.1W(Ta),31W(Tc) PowerPAK? ChipFET 单通道
型号:
SI5415EDU-T1-GE3
仓库库存编号:
SI5415EDU-T1-GE3CT-ND
别名:SI5415EDU-T1-GE3CT
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 25A(Tc),
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 250V 25A TO220-3
详细描述:通孔 N 沟道 25A(Tc) 136W(Tc) PG-TO220-3-1
型号:
IPP600N25N3 G
仓库库存编号:
IPP600N25N3 G-ND
别名:IPP600N25N3G
IPP600N25N3GXKSA1
SP000677832
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 25A(Tc),
无铅
搜索
Rohm Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 25A TO247
详细描述:通孔 N 沟道 25A(Tc) 150W(Tc) TO-247
型号:
R6025FNZ1C9
仓库库存编号:
R6025FNZ1C9-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 25A(Tc),
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 400V 25A TO-247AC
详细描述:通孔 N 沟道 25A(Tc) 278W(Tc) TO-247AC
型号:
SIHG25N40D-E3
仓库库存编号:
SIHG25N40D-E3-ND
别名:SIHG25N40DE3
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 25A(Tc),
无铅
搜索
Rohm Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 25A TO3PF
详细描述:通孔 N 沟道 25A(Tc) 150W(Tc) TO-3PF
型号:
R6025ANZC8
仓库库存编号:
R6025ANZC8-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 25A(Tc),
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 25A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 25A(Tc) 208W(Tc) PG-TO247-3
型号:
IPW60R125CP
仓库库存编号:
IPW60R125CP-ND
别名:IPW60R125CPFKSA1
IPW60R125CPX
IPW60R125CPXK
SP000088489
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 25A(Tc),
无铅
搜索
Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 80V 25A LFPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 80V 25A(Tc) 64W(Tc) LFPAK56,Power-SO8
型号:
BUK7Y41-80EX
仓库库存编号:
1727-1486-1-ND
别名:1727-1486-1
568-10966-1
568-10966-1-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 25A(Tc),
无铅
搜索
Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 100V 25A LFPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 25A(Tc) 80W(Tc) LFPAK33
型号:
BUK9M43-100EX
仓库库存编号:
1727-2582-1-ND
别名:1727-2582-1
568-13026-1
568-13026-1-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 25A(Tc),
无铅
搜索
Diodes Incorporated
MOSFET NCH 60V 25A TO252
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 25A(Tc) 2W(Ta) TO-252-4L
型号:
DMNH6042SK3Q-13
仓库库存编号:
DMNH6042SK3Q-13DICT-ND
别名:DMNH6042SK3Q-13DICT
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 25A(Tc),
无铅
搜索
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 150V 6A POWERFLAT
详细描述:表面贴装 N 沟道 25A(Tc) 80W(Tc) PowerFlat?(6x5)
型号:
STL25N15F3
仓库库存编号:
497-8785-1-ND
别名:497-8785-1
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 25A(Tc),
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 400V 25A TO-247AC
详细描述:通孔 N 沟道 25A(Tc) 278W(Tc) TO-247AC
型号:
SIHG25N40D-GE3
仓库库存编号:
SIHG25N40D-GE3-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 25A(Tc),
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 600V 25A TO220AB
详细描述:通孔 N 沟道 25A(Tc) 250W(Tc) TO-220AB
型号:
SIHP25N60EFL-GE3
仓库库存编号:
SIHP25N60EFL-GE3-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 25A(Tc),
无铅
搜索
1
2
3
4
5
6
邮箱:
sales@szcwdz.com
Q Q:
800152669
手机网站:
m.szcwdz.com
美国1号品牌选型
新加坡2号品牌选型
英国2号品牌选型
英国10号品牌选型
日本5号品牌选型
st(意法)简介
|
st产品
|
st动态
|
产品应用
|
st选型手册
Copyright © 2017
www.st-ic.com
All Rights Reserved. 技术支持:
电子元器件
ICP备案证书号:
粤ICP备11103613号