规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 2.9A(Ta),
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 2.9A SOT23-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 2.9A(Ta) 700mW(Ta) SOT-23-3(TO-236)
型号:
SI2316DS-T1-E3
仓库库存编号:
SI2316DS-T1-E3CT-ND
别名:SI2316DS-T1-E3CT
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 2.9A(Ta),
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET P-CH 20V 2.9A SOT23
详细描述:表面贴装 P 沟道 2.9A(Ta) 1W(Ta) SOT-23-3L
型号:
AO3435
仓库库存编号:
785-1544-1-ND
别名:785-1544-1
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 2.9A(Ta),
无铅
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Texas Instruments
MOSFET N-CH 12V 3PICOSTAR
详细描述:表面贴装 N 沟道 2.9A(Ta) 500mW(Ta) 3-PICOSTAR
型号:
CSD13383F4T
仓库库存编号:
296-38621-1-ND
别名:296-38621-1
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 2.9A(Ta),
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET P-CH 20V DFN1010D-3G
详细描述:表面贴装 P 沟道 20V 2.9A(Ta) 317mW(Ta),8.33W(Tc) DFN1010D-3
型号:
PMXB75UPEZ
仓库库存编号:
1727-2314-1-ND
别名:1727-2314-1
568-12600-1
568-12600-1-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 2.9A(Ta),
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET P-CH 20V 2.9A 8DFN
详细描述:表面贴装 P 沟道 2.9A(Ta) 1.5W(Ta) 8-DFN3020B(3x2)
型号:
DMS2120LFWB-7
仓库库存编号:
DMS2120LFWB-7DICT-ND
别名:DMS2120LFWB-7DICT
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 2.9A(Ta),
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 100V 2.9A 6UDFN
详细描述:表面贴装 N 沟道 2.9A(Ta) 660mW(Ta) U-DFN2020-6(E 类)
型号:
DMN10H170SFDE-7
仓库库存编号:
DMN10H170SFDE-7DICT-ND
别名:DMN10H170SFDE-7DICT
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 2.9A(Ta),
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET P-CH 40V 2.9A SOT26
详细描述:表面贴装 P 沟道 2.9A(Ta) 1.1W(Ta) SOT-26
型号:
ZXMP4A57E6TA
仓库库存编号:
ZXMP4A57E6TACT-ND
别名:ZXMP4A57E6TACT
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 2.9A(Ta),
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 100V 2.9A SOT223
详细描述:表面贴装 N 沟道 2.9A(Ta) 2W(Ta) SOT-223
型号:
ZXMN10A25GTA
仓库库存编号:
ZXMN10A25GTACT-ND
别名:ZXMN10A25GCT
ZXMN10A25GCT-ND
ZXMN10A25GTACT
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 2.9A(Ta),
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 30V 2.9A SOT23-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 2.9A(Ta) 1W(Ta) SOT-23-3
型号:
ZXMN3B14FTA
仓库库存编号:
ZXMN3B14FCT-ND
别名:ZXMN3B14FCT
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 2.9A(Ta),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 60V 2.9A SOT-223
详细描述:表面贴装 P 沟道 2.9A(Ta) 1.8W(Ta) PG-SOT223-4
型号:
BSP613PH6327XTSA1
仓库库存编号:
BSP613PH6327XTSA1CT-ND
别名:BSP613PH6327XTSA1CT
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 2.9A(Ta),
无铅
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Micro Commercial Co
P-CHANNEL MOSFET, SOT-23 PACKAGE
详细描述:表面贴装 P 沟道 2.9A(Ta) 350mW(Ta) SOT-23
型号:
SI2321-TP
仓库库存编号:
SI2321-TPMSCT-ND
别名:SI2321-TPMSCT
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 2.9A(Ta),
无铅
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Vishay Siliconix
P-CHANNEL 12-V (D-S) MOSFET
详细描述:表面贴装 P 沟道 2.9A(Ta) 900mW(Ta) 4-MICRO FOOT?(0.8x0.8)
型号:
SI8819EDB-T2-E1
仓库库存编号:
SI8819EDB-T2-E1-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 2.9A(Ta),
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Diodes Incorporated
MOSFET BVDSS: 8V 24V X2-DSN1006-
详细描述:表面贴装 P 沟道 2.9A(Ta) 1.13W X2-DFN1006-3
型号:
DMP2088LCP3-7
仓库库存编号:
DMP2088LCP3-7-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 2.9A(Ta),
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 2.9A SOT23-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 2.9A(Ta) 700mW(Ta) SOT-23-3(TO-236)
型号:
SI2316DS-T1-GE3
仓库库存编号:
SI2316DS-T1-GE3-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 2.9A(Ta),
无铅
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EPC
TRANS GAN 65V 2.9A BUMPED DIE
详细描述:表面贴装 N 沟道 65V 2.9A(Ta) 模具
型号:
EPC8005ENGR
仓库库存编号:
917-EPC8005ENGR-ND
别名:917-EPC8005ENGR
EPC8005ENGH
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 2.9A(Ta),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 20V 2.9A SC70-6
详细描述:表面贴装 N 沟道 20V 2.9A(Ta) 1W(Ta) SC-70-6(SOT-363)
型号:
SI1410EDH-T1-E3
仓库库存编号:
SI1410EDH-T1-E3CT-ND
别名:SI1410EDH-T1-E3CT
SI1410EDHT1E3
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 2.9A(Ta),
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET P-CH 20V 2.9A 8-DFN
详细描述:表面贴装 P 沟道 20V 2.9A(Ta) 1.5W(Ta) 8-DFN3020(3x2)
型号:
DMS2220LFW-7
仓库库存编号:
DMS2220LFWDICT-ND
别名:DMS2220LFWDICT
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 2.9A(Ta),
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 30V 2.9A TSM
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 2.9A(Ta) 700mW(Ta) TSM
型号:
SSM3K303T(TE85L,F)
仓库库存编号:
SSM3K303T(TE85LF)CT-ND
别名:SSM3K303T(TE85LF)CT
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 2.9A(Ta),
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET P-CH 20V 2.9A 6MLP
详细描述:表面贴装 P 沟道 20V 2.9A(Ta) 1.4W(Ta) SC-75,MicroFET
型号:
FDFMJ2P023Z
仓库库存编号:
FDFMJ2P023Z-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 2.9A(Ta),
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 20V 2.9A SOT-23
详细描述:表面贴装 P 沟道 20V 2.9A(Ta) 710mW(Ta) SOT-23-3(TO-236)
型号:
SI2321DS-T1-E3
仓库库存编号:
SI2321DS-T1-E3-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 2.9A(Ta),
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 20V 2.9A SOT-23
详细描述:表面贴装 P 沟道 20V 2.9A(Ta) 710mW(Ta) SOT-23-3(TO-236)
型号:
SI2321DS-T1-GE3
仓库库存编号:
SI2321DS-T1-GE3-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 2.9A(Ta),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 2.9A SOT-223
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 2.9A(Ta) 1.8W(Ta) PG-SOT223-4
型号:
BSP320S E6327
仓库库存编号:
BSP320S E6327-ND
别名:BSP320SE6327T
SP000011115
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 2.9A(Ta),
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 2.9A SOT-223
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 2.9A(Ta) 1.8W(Ta) PG-SOT223-4
型号:
BSP320S E6433
仓库库存编号:
BSP320S E6433-ND
别名:BSP320SE6433T
SP000011116
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 2.9A(Ta),
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 60V 2.9A SOT-223
详细描述:表面贴装 P 沟道 60V 2.9A(Ta) 1.8W(Ta) PG-SOT223-4
型号:
BSP613P
仓库库存编号:
BSP613P-ND
别名:BSP613PT
SP000012301
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 2.9A(Ta),
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET P-CH 60V 2.9A SOT-223
详细描述:表面贴装 P 沟道 60V 2.9A(Ta) 1.8W(Ta) PG-SOT223-4
型号:
BSP613PL6327HUSA1
仓库库存编号:
BSP613PL6327HUSA1CT-ND
别名:BSP613PL6327
BSP613PL6327INCT
BSP613PL6327INCT-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 2.9A(Ta),
无铅
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