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• ON Semiconductor
  MOSFET P-CH 60V 12A DPAK
  详细描述：表面贴装 P 沟道 12A（Ta） 55W（Tj） DPAK
  
  型号：NTD2955T4G
  仓库库存编号：NTD2955T4GOSCT-ND
  别名：NTD2955T4GOS
  NTD2955T4GOS-ND
  NTD2955T4GOSCT
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 12A（Ta）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 60V 12A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 12A（Ta） 3.9W（Ta），48W（Tc） TO-252-3
  
  型号：MTD3055V
  仓库库存编号：MTD3055VCT-ND
  别名：MTD3055VCT
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 12A（Ta）,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET P-CH 30V 12A 8SOIC
  详细描述：表面贴装 P 沟道 12A（Ta） 3.1W（Ta） 8-SOIC
  
  型号：AO4407A
  仓库库存编号：785-1022-1-ND
  别名：785-1022-1
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 12A（Ta）,
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  无铅
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 60V 12A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 12A（Ta） 1.5W（Ta），48W（Tj） DPAK
  
  型号：NTD3055-094T4G
  仓库库存编号：NTD3055-094T4GOSCT-ND
  别名：NTD3055-094T4GOS
  NTD3055-094T4GOS-ND
  NTD3055-094T4GOSCT
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 12A（Ta）,
• 无铅
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 60V 12A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 12A（Ta） 1.5W（Ta），48W（Tj） DPAK
  
  型号：NTD3055L104T4G
  仓库库存编号：NTD3055L104T4GOSCT-ND
  别名：NTD3055L104T4GOS
  NTD3055L104T4GOS-ND
  NTD3055L104T4GOSCT
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 12A（Ta）,
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• ON Semiconductor
  MOSFET P-CH 60V 12A IPAK
  详细描述：通孔 P 沟道 12A（Ta） 55W（Tj） I-Pak
  
  型号：NTD2955-1G
  仓库库存编号：NTD2955-1GOS-ND
  别名：NTD2955-1G-ND
  NTD2955-1GOS
  NTD29551G
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 12A（Ta）,
• 无铅
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 60V 12A IPAK
  详细描述：通孔 N 沟道 12A（Ta） 1.5W（Ta），48W（Tj） I-Pak
  
  型号：NTD3055L104-1G
  仓库库存编号：NTD3055L104-1GOS-ND
  别名：NTD3055L104-1G-ND
  NTD3055L104-1GOS
  NTD3055L1041G
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 12A（Ta）,
• 无铅
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• Rohm Semiconductor
  MOSFET N-CH 30V 12A 8-HSMT
  详细描述：表面贴装 N 沟道 12A（Ta） 2W（Ta），16W（Tc） 8-HSMT（3.2x3）
  
  型号：RQ3E120GNTB
  仓库库存编号：RQ3E120GNTBCT-ND
  别名：RQ3E120GNTBCT
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 12A（Ta）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET P-CH 20V 12A 8SOIC
  详细描述：表面贴装 P 沟道 12A（Ta） 1.6W（Ta） PG-DSO-8
  
  型号：BSO201SP H
  仓库库存编号：BSO201SP HCT-ND
  别名：BSO201SP HCT
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 12A（Ta）,
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• EPC
  TRANS GAN 150V 12A BUMPED DIE
  详细描述：表面贴装 N 沟道 12A（Ta） 模具
  
  型号：EPC2018
  仓库库存编号：917-1034-1-ND
  别名：917-1034-1
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 12A（Ta）,
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• Diodes Incorporated
  MOSFETBVDSS:25V 30VU-DFN2020-6
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 12A（Ta） 2.02W（Ta） U-DFN2020-6（F 类）
  
  型号：DMN3016LFDF-7
  仓库库存编号：DMN3016LFDF-7DICT-ND
  别名：DMN3016LFDF-7DICT
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 12A（Ta）,
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• Central Semiconductor Corp
  MOSFET N-CH 800V 12A
  详细描述：通孔 N 沟道 12A（Ta） 40W（Tc） TO-220FP
  
  型号：CDM22012-800LRFP SL
  仓库库存编号：CDM22012-800LRFP SL-ND
  别名：CDM22012-800LRFP PBFREE
  CDM22012-800LRFP PBFREECT
  CDM22012-800LRFP PBFREECT-ND
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 12A（Ta）,
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• Rohm Semiconductor
  MOSFET N-CH 30V 12A HSMT8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 12A（Ta） 2W（Ta） 8-HSMT（3.2x3）
  
  型号：RQ3E120BNTB
  仓库库存编号：RQ3E120BNTBCT-ND
  别名：RQ3E120BNTBCT
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 12A（Ta）,
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• Rohm Semiconductor
  MOSFET N-CH 40V 12A 8HSOP
  详细描述：表面贴装 N 沟道 12A（Ta） 3W（Ta），25W（Tc） 8-HSOP
  
  型号：RS1G120MNTB
  仓库库存编号：RS1G120MNTBCT-ND
  别名：RS1G120MNTBCT
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 12A（Ta）,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  PB-F SMALL LOW ON RESISTANCE MOS
  详细描述：表面贴装 N 沟道 12A（Ta） 2.5W（Ta） 6-UDFNB（2x2）
  
  型号：SSM6K514NU,LF
  仓库库存编号：SSM6K514NULFCT-ND
  别名：SSM6K514NULFCT
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 12A（Ta）,
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• Micro Commercial Co
  MOSFET N-CH 20V 12A DFN202
  详细描述：表面贴装 N 沟道 12A（Ta） DFN2020-6J
  
  型号：MCMN2012-TP
  仓库库存编号：MCMN2012-TPMSCT-ND
  别名：MCMN2012-TPMSCT
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 12A（Ta）,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET N-CH 30V 12A PWRDI3333-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 12A（Ta） 890mW（Ta） PowerDI3333-8
  
  型号：DMG7702SFG-7
  仓库库存编号：DMG7702SFG-7DICT-ND
  别名：DMG7702SFG-7DICT
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 12A（Ta）,
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• Micro Commercial Co
  P-CHANNEL MOSFET, SOP-8 PACKAGE
  详细描述：表面贴装 P 沟道 12A（Ta） 1.4W（Ta） 8-SOP
  
  型号：MCQ4407-TP
  仓库库存编号：MCQ4407-TPMSCT-ND
  别名：MCQ4407-TPMSCT
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 12A（Ta）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 30V D-S PPAK 1212-8
  详细描述：表面贴装 P 沟道 12A（Ta） 3.5W（Ta），27.8W（Tc） PowerPAK? 1212-8
  
  型号：SI7121ADN-T1-GE3
  仓库库存编号：SI7121ADN-T1-GE3CT-ND
  别名：SI7121ADN-T1-GE3CT
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 12A（Ta）,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET P CH 12V 12A UDFN6B
  详细描述：表面贴装 P 沟道 12A（Ta） 1.25W（Ta） 6-UDFNB（2x2）
  
  型号：SSM6J505NU,LF
  仓库库存编号：SSM6J505NULFCT-ND
  别名：SSM6J505NULFCT
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 12A（Ta）,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET P-CH 30V 12A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 P 沟道 12A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SOP
  
  型号：DMP3020LSS-13
  仓库库存编号：DMP3020LSSDICT-ND
  别名：DMP3020LSSDICT
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 12A（Ta）,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N-CH 60V 12A 8SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 12A（Ta） 3.1W（Ta） 8-SO
  
  型号：AO4264
  仓库库存编号：785-1697-1-ND
  别名：785-1697-1
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 12A（Ta）,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET N-CH 30V 18.4A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 12A（Ta） 2.15W（Ta） TO-252-3
  
  型号：ZXMN3A04KTC
  仓库库存编号：ZXMN3A04KTCCT-ND
  别名：ZXMN3A04KTCCT
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 12A（Ta）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 30V 12A PPAK SO-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 12A（Ta） 1.8W（Ta） PowerPAK? SO-8
  
  型号：SI7386DP-T1-E3
  仓库库存编号：SI7386DP-T1-E3CT-ND
  别名：SI7386DP-T1-E3CT
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 12A（Ta）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 30V 12A PPAK SO-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 12A（Ta） 1.8W（Ta） PowerPAK? SO-8
  
  型号：SI7386DP-T1-GE3
  仓库库存编号：SI7386DP-T1-GE3CT-ND
  别名：SI7386DP-T1-GE3CT
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 12A（Ta）,
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