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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 600V 12A POWER88
  详细描述：表面贴装 N 沟道 12A（Ta） 125W（Tc） Power88
  
  型号：FCMT299N60
  仓库库存编号：FCMT299N60CT-ND
  别名：FCMT299N60CT
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 12A（Ta）,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 600V 12A TO-3PN
  详细描述：通孔 N 沟道 12A（Ta） 144W（Tc） TO-3P（N）
  
  型号：TK12J60U(F)
  仓库库存编号：TK12J60UF-ND
  别名：TK12J60U(F)-ND
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 12A（Ta）,
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• EPC
  TRANS GAN 200V 12A BUMPED DIE
  详细描述：表面贴装 N 沟道 12A（Ta） 模具
  
  型号：EPC2010
  仓库库存编号：917-1016-1-ND
  别名：917-1016-1
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 12A（Ta）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET P-CH 30V 12A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 P 沟道 12A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO
  
  型号：IRF9388TRPBF
  仓库库存编号：IRF9388TRPBFCT-ND
  别名：IRF9388TRPBFCT
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 12A（Ta）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 60V 12A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 12A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO
  
  型号：IRF7855TRPBF
  仓库库存编号：IRF7855TRPBFCT-ND
  别名：IRF7855TRPBFCT
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 12A（Ta）,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 500V TO220SIS
  详细描述：通孔 N 沟道 12A（Ta） 45W（Tc） TO-220SIS
  
  型号：TK12A50E,S4X
  仓库库存编号：TK12A50ES4X-ND
  别名：TK12A50E,S4X(S
  TK12A50E,S5X
  TK12A50E,S5X(M
  TK12A50ES4X
  TK12A50ES4X(S
  TK12A50ES4X(S-ND
  TK12A50ES5X
  TK12A50ES5X-ND
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 12A（Ta）,
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• Rohm Semiconductor
  MOSFET N-CH 250V 12A TO-220FM
  详细描述：通孔 N 沟道 12A（Ta） 2.23W（Ta），40W（Tc） TO-220FM
  
  型号：RCX120N25
  仓库库存编号：RCX120N25-ND
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 12A（Ta）,
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• Rohm Semiconductor
  MOSFET N-CH 600V 12A TO-220FM
  详细描述：通孔 N 沟道 12A（Ta） 50W（Tc） TO-220FM
  
  型号：R6012ANX
  仓库库存编号：R6012ANX-ND
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 12A（Ta）,
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• Rohm Semiconductor
  MOSFET P-CH 30V 12A HSMT8
  详细描述：表面贴装 P 沟道 12A（Ta） 2W（Ta） 8-HSMT（3.2x3）
  
  型号：RQ3E120ATTB
  仓库库存编号：RQ3E120ATTBCT-ND
  别名：RQ3E120ATTBCT
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 12A（Ta）,
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• ON Semiconductor
  MOSFET P-CH 60V 12A DPAK
  详细描述：表面贴装 P 沟道 12A（Ta） 55W（Tj） DPAK
  
  型号：SVD2955T4G
  仓库库存编号：SVD2955T4GOSCT-ND
  别名：NVD2955T4GOSCT
  NVD2955T4GOSCT-ND
  SVD2955T4GOSCT
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 12A（Ta）,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET N-CH 30V 12A
  详细描述：表面贴装 N 沟道 12A（Ta） 800mW（Ta） U-DFN2020-6（F 类）
  
  型号：DMT3008LFDF-7
  仓库库存编号：DMT3008LFDF-7DICT-ND
  别名：DMT3008LFDF-7DICT
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 12A（Ta）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 30V 12A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 12A（Ta） 1.6W（Ta） 8-SO
  
  型号：SI4874BDY-T1-E3
  仓库库存编号：SI4874BDY-T1-E3CT-ND
  别名：SI4874BDY-T1-E3CT
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 12A（Ta）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 100V 12A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 12A（Ta） 310W（Tc） D2PAK（TO-263AB）
  
  型号：FDB3632_F085
  仓库库存编号：FDB3632_F085CT-ND
  别名：FDB3632_F085CT
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 12A（Ta）,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 600V 12A TO220SIS
  详细描述：通孔 N 沟道 12A（Ta） 35W（Tc） TO-220SIS
  
  型号：TK12A60U(Q,M)
  仓库库存编号：TK12A60U(QM)-ND
  别名：TK12A60U(Q)
  TK12A60U(Q)-ND
  TK12A60U(QM)
  TK12A60UQ-ND
  TK12A60UQM
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 12A（Ta）,
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  无铅
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 12A 8PQFN
  详细描述：表面贴装 N 沟道 12A（Ta） 2.8W（Ta），25W（Tc） 8-PQFN（3.3x3.3），Power33
  
  型号：IRFHM8337TRPBF
  仓库库存编号：IRFHM8337TRPBFCT-ND
  别名：IRFHM8337TRPBFCT
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 12A（Ta）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET P-CH 12V 12A 6QFN
  详细描述：表面贴装 P 沟道 12A（Ta） 2.4W（Ta） 6-MicroFET（2x2）
  
  型号：FDMA908PZ
  仓库库存编号：FDMA908PZCT-ND
  别名：FDMA908PZCT
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 12A（Ta）,
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• ON Semiconductor
  MOSFET P-CH 60V 12A TP-FA
  详细描述：表面贴装 P 沟道 12A（Ta） 1W（Ta），15W（Tc） TP-FA
  
  型号：SFT1342-TL-W
  仓库库存编号：SFT1342-TL-WOSCT-ND
  别名：SFT1342-TL-EOSCT
  SFT1342-TL-EOSCT-ND
  SFT1342-TL-WOSCT
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 12A（Ta）,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N-CH 30V 12A 8SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 12A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SOIC
  
  型号：AO4566
  仓库库存编号：AO4566-ND
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 12A（Ta）,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET BVDSS: 25V 30V U-DFN2020-
  详细描述：表面贴装 N 沟道 12A（Ta） 2.02W（Ta） U-DFN2020-6（F 类）
  
  型号：DMN3016LFDF-13
  仓库库存编号：DMN3016LFDF-13-ND
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 12A（Ta）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  PT8PZ 20/8V VIS WITH 2.05X2.05 P
  详细描述：表面贴装 P 沟道 12A（Ta） 2.4W（Ta） 6-PQFN（2x2）
  
  型号：FDMA008P20LZ
  仓库库存编号：FDMA008P20LZ-ND
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 12A（Ta）,
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• Sanken
  MOSFET N-CH 30V 26A 8DFN
  详细描述：表面贴装 N 沟道 12A（Ta） 3.1W（Ta），40W（Tc） 8-DFN（5x6）
  
  型号：GKI03080
  仓库库存编号：GKI03080CT-ND
  别名：GKI03080CT
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 12A（Ta）,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET N-CH 30V 12A PWRDI3333-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 12A（Ta） 890mW（Ta） PowerDI3333-8
  
  型号：DMS3012SFG-7
  仓库库存编号：DMS3012SFG-7DICT-ND
  别名：DMS3012SFG-7DICT
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 12A（Ta）,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET N-CH 20V 12A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 12A（Ta） 2W（Ta） 8-SOP
  
  型号：DMN2009LSS-13
  仓库库存编号：DMN2009LSS-13-ND
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 12A（Ta）,
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• Panasonic Electronic Components
  MOSFET N CH 33V 12A WMINI8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 12A（Ta） 1W（Ta） W迷你型8-F1
  
  型号：FK8V03030L
  仓库库存编号：FK8V03030L-ND
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 12A（Ta）,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 60V 9A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 12A（Ta） 1.5W（Ta），48W（Tj） DPAK
  
  型号：NVD3055-094T4G-VF01
  仓库库存编号：NVD3055-094T4G-VF01-ND
  别名：NVD3055-094T4G
  NVD3055-094T4G-ND
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 12A（Ta）,
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