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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 500V 12A TO220SM
  详细描述：表面贴装 N 沟道 500V 12A（Ta） 100W（Tc） TO-220SM
  
  型号：2SK3068(TE24L,Q)
  仓库库存编号：2SK3068(TE24L,Q)-ND
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 12A（Ta）,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 100V 12A IPAK
  详细描述：通孔 N 沟道 100V 12A（Ta） 1.28W（Ta），56.6W（Tc） I-Pak
  
  型号：NTD6600N-1G
  仓库库存编号：NTD6600N-1G-ND
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 12A（Ta）,
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• Rohm Semiconductor
  MOSFET N-CH 500V 12A TO-220FM
  详细描述：通孔 N 沟道 500V 12A（Ta） 45W（Tc） TO-220FM
  
  型号：RDX120N50FU6
  仓库库存编号：RDX120N50FU6-ND
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 12A（Ta）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 30V 12A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 12A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO
  
  型号：FDS6694
  仓库库存编号：FDS6694-ND
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 12A（Ta）,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 30V 12A SOP8 2-6J1B
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 12A（Ta） 8-SOP（5.5x6.0）
  
  型号：TPC8038-H(TE12L,Q)
  仓库库存编号：TPC8038-H(TE12L,Q)-ND
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 12A（Ta）,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET P-CH 100V 12A TO220NIS
  详细描述：通孔 P 沟道 100V 12A（Ta） 35W（Tc） TO-220NIS
  
  型号：2SJ380(F)
  仓库库存编号：2SJ380(F)-ND
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 12A（Ta）,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 500V 12A TO220NIS
  详细描述：通孔 N 沟道 500V 12A（Ta） 40W（Tc） TO-220NIS
  
  型号：2SK3313(Q)
  仓库库存编号：2SK3313(Q)-ND
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 12A（Ta）,
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• Rohm Semiconductor
  MOSFET N-CH 250V 12A TO-220FN
  详细描述：通孔 N 沟道 250V 12A（Ta） 40W（Tc） TO-220FN
  
  型号：RDN120N25FU6
  仓库库存编号：RDN120N25FU6-ND
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 12A（Ta）,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 100V 12A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 12A（Ta） 1.28W（Ta），56.6W（Tc） DPAK
  
  型号：NTD12N10T4G
  仓库库存编号：NTD12N10T4GOSCT-ND
  别名：NTD12N10T4GOSCT
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 12A（Ta）,
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• Rohm Semiconductor
  MOSFET N-CH 30V 12A 8SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 12A（Ta） 2W（Ta） 8-SOP
  
  型号：RSS120N03FU6TB
  仓库库存编号：RSS120N03FU6TB-ND
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 12A（Ta）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 30V 12A PPAK SO-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 12A（Ta） 1.9W（Ta） PowerPAK? SO-8
  
  型号：SI7388DP-T1-E3
  仓库库存编号：SI7388DP-T1-E3-ND
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 12A（Ta）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 30V 12A PPAK SO-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 12A（Ta） 1.9W（Ta） PowerPAK? SO-8
  
  型号：SI7388DP-T1-GE3
  仓库库存编号：SI7388DP-T1-GE3-ND
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 12A（Ta）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 30V 12A PPAK SO-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 12A（Ta） 1.9W（Ta） PowerPAK? SO-8
  
  型号：SI7440DP-T1-E3
  仓库库存编号：SI7440DP-T1-E3-ND
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 12A（Ta）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 30V 12A PPAK SO-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 12A（Ta） 1.9W（Ta） PowerPAK? SO-8
  
  型号：SI7440DP-T1-GE3
  仓库库存编号：SI7440DP-T1-GE3-ND
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 12A（Ta）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 20V 12A PPAK 1212-8
  详细描述：表面贴装 P 沟道 20V 12A（Ta） 1.9W（Ta） PowerPAK? 1212-8
  
  型号：SI7445DP-T1-E3
  仓库库存编号：SI7445DP-T1-E3-ND
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 12A（Ta）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 20V 12A PPAK 1212-8
  详细描述：表面贴装 P 沟道 20V 12A（Ta） 1.9W（Ta） PowerPAK? 1212-8
  
  型号：SI7445DP-T1-GE3
  仓库库存编号：SI7445DP-T1-GE3-ND
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 12A（Ta）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 30V 12A PPAK SO-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 12A（Ta） 1.9W（Ta） PowerPAK? SO-8
  
  型号：SI7446BDP-T1-E3
  仓库库存编号：SI7446BDP-T1-E3-ND
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 12A（Ta）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 30V 12A PPAK SO-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 12A（Ta） 1.9W（Ta） PowerPAK? SO-8
  
  型号：SI7446BDP-T1-GE3
  仓库库存编号：SI7446BDP-T1-GE3-ND
  
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 30V 12A 8SOP
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 12A（Ta） 8-SOP（5.5x6.0）
  
  型号：TPC8A06-H(TE12LQM)
  仓库库存编号：TPC8A06-H(TE12LQM)-ND
  别名：TPC8A06HTE12LQM
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 12A（Ta）,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 800V 12A TO-3PB
  详细描述：通孔 N 沟道 800V 12A（Ta） 2.5W（Ta），190W（Tc） TO-3PB
  
  型号：2SK4209
  仓库库存编号：2SK4209-ND
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 12A（Ta）,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 60V 12A IPAK
  详细描述：通孔 N 沟道 60V 12A（Ta） 1.5W（Ta），48W（Tj） I-Pak
  
  型号：NTDV3055L104-1G
  仓库库存编号：NTDV3055L104-1G-ND
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 12A（Ta）,
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• ON Semiconductor
  MOSFET P-CH 60V 12A DPAK
  详细描述：表面贴装 P 沟道 60V 12A（Ta） 55W（Tj） DPAK-3
  
  型号：NTD2955PT4G
  仓库库存编号：NTD2955PT4GOSCT-ND
  别名：NTD2955PT4GOSCT
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 12A（Ta）,
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• Renesas Electronics America
  MOSFET N-CH 500V 12A LDPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 500V 12A（Ta） 100W（Tc） 4-LDPAK
  
  型号：RJK5012DPE-00#J3
  仓库库存编号：RJK5012DPE-00#J3-ND
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 12A（Ta）,
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• Renesas Electronics America
  MOSFET N-CH 500V 12A TO220
  详细描述：通孔 N 沟道 500V 12A（Ta） 30W（Tc） TO-220FP
  
  型号：RJK5012DPP-E0#T2
  仓库库存编号：RJK5012DPP-E0#T2-ND
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 12A（Ta）,
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• Renesas Electronics America
  MOSFET N-CH 500V 12A LDPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 500V 12A（Ta） 100W（Tc） 4-LDPAK
  
  型号：RJL5012DPE-00#J3
  仓库库存编号：RJL5012DPE-00#J3-ND
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 12A（Ta）,
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