以下搜索结果

• 参考图片
• 制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
• PDF
• 操作

• 
  
• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 30V 11.4A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 P 沟道 11.4A（Tc） 2.5W（Ta），5W（Tc） 8-SO
  
  型号：SI4435DDY-T1-GE3
  仓库库存编号：SI4435DDY-T1-GE3CT-ND
  别名：SI4435DDY-T1-GE3CT
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 11.4A（Tc）,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 30V 11.4A 8SOIC
  详细描述：表面贴装 P 沟道 11.4A（Tc） 2.5W（Ta），5W（Tc） 8-SO
  
  型号：SI4435DDY-T1-E3
  仓库库存编号：SI4435DDY-T1-E3CT-ND
  别名：SI4435DDY-T1-E3CT
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 11.4A（Tc）,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 650V 11.4A TO263
  详细描述：表面贴装 N 沟道 11.4A（Tc） 104.2W（Tc） PG-TO263
  
  型号：IPB65R310CFD
  仓库库存编号：IPB65R310CFDCT-ND
  别名：IPB65R310CFDCT
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 11.4A（Tc）,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET P-CH 60V 11.4A TO-220
  详细描述：通孔 P 沟道 11.4A（Tc） 53W（Tc） TO-220AB
  
  型号：FQP11P06
  仓库库存编号：FQP11P06-ND
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 11.4A（Tc）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET P-CH 60V 11.4A D2PAK
  详细描述：表面贴装 P 沟道 11.4A（Tc） 3.13W（Ta），53W（Tc） D2PAK（TO-263AB）
  
  型号：FQB11P06TM
  仓库库存编号：FQB11P06TMCT-ND
  别名：FQB11P06TMCT
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 11.4A（Tc）,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 650V 11.4A TO220
  详细描述：通孔 N 沟道 11.4A（Tc） 104.2W（Tc） PG-TO-220-3
  
  型号：IPP65R310CFD
  仓库库存编号：IPP65R310CFD-ND
  别名：IPP65R310CFDXKSA1
  SP000745028
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 11.4A（Tc）,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 900V 11.4A TO-3P
  详细描述：通孔 N 沟道 11.4A（Tc） 300W（Tc） TO-3PN
  
  型号：FQA11N90_F109
  仓库库存编号：FQA11N90_F109-ND
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 11.4A（Tc）,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 650V 11.4A TO220
  详细描述：通孔 N 沟道 650V 11.4A（Tc） 32W（Tc） PG-TO220 整包
  
  型号：IPA65R310CFDXKSA1
  仓库库存编号：IPA65R310CFDXKSA1-ND
  别名：IPA65R310CFD
  IPA65R310CFD-ND
  SP000890320
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 11.4A（Tc）,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 650V 11.4A TO262
  详细描述：通孔 N 沟道 650V 11.4A（Tc） 104.2W（Tc） PG-TO262-3
  
  型号：IPI65R310CFDXKSA1
  仓库库存编号：IPI65R310CFDXKSA1-ND
  别名：IPI65R310CFD
  IPI65R310CFD-ND
  SP000891700
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 11.4A（Tc）,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH TO263-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 650V 11.4A（Tc） 104.2W（Tc） PG-TO263
  
  型号：IPB65R310CFDAATMA1
  仓库库存编号：IPB65R310CFDAATMA1-ND
  别名：SP000879440
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 11.4A（Tc）,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 650V TO-220-3
  详细描述：通孔 N 沟道 650V 11.4A（Tc） 104.2W（Tc） PG-TO-220-3
  
  型号：IPP65R310CFDAAKSA1
  仓库库存编号：IPP65R310CFDAAKSA1-ND
  别名：SP000879438
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 11.4A（Tc）,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 650V 11.4A TO247
  详细描述：通孔 N 沟道 650V 11.4A（Tc） 104.2W（Tc） PG-TO247-3
  
  型号：IPW65R310CFDFKSA1
  仓库库存编号：IPW65R310CFDFKSA1-ND
  别名：IPW65R310CFD
  IPW65R310CFD-ND
  SP000890688
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 11.4A（Tc）,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET P-CH 60V 11.4A I2PAK
  详细描述：通孔 P 沟道 60V 11.4A（Tc） 3.13W（Ta），53W（Tc） I2PAK
  
  型号：FQI11P06TU
  仓库库存编号：FQI11P06TU-ND
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 11.4A（Tc）,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 250V 11.4A TO-3PF
  详细描述：通孔 N 沟道 250V 11.4A（Tc） 73W（Tc） TO-3PF
  
  型号：FQAF16N25C
  仓库库存编号：FQAF16N25C-ND
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 11.4A（Tc）,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 400V 11.4A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 400V 11.4A（Tc） 147W（Tc） TO-220-3
  
  型号：FQP11N40
  仓库库存编号：FQP11N40-ND
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 11.4A（Tc）,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 400V 11.4A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 400V 11.4A（Tc） 3.13W（Ta），147W（Tc） D2PAK（TO-263AB）
  
  型号：FQB11N40TM
  仓库库存编号：FQB11N40TM-ND
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 11.4A（Tc）,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 400V 11.4A I2PAK
  详细描述：通孔 N 沟道 400V 11.4A（Tc） 3.13W（Ta），147W（Tc） I2PAK
  
  型号：FQI11N40TU
  仓库库存编号：FQI11N40TU-ND
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 11.4A（Tc）,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 300V 11.4A TO-3PF
  详细描述：通孔 N 沟道 300V 11.4A（Tc） 90W（Tc） TO-3PF
  
  型号：FQAF14N30
  仓库库存编号：FQAF14N30-ND
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 11.4A（Tc）,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 900V 11.4A TO-3P
  详细描述：通孔 N 沟道 900V 11.4A（Tc） 300W（Tc） TO-3P
  
  型号：FQA11N90
  仓库库存编号：FQA11N90-ND
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 11.4A（Tc）,
• 无铅
• 搜索