以下搜索结果

• 参考图片
• 制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
• PDF
• 操作

• 
  
• Rohm Semiconductor
  MOSFET N-CH 40V 26A 8HSOP
  详细描述：表面贴装 N 沟道 26A（Ta） 3W（Ta），35W（Tc） 8-HSOP
  
  型号：RS1G260MNTB
  仓库库存编号：RS1G260MNTBCT-ND
  别名：RS1G260MNTBCT
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 26A（Ta）,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 30V 26A 8TSON
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 26A（Ta） 700mW（Ta），30W（Tc） 8-TSON
  
  型号：TPCC8005-H(TE12LQM
  仓库库存编号：TPCC8005-H(TE12LQMCT-ND
  别名：TPCC8005-H(TE12LQMCT
  TPCC8005HTE12LQM
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 26A（Ta）,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 500V 26A TO-3PB
  详细描述：通孔 N 沟道 500V 26A（Ta） 2.5W（Ta），220W（Tc） TO-3PB
  
  型号：2SK4221
  仓库库存编号：2SK4221-ND
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 26A（Ta）,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 100V 26A SMP-FD
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 26A（Ta） 1.65W（Ta），50W（Tc） SMP-FD
  
  型号：2SK3820-DL-E
  仓库库存编号：2SK3820-DL-E-ND
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 26A（Ta）,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 100V 26A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 100V 26A（Ta） 1.75W（Ta），45W（Tc） TO-220
  
  型号：2SK3826
  仓库库存编号：2SK3826-ND
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 26A（Ta）,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 100V 26A
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 26A（Ta） 1.65W（Ta），50W（Tc） TO-263-2
  
  型号：2SK3820-DL-1E
  仓库库存编号：2SK3820-DL-1E-ND
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 26A（Ta）,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 500V 26A TO3P3L
  详细描述：通孔 N 沟道 500V 26A（Ta） 2.5W（Ta），220W（Tc） TO-3P-3L
  
  型号：WPB4001-1E
  仓库库存编号：WPB4001-1E-ND
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 26A（Ta）,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 80V 26A
  详细描述：N 沟道 80V 26A（Ta） 4W（Ta）, 195W（Tc） 8-PQFN（5x6）
  
  型号：IRFH7882TRPBF
  仓库库存编号：IRFH7882TRPBFCT-ND
  别名：IRFH7882TRPBFCT
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 26A（Ta）,
• 无铅
• 搜索