规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 17A(Tc),
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 17A TO220FP
详细描述:通孔 N 沟道 17A(Tc) 48W(Tc) TO-220-3
型号:
IRLI540GPBF
仓库库存编号:
IRLI540GPBF-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 17A(Tc),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 17A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 17A(Tc) 3.7W(Ta),60W(Tc) TO-263(D2Pak)
型号:
IRFZ24STRRPBF
仓库库存编号:
IRFZ24STRRPBF-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 17A(Tc),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 17A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 17A(Tc) 3.7W(Ta),60W(Tc) D2PAK
型号:
IRFZ24STRLPBF
仓库库存编号:
IRFZ24STRLPBF-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 17A(Tc),
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
PTNG 100V/20V NCH POWER TRENCH M
详细描述:表面贴装 N 沟道 17A(Tc) 125W(Tc) 8-PQFN(5x6),Power56
型号:
FDMS10C4D2N
仓库库存编号:
FDMS10C4D2N-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 17A(Tc),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 17A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 17A(Tc) 2.5W(Ta),4.4W(Tc) 8-SO
型号:
SI4636DY-T1-GE3
仓库库存编号:
SI4636DY-T1-GE3CT-ND
别名:SI4636DY-T1-GE3CT
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 17A(Tc),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 600V 17A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 17A(Tc) 277.8W(Tc) TO-220AB
型号:
SIHP17N60D-E3
仓库库存编号:
SIHP17N60D-E3-ND
别名:SIHP17N60DE3
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 17A(Tc),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 600V 17A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 17A(Tc) 277.8W(Tc) TO-220AB
型号:
SIHP17N60D-GE3
仓库库存编号:
SIHP17N60D-GE3-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 17A(Tc),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 200V 17A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 17A(Tc) 3.1W(Ta),125W(Tc) D2PAK
型号:
IRL640STRRPBF
仓库库存编号:
IRL640STRRPBF-ND
别名:Q4322190B
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 17A(Tc),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 600V 17A TO247AC
详细描述:通孔 N 沟道 17A(Tc) 277.8W(Tc) TO-247AC
型号:
SIHG17N60D-E3
仓库库存编号:
SIHG17N60D-E3-ND
别名:SIHG17N60D-E3CT
SIHG17N60D-E3CT-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 17A(Tc),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 600V 17A TO247AC
详细描述:通孔 N 沟道 17A(Tc) 277.8W(Tc) TO-247AC
型号:
SIHG17N60D-GE3
仓库库存编号:
SIHG17N60D-GE3-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 17A(Tc),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 17A TO220FP
详细描述:通孔 N 沟道 17A(Tc) 48W(Tc) TO-220-3
型号:
IRLI540G
仓库库存编号:
IRLI540G-ND
别名:*IRLI540G
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 17A(Tc),
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 800V COOLMOS TO220-3
详细描述:通孔 N 沟道 17A(Tc) 30W(Tc) PG-TO220 整包
型号:
IPAN80R280P7XKSA1
仓库库存编号:
IPAN80R280P7XKSA1-ND
别名:SP001632934
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 17A(Tc),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 500V 17A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 500V 17A(Tc) 220W(Tc) TO-220AB
型号:
IRFB18N50K
仓库库存编号:
IRFB18N50K-ND
别名:*IRFB18N50K
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 17A(Tc),
含铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 1000V 17A D3PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 1000V 17A(Tc) 625W(Tc) D3Pak
型号:
APT17F100S
仓库库存编号:
APT17F100S-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 17A(Tc),
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 800V 17A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 800V 17A(Tc) 400W(Tc) TO-247AD(IXFH)
型号:
IXFH17N80Q
仓库库存编号:
IXFH17N80Q-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 17A(Tc),
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 1200V 17A PLUS247
详细描述:通孔 N 沟道 1200V 17A(Tc) 700W(Tc) PLUS247?-3
型号:
IXTX17N120L
仓库库存编号:
IXTX17N120L-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 17A(Tc),
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 1200V 17A TO-264
详细描述:通孔 N 沟道 1200V 17A(Tc) 700W(Tc) TO-264(IXTK)
型号:
IXTK17N120L
仓库库存编号:
IXTK17N120L-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 17A(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 17A TO252-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 55V 17A(Tc) 47W(Tc) PG-TO252-3-11
型号:
IPD14N06S280ATMA2
仓库库存编号:
IPD14N06S280ATMA2-ND
别名:SP001063642
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 17A(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 17A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 55V 17A(Tc) 45W(Tc) D-Pak
型号:
AUIRLR024NTRL
仓库库存编号:
AUIRLR024NTRL-ND
别名:SP001517694
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 17A(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 17A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 55V 17A(Tc) 3.8W(Ta),45W(Tc) D-PAK(TO-252AA)
型号:
AUIRFZ24NS
仓库库存编号:
AUIRFZ24NS-ND
别名:SP001517468
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 17A(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH TO263-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 250V 17A(Tc) 107W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
IPB17N25S3100ATMA1
仓库库存编号:
IPB17N25S3100ATMA1-ND
别名:SP000876560
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 17A(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 17A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 55V 17A(Tc) 3.8W(Ta),45W(Tc) D-PAK(TO-252AA)
型号:
AUIRFZ24NSTRL
仓库库存编号:
AUIRFZ24NSTRL-ND
别名:SP001522352
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 17A(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 550V 17A TO-263
详细描述:表面贴装 N 沟道 550V 17A(Tc) 139W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
IPB50R199CPATMA1
仓库库存编号:
IPB50R199CPATMA1TR-ND
别名:IPB50R199CP
IPB50R199CP-ND
SP000236092
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 17A(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 550V TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 550V 17A(Tc) 139W(Tc) PG-TO220-3-1
型号:
IPP50R199CPHKSA1
仓库库存编号:
IPP50R199CPHKSA1-ND
别名:SP000236074
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 17A(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 17A 4VSON
详细描述:表面贴装 N 沟道 600V 17A(Tc) 103W(Tc) PG-VSON-4
型号:
IPL60R125C7AUMA1
仓库库存编号:
IPL60R125C7AUMA1-ND
别名:SP001385066
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 17A(Tc),
无铅
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